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公开(公告)号：CN105990519B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510061920.9
申请日：2015-02-05
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：在易氧化金属电极与阻变功能层之间插入含多个纳米孔的石墨烯阻挡层，能够控制器件编程过程中易氧化金属电极的金属氧化后，形成的金属离子只能通过多个纳米孔的位置进入到阻变功能层中。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在易氧化金属电极与阻变功能层之间增加含有纳米孔的石墨烯插层结构，阻挡金属离子的扩散，使得器件在编程过程中易氧化金属电极中形成的金属离子只能通过纳米孔的位置处进入到阻变功能层，从而控制导电细丝生长位置。
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公开(公告)号：CN102544076A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010602513.1
申请日：2010-12-23
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/331 , H01L27/24 , H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种多发射极的双极晶体管及其选通的阻变存储器及制造方法，所述晶体管包括：集电极；形成于所述集电极上的基极；形成于所述基极上的至少两个发射极，所述发射极间隔排列；其中，所述基极是所有所述发射极的共有基极，所述集电极是所有所述发射极的共有集电极。由于双极晶体管的多个发射极共用基极和集电极，从而减小双极晶体管的面积，而采用该多发射极的双极晶体管选通的阻变存储器，由于减小了选通晶体管的面积，进而提高了阻变存储器的存储密度。
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公开(公告)号：CN102487122A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574352.X
申请日：2010-12-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及半导体存储器技术领域，公开了一种基于含有金属纳米层的二元氧化物固态电解液薄膜材料的非挥发性电阻转变存储器，包括：第一导电电极、第二导电层与第三导电电极；包含在第一导电电极与第三导电电极之间的二元氧化物固态电解液薄膜。本发明同时公开了一种制备非挥发性电阻转变存储器的方法，包括：在含有第一导电电极的介质层上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露第一导电电极，在接触孔内在第一导电电极上形成含有第二导电层的二元氧化物固态电解液薄膜，在接触孔内在二元氧化物固态电解液薄膜上形成第三导电电极。利用本发明，能够获得器件面积小、产率高、性能良好的电阻转变存储器，为器件的大规模集成和实用化打下基础。
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公开(公告)号：CN105990519A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510061920.9
申请日：2015-02-05
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/143 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1608
摘要： 一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：在易氧化金属电极与阻变功能层之间插入含多个纳米孔的石墨烯阻挡层，能够控制器件编程过程中易氧化金属电极的金属氧化后，形成的金属离子只能通过多个纳米孔的位置进入到阻变功能层中。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在易氧化金属电极与阻变功能层之间增加含有纳米孔的石墨烯插层结构，阻挡金属离子的扩散，使得器件在编程过程中易氧化金属电极中形成的金属离子只能通过纳米孔的位置处进入到阻变功能层，从而控制导电细丝生长位置。
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公开(公告)号：CN105895800A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610252403.4
申请日：2016-04-21
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1273 , H01L45/1608
摘要： 本发明提供了一种双极型阻变存储器及其制备方法，该双极型阻变存储器包括衬底；复合于所述衬底上表面的下电极；复合于所述下电极上的整流功能层；复合于所述整流功能层上的石墨烯层；复合于所述石墨烯层上的阻变介质层；复合于所述阻变介质层上的上电极；所述整流功能层由Al2O3、TiO2与MgO中的一种或多种形成。与现有技术相比，本发明提供的双极型阻变存储器中的整流功能层可起到隧穿整流的作用，实现双向整流作用，也能够有效抑制阻变存储器阵列中相邻单元之间的串扰误读现象；同时由于石墨烯层的存在，器件性能得到改善，reset电流减小，反应速度提高，功耗降低。
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公开(公告)号：CN104810476A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510226908.9
申请日：2015-05-07
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/24 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/51 , H01L27/105 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/148
摘要： 一种非挥发性阻变存储器，包括绝缘衬底、下电极、下石墨烯阻挡层、阻变功能层、上石墨烯阻挡层、上电极，其中，在外加电场的作用下，下和/或上石墨烯阻挡层能够阻止构成上、下电极的金属材料中金属离子/原子扩散进入阻变功能层。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在上下金属电极与阻变功能层之间增加单层或多层石墨烯薄膜作为金属离子/原子阻挡层，这层阻挡层能够阻止阻变器件编程/擦除过程中，金属电极中的金属离子/原子进入到阻变功能层中，从而提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103247335A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026089.X
申请日：2012-02-07
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G11C13/02
摘要： 本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种存储器器件及其阵列。该存储器器件由一个肖特基二极管和一个具有双极性电阻转变特性的阻变器件构成，其结构包括：衬底、位于衬底之上的肖特基二极管结构、位于肖特基二极管结构之上的阻变器件结构。本发明提出的存储器制备工艺简单、制造成本低、性能稳定。并且自身能够有效地抑制交叉阵列中的读串扰问题，使得这种存储器有利于交叉阵列结构集成。
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公开(公告)号：CN112382319B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011077197.0
申请日：2020-10-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种自参考存储结构及存算一体电路，该自参考存储结构，包括：三个晶体管，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管；两个磁隧道结，包括：第一磁隧道结、第二磁隧道结；所述第一磁隧道结串联于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间；所述第二磁隧道结串联于所述第二晶体管与所述第三晶体管之间；在开启第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管时，实现一位二进制信息的写入；在实现数据存储时，只需要施加单向电流即可实现一位二进制的写入，且器件在写入过程中延时低、功耗小，数据读取裕度高。
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公开(公告)号：CN105895800B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610252403.4
申请日：2016-04-21
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供了一种双极型阻变存储器及其制备方法，该双极型阻变存储器包括衬底；复合于所述衬底上表面的下电极；复合于所述下电极上的整流功能层；复合于所述整流功能层上的石墨烯层；复合于所述石墨烯层上的阻变介质层；复合于所述阻变介质层上的上电极；所述整流功能层由Al2O3、TiO2与MgO中的一种或多种形成。与现有技术相比，本发明提供的双极型阻变存储器中的整流功能层可起到隧穿整流的作用，实现双向整流作用，也能够有效抑制阻变存储器阵列中相邻单元之间的串扰误读现象；同时由于石墨烯层的存在，器件性能得到改善，reset电流减小，反应速度提高，功耗降低。
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公开(公告)号：CN104659208A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510061731.1
申请日：2015-02-05
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 一种非挥发性阻变存储器，包括下电极、阻变功能层、上电极，其特征在于：上电极与阻变功能层之间插入金属离子阻挡层，能够阻止器件编程过程中在阻变功能层中形成的金属导电细丝进入上电极。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在惰性电极与固态电解液阻变功能层之间插入金属离子阻挡层，阻止RRAM器件编程过程中，阻变层中形成的金属导电细丝扩散进入惰性电极层，消除器件擦除过程中出现的误编程现象，提高器件的可靠性。
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