发明授权
CN100538907C 二极化的三维只读存储元
失效 - 权利终止
- 专利标题： 二极化的三维只读存储元
- 专利标题（英）： Improved three-dimensional read-only memory
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申请号： CN200610159413.X申请日： 2002-11-17
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公开(公告)号： CN100538907C公开(公告)日： 2009-09-09
- 发明人: 张国飙
- 申请人： 张国飙
- 申请人地址： 四川省成都市建设路59号5A-001信箱
- 专利权人： 张国飙
- 当前专利权人： 张国飙
- 当前专利权人地址： 四川省成都市建设路59号5A-001信箱
- 分案原申请号： 021501904
- 主分类号： G11C17/10
- IPC分类号： G11C17/10
摘要：
本发明提出一种三维只读存储器(3D-ROM)中的二极化存储元，该二极化存储元含有两个具有不同基材料的次膜，或与其上下电极具有不同界面。二极化存储元能提高3D-ROM单位阵列的大小，从而提高其可集成性。本发明还提出一种3D-ROM中的无缝存储元，它能提高3D-ROM的成品率。
公开/授权文献
- CN101110269A 改进的三维只读存储器 公开/授权日：2008-01-23
