公开(公告)号：CN104658605A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201310740429.X

申请日：2013-12-27

申请人： 智原科技股份有限公司

发明人： 邱智康 ,  王维偿 ,  杨生泰

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/14

CPC分类号： G11C17/123 ,  G11C17/12 ,  G11C17/18

摘要： 本发明公开了一种非易失性存储器，包含：存储单元，包括：第一字元线；第二字元线；控制线；逻辑电路，具有二输入端连接至二字元线以及输出端连接至控制线；位元线；第一晶胞，具有控制端连接至第一字元线、第一端连接至控制线、及第二端选择性地连接至第一位元线；及第二晶胞，具有控制端连接至第二字元线、第一端连接至控制线、及第二端选择性地连接至位元线。当二字元线其中之一为选定字元线时，逻辑电路输出端提供第一电平至控制线；及二字元线并非为选定字元线时，逻辑电路输出端提供第二电平至控制线。

公开(公告)号：CN101202100B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200610166937.1

申请日：2006-12-15

申请人： 智原科技股份有限公司

发明人： 邱智康 ,  石维强

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C8/12 ,  G11C11/41 ,  G11C17/10 ,  H01L27/105

摘要： 一种组合存储单元，包括静态随机存取存储单元及掩膜式只读存储编码器，静态随机存取存储单元包括第一与第二反相器，第一反相器包括第一P型金属氧化物半导体晶体管与第一N型金属氧化物半导体晶体管，第二反相器包括一第二P型金属氧化物半导体晶体管与一第二N型金属氧化物半导体晶体管，掩膜式只读存储编码器与该第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接或与该第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接，并决定存储单元为随机存取存储模式或只读存储模式。

公开(公告)号：CN101202100A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200610166937.1

申请日：2006-12-15

申请人： 智原科技股份有限公司

发明人： 邱智康 ,  石维强

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C8/12 ,  G11C11/41 ,  G11C17/10 ,  H01L27/105

摘要： 一种组合存储单元，包括静态随机存取存储单元及掩膜式只读存储编码器，静态随机存取存储单元包括第一与第二反相器，第一反相器包括第一P型金属氧化物半导体晶体管与第一N型金属氧化物半导体晶体管，第二反相器包括一第二P型金属氧化物半导体晶体管与一第二N型金属氧化物半导体晶体管，掩膜式只读存储编码器与该第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接或与该第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接，并决定存储单元为随机存取存储模式或只读存储模式。