知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN101546605B 改进的三维掩膜编程只读存储器 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 改进的三维掩膜编程只读存储器
  • 专利标题（英）： Improved three-dimensional masking film program read-only memory
  • 申请号： CN200810181778.1
    申请日： 2002-09-30
  • 公开(公告)号： CN101546605B
    公开(公告)日： 2012-01-18
  • 发明人: 张国飙
  • 申请人： 张国飙
  • 申请人地址： 四川省成都市建设路59号5A-001信箱
  • 专利权人： 张国飙
  • 当前专利权人： 张国飙
  • 当前专利权人地址： 四川省成都市建设路59号5A-001信箱
  • 分案原申请号： 021310890 2002.09.30
  • 主分类号： G11C17/10
  • IPC分类号： G11C17/10 ;  H01L27/112
改进的三维掩膜编程只读存储器
摘要：
本发明提出一种改进的三维掩膜编程只读存储器，它的至少部分地址线由掺杂的半导体材料构成，且不含金属膜、合金膜或金属化合物膜。它具有较好的可制造性。
摘要（英）：

The invention provides an improved three-dimensional masking film program read-only memory. At least partial address wires of the improved three-dimensional masking film program read-only memory are made of mixed semiconducting materials, and the improved three-dimensional masking film program read-only memory contains no metallic film, alloy film or metallic compound film. The invention has better manufacturability.

公开/授权文献
0/0