公开(公告)号：CN106574900B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580041304.5

申请日：2015-07-28

申请人： 爱思开矽得荣株式会社

发明人： 姜憄勋 ,  韩基润

IPC分类号： G01N21/95 ,  H01L21/66

CPC分类号： G06T7/0004 ,  G01N21/94 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G06T2207/30148 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H04N7/181

摘要： 本发明涉及一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置能够同时测量晶片的上表面、下表面和侧表面上的缺陷，而同时防止损坏晶片。本发明提供一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置包括：下鼓风机，通过将空气喷射到晶片的下表面来缓冲晶片；上鼓风机，设置为能够相对于下鼓风机上下移动，并且通过将空气喷射到晶片的上表面来使晶片固定；上污染测量件，设置在上鼓风机的上侧，并且检测晶片的上表面上的污染；下污染测量件，设置在下鼓风机的下侧，并且检测晶片的下表面上的污染；以及侧污染测量件，设置在上鼓风机与下鼓风机之间，并且检测晶片的侧表面上的污染。

公开(公告)号：CN107076547A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580052310.0

申请日：2015-09-29

申请人： 统一半导体公司

发明人： 马约·杜朗德热维涅 ,  菲利普·加斯塔尔多

IPC分类号： G01B11/24 ,  G01N21/88 ,  G01N21/95

CPC分类号： G01N21/9505 ,  G01B11/2441 ,  G01M11/331 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/8851 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G01N2021/8874

摘要： 本发明包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。

公开(公告)号：CN106796185A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580047056.5

申请日：2015-09-30

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： P·霍恩

IPC分类号： G01N21/95

CPC分类号： G01N21/9503

摘要： 本发明涉及一种检验系统，此检验系统具有光学头、支撑系统及与所述支撑系统电通信的控制器。所述支撑系统经配置以向所述光学头提供具有三个自由度的移动。所述控制器经编程以使用所述支撑系统来控制所述光学头的移动，使得所述光学头维持相对于晶片表面的恒定入射角，同时使所述晶片的圆周边缘成像。可使边缘轮廓测绘仪横跨所述晶片扫描以确定边缘轮廓。可使用所述边缘轮廓来确定所述光学头的轨迹。

公开(公告)号：CN106716112A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580052315.3

申请日：2015-09-29

申请人： 统一半导体公司

发明人： 马约·杜朗德热维涅 ,  菲利普·加斯塔尔多

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  G01B11/24

CPC分类号： G01B11/2441 ,  G01B9/02034 ,  G01B2210/56 ,  G01M11/331 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  H01L22/12

摘要： 本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，其包括：使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，所述干涉条纹横向于所述晶片的转动路径延伸并且在所述测量空间内具有可变的条纹间距，缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述晶片在光源的波长下至少部分透明，所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸，所述区域的厚度小于所述晶片的厚度；收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分；捕获所收集的光并发射电信号，该电信号表示所收集的光的光强度随时间的变化；在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量，所述频率是缺陷通过测量空间的时间特征；从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值，确定所述缺陷在所述径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。

公开(公告)号：CN106463444A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480070711.4

申请日：2014-12-19

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 黄鲁平

IPC分类号： H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15

CPC分类号： H01L21/6838 ,  G01N21/9503 ,  G01N2021/8461 ,  H01L21/68728 ,  Y10T29/49998 ,  Y10T279/11

摘要： 一种非接触晶片夹持设备包含晶片卡盘和耦合到所述晶片卡盘的一部分的夹具组合件。所述晶片卡盘包含加压气体元件，其经配置以跨所述晶片卡盘的表面产生加压气体区域，所述加压气体区域适合于将所述晶片提升到所述晶片卡盘的所述表面上方。所述晶片卡盘进一步包含真空元件，其经配置以跨所述晶片卡盘的所述表面产生减压区域，所述减压区域具有低于所述加压气体区域的压力。所述减压区域适合于将所述晶片紧固在所述晶片卡盘上方而不接触所述晶片卡盘。所述夹持设备包含旋转驱动单元，其经配置以选择性地旋转所述晶片卡盘。夹具元件可逆地耦合到所述晶片的边缘部分，以便紧固所述晶片，使得所述晶片和夹具组合件与所述晶片卡盘同步地旋转。

公开(公告)号：CN103969276A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410058293.9

申请日：2014-01-29

申请人： 布鲁克AXS有限公司

发明人： A·维格里安泰

IPC分类号： G01N23/223

CPC分类号： G01N23/223 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G01N23/20025 ,  G01N2223/076 ,  G01N2223/6116 ,  G01N2223/652

摘要： 公开了用于检测晶片的斜面上的污染物的XRF测量设备。XRF(x射线荧光)测量设备(1)包括：x射线源(2)，用于产生x射线(4)，x射线光学元件(3)，用于将来自x射线源(2)的x射线(4)引导至样品(5)，样品(5)，和EDS(能量色散谱)检测器(7)，用于检测来自样品(5)的荧光x射线(14)，其特征在于，样品(5)是晶片(6)，特别是硅晶片，其中，x射线光学元件(3)被定位为将x射线(4)引导至晶片(6)的斜面(12)上，并且x射线源(2)加上x射线光学元件(3)具有至少是5×107计数／秒平方毫米的亮度，优选地具有至少是1×108计数／秒平方毫米的亮度。本发明允许改进对晶片的污染物控制，特别是硅晶片。

公开(公告)号：CN101501831B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200780029768.X

申请日：2007-08-09

申请人： 芝浦机械电子装置股份有限公司

发明人： 林义典 ,  古川长树 ,  森秀树 ,  堀徹真

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01B11/24

CPC分类号： G01B11/08 ,  G01B11/24 ,  G01N21/9503 ,  G01R31/311

摘要： 可以对半导体晶片等圆盘状基板的表面上形成的处理区域进行精度更高的检查的检查装置和检查方法。采用具有如下单元的结构：摄影单元(130a)、(130b)，其拍摄旋转的晶片的外缘及其附近区域；基板外缘位置测量单元(200)，其根据由摄影单元(130a)、(130b)获得的图像来测量晶片的多个旋转角度位置θn各处的外缘的径向位置；边缘间距离测量单元(200)，其根据由摄影单元(130a)获得的图像来测量所述多个旋转角度位置θn各处的、晶片的外缘与绝缘膜的边缘之间的边缘间距离Bθn；以及检查信息生成单元(200)，其根据晶片的外缘的径向位置Aθn和边缘间距离Bθn来生成规定的检查信息。

公开(公告)号：CN101326436A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200680045953.3

申请日：2006-12-05

申请人： 芝浦机械电子装置股份有限公司

发明人： 林义典 ,  森秀树

IPC分类号： G01N21/956 ,  H01L21/66 ,  H04N5/335

CPC分类号： G01N21/9503 ,  G01N21/9501 ,  H04N9/045

摘要： 提供一种外观检查装置，其能够尽量抑制处理量的增大，而且能够以合适的分辨率检测作为检查对象的物体表面的划痕等的缺陷，能够判定该物体表面上的膜的形成状态。该外观检查装置包括具有感色性特性不同的多个线传感器(22R、22G、22B)的摄像装置(20)和处理装置(50)。处理装置(50)具有像素数据获取单元(S14)，该像素数据获取单元以第1像素密度从来自基准线传感器的密度信号获取像素密度数据，并以低于第1像素密度的第2像素密度，从来自基准线传感器以外的各个线传感器的密度信号获取像素密度数据。根据以第1像素密度获取的像素密度数据和以第2像素密度获取的像素密度数据，生成表示所述物体表面的状态的信息。

公开(公告)号：CN1473360A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02802937.2

申请日：2002-09-19

申请人： 奥林巴斯光学工业株式会社

发明人： 辻治之 ,  北原康利 ,  桥本胜行 ,  池野泰教 ,  仓田俊辅 ,  矢泽雅彦

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G01N21/9503

摘要： 本发明的半导体晶片检查设备，其特征在于具有：旋转台，用于吸附保持半导体晶片；照明装置，用于对保持在上述旋转台上的上述半导体晶片的至少边缘部进行照明；摄像装置，用于对由上述照明装置照明的上述半导体晶片的边缘部进行摄像；图像处理装置，用于取得由上述摄像装置拍摄的上述边缘部图像，并至少检测出边缘去除量或裂纹；显示部，用于显示输出由上述图像处理装置进行过图像处理的上述边缘部的图像。

公开(公告)号：CN104777168B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201510020858.9

申请日：2015-01-15

申请人： 康宁精密素材株式会社

发明人： 成始澔

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01B11/02

CPC分类号： H04N5/2256 ,  G01N21/896 ,  G01N21/9503 ,  G01N21/958 ,  G01N2201/062 ,  G01N2201/105 ,  H01L21/67288

摘要： 一种用于检测基板的边缘的设备可以检测基板的边缘部分的缺陷或倒角宽度。第一直角棱镜和第二直角棱镜被设置在所述边缘部分的上方和下方，使得该第一直角棱镜的倾斜表面和该第二直角棱镜的倾斜表面朝向所述边缘部分的上表面和下表面。发光部件用光照射所述基板的边缘部分。拍摄部件被设置为邻近所述边缘部分。所述拍摄部件由已经通过所述第一直角棱镜的光拍摄所述边缘部分的上表面的图像，由已经通过所述第二直角棱镜的光拍摄所述边缘部分的下表面的图像，并拍摄所述边缘部分的端表面的图像。