-
公开(公告)号：CN106463444B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201480070711.4
申请日：2014-12-19
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 黄鲁平
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
CPC分类号： H01L21/6838 , G01N21/9503 , G01N2021/8461 , H01L21/68728 , Y10T29/49998 , Y10T279/11
摘要： 一种非接触晶片夹持设备包含晶片卡盘和耦合到所述晶片卡盘的一部分的夹具组合件。所述晶片卡盘包含加压气体元件，其经配置以跨所述晶片卡盘的表面产生加压气体区域，所述加压气体区域适合于将所述晶片提升到所述晶片卡盘的所述表面上方。所述晶片卡盘进一步包含真空元件，其经配置以跨所述晶片卡盘的所述表面产生减压区域，所述减压区域具有低于所述加压气体区域的压力。所述减压区域适合于将所述晶片紧固在所述晶片卡盘上方而不接触所述晶片卡盘。所述夹持设备包含旋转驱动单元，其经配置以选择性地旋转所述晶片卡盘。夹具元件可逆地耦合到所述晶片的边缘部分，以便紧固所述晶片，使得所述晶片和夹具组合件与所述晶片卡盘同步地旋转。
-
公开(公告)号：CN1258214C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410068370.5
申请日：2004-08-31
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 斯蒂芬·W·拜德尔 , 基思·E·佛格尔 , 德温得拉·K·萨达纳
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/302 , G01N21/88
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/9505 , G01N2021/8461
摘要： 此处公开用于刻画SiGe合金层上的薄Si层中的晶体缺陷的方法。该方法使用对Si具有高度缺陷选择性的缺陷腐蚀剂。将Si腐蚀至缺陷坑能达到下层SiGe层的厚度。然后使用与缺陷腐蚀剂相同或不同的第二腐蚀剂，腐蚀坑下的SiGe层而保持Si完整。
-
公开(公告)号：CN106463444A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480070711.4
申请日：2014-12-19
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 黄鲁平
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
CPC分类号： H01L21/6838 , G01N21/9503 , G01N2021/8461 , H01L21/68728 , Y10T29/49998 , Y10T279/11
摘要： 一种非接触晶片夹持设备包含晶片卡盘和耦合到所述晶片卡盘的一部分的夹具组合件。所述晶片卡盘包含加压气体元件，其经配置以跨所述晶片卡盘的表面产生加压气体区域，所述加压气体区域适合于将所述晶片提升到所述晶片卡盘的所述表面上方。所述晶片卡盘进一步包含真空元件，其经配置以跨所述晶片卡盘的所述表面产生减压区域，所述减压区域具有低于所述加压气体区域的压力。所述减压区域适合于将所述晶片紧固在所述晶片卡盘上方而不接触所述晶片卡盘。所述夹持设备包含旋转驱动单元，其经配置以选择性地旋转所述晶片卡盘。夹具元件可逆地耦合到所述晶片的边缘部分，以便紧固所述晶片，使得所述晶片和夹具组合件与所述晶片卡盘同步地旋转。
-
公开(公告)号：CN1601274A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410068370.5
申请日：2004-08-31
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 斯蒂芬·W·拜德尔 , 基思·E·佛格尔 , 德温得拉·K·萨达纳
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/9505 , G01N2021/8461
摘要： 此处公开用于刻画SiGe合金层上的薄Si层中的晶体缺陷的方法。该方法使用对Si具有高度缺陷选择性的缺陷腐蚀剂。将Si腐蚀至缺陷坑能达到下层SiGe层的厚度。然后使用与缺陷腐蚀剂相同或不同的第二腐蚀剂，腐蚀坑下的SiGe层而保持Si完整。
-
公开(公告)号：CN108445002A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810210937.X
申请日：2018-03-14
申请人： 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
IPC分类号： G01N21/84 , G01N21/29 , G01N21/25 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/2206 , G01N1/28 , G01N1/32
CPC分类号： G01N21/84 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N21/25 , G01N21/29 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/2206 , G01N2021/8461
摘要： 本发明提供了一种钒钛烧结矿中硅酸盐物相的鉴定方法，涉及物相鉴定技术领域。本发明的实施例通过对钒钛矿进行预处理，然后依次进行精细磨抛，制备薄片样品、鉴别薄片样品的颜色和晶型以及对各硅酸盐的物相元素含量进行测定可以均匀、方便、高效、准确的进行烧结矿中物相的鉴定，保证测定数据的可靠性，搞清楚钒钛烧结矿中主要金属矿物的种类和结构，为后期评估钒钛烧结矿的冶金性能提供技术支撑，从而可以根据烧结矿中物相的组成、结构和嵌布特征与钒钛烧结矿的冶金性能对烧结和高炉生产进行调整，对于降低固体燃耗、提高烧结矿强度、降低高炉综合焦比等指标具有重要的理论指导意义，可推广应用于各实验室、生产现场的检验和研究院所。
-
公开(公告)号：CN103026216B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180036274.0
申请日：2011-06-08
申请人： DCG系统有限公司 , 弗劳恩霍弗应用技术研究院
IPC分类号： G01N25/72
CPC分类号： G01J5/0066 , G01J2005/0077 , G01J2005/0085 , G01N1/00 , G01N21/35 , G01N21/88 , G01N25/00 , G01N2021/8461 , G01R31/311
摘要： 一种利用锁相热像（LIT）对电子器件架构中掩埋热点进行3D定位的非破坏性方法。3D分析基于热波通过不同材料层的传播原理和所得的相移/热时间延迟。对于更复杂的多层叠置管芯架构，必须在不同激励频率下采集多个LIT结果以进行热点的精确深度定位。此外，可以使用在热点位置顶部最小化视场中测量的多个时间分辨的热波形加快数据采集。可以分析所得波形的形状以进一步提高检测精确度和置信水平。
-
公开(公告)号：CN103026216A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036274.0
申请日：2011-06-08
申请人： DCG系统有限公司 , 弗劳恩霍弗应用技术研究院
IPC分类号： G01N25/72
CPC分类号： G01J5/0066 , G01J2005/0077 , G01J2005/0085 , G01N1/00 , G01N21/35 , G01N21/88 , G01N25/00 , G01N2021/8461 , G01R31/311
摘要： 一种利用锁相热像（LIT）对电子器件架构中掩埋热点进行3D定位的非破坏性方法。3D分析基于热波通过不同材料层的传播原理和所得的相移/热时间延迟。对于更复杂的多层叠置管芯架构，必须在不同激励频率下采集多个LIT结果以进行热点的精确深度定位。此外，可以使用在热点位置顶部最小化视场中测量的多个时间分辨的热波形加快数据采集。可以分析所得波形的形状以进一步提高检测精确度和置信水平。
-
公开(公告)号：CN105453243B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201480025735.8
申请日：2014-02-05
申请人： 鲁道夫技术公司 , 科罗拉多州立大学董事会法人团体
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20 , G01N21/00 , G01N21/1702 , G01N21/41 , G01N21/9501 , G01N29/04 , G01N29/2418 , G01N2021/8461 , G01N2201/06113 , G01N2291/011 , G01N2291/028 , G01N2291/0423 , G01N2291/0426 , H01L21/0231 , H01L21/78 , H01L22/00 , H01L22/10 , H01L22/12
摘要： 本文公开了一种用于识别形成到基底中的结构的一个或多个特征的系统和方法。在所述基底中诱发表面声波和体声波并使其行进通过其中感测到所述声波的所感兴趣的结构。将与所述结构的一个或多个特征有关的信息编码在所述波中。对所编码的信息进行评估以确定所述所感兴趣的特征。
-
公开(公告)号：CN105453243A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480025735.8
申请日：2014-02-05
申请人： 鲁道夫技术公司 , 科罗拉多州立大学董事会法人团体
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20 , G01N21/00 , G01N21/1702 , G01N21/41 , G01N21/9501 , G01N29/04 , G01N29/2418 , G01N2021/8461 , G01N2201/06113 , G01N2291/011 , G01N2291/028 , G01N2291/0423 , G01N2291/0426 , H01L21/0231 , H01L21/78 , H01L22/00 , H01L22/10 , H01L22/12
摘要： 本文公开了一种用于识别形成到基底中的结构的一个或多个特征的系统和方法。在所述基底中诱发表面声波和体声波并使其行进通过其中感测到所述声波的所感兴趣的结构。将与所述结构的一个或多个特征有关的信息编码在所述波中。对所编码的信息进行评估以确定所述所感兴趣的特征。
-
公开(公告)号：CN104641460A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380032696.X
申请日：2013-06-20
申请人： 相干激光系统有限公司
发明人： P·范德威尔特
CPC分类号： C30B13/24 , B23K26/0622 , B23K26/083 , B23K26/355 , C30B13/28 , C30B29/06 , G01N21/4788 , G01N21/8422 , G01N2021/8461 , G01N2021/8477 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L22/12
摘要： 公开了一种方法，用于评估利用形成受激准分子激光的脉冲的辐射而结晶的硅层。结晶在结晶层上根据该层所暴露的脉冲中的数量和能量密度产生周期性特征。光对层的区域进行照明。检测器被布置成检测从照明区域衍射的光并且根据衍射光确定该层所暴露的脉冲中的能量密度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.013 秒)
