公开(公告)号：CN103969276B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201410058293.9

申请日：2014-01-29

Applicant: 布鲁克AXS有限公司

Inventor： A·维格里安泰

IPC: G01N23/223

CPC classification number: G01N23/223 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G01N23/20025 ,  G01N2223/076 ,  G01N2223/6116 ,  G01N2223/652

Abstract: 公开了用于检测晶片的斜面上的污染物的XRF测量设备。XRF(x射线荧光)测量设备(1)包括：x射线源(2)，用于产生x射线(4)，x射线光学元件(3)，用于将来自x射线源(2)的x射线(4)引导至样品(5)，样品(5)，和EDS(能量色散谱)检测器(7)，用于检测来自样品(5)的荧光x射线(14)，其特征在于，样品(5)是晶片(6)，特别是硅晶片，其中，x射线光学元件(3)被定位为将x射线(4)引导至晶片(6)的斜面(12)上，并且x射线源(2)加上x射线光学元件(3)具有至少是5×107计数／秒平方毫米的亮度，优选地具有至少是1×108计数／秒平方毫米的亮度。本发明允许改进对晶片的污染物控制，特别是硅晶片。

公开(公告)号：CN103969276A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410058293.9

申请日：2014-01-29

Applicant: 布鲁克AXS有限公司

Inventor： A·维格里安泰

IPC: G01N23/223

CPC classification number: G01N23/223 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G01N23/20025 ,  G01N2223/076 ,  G01N2223/6116 ,  G01N2223/652

Abstract: 公开了用于检测晶片的斜面上的污染物的XRF测量设备。XRF(x射线荧光)测量设备(1)包括：x射线源(2)，用于产生x射线(4)，x射线光学元件(3)，用于将来自x射线源(2)的x射线(4)引导至样品(5)，样品(5)，和EDS(能量色散谱)检测器(7)，用于检测来自样品(5)的荧光x射线(14)，其特征在于，样品(5)是晶片(6)，特别是硅晶片，其中，x射线光学元件(3)被定位为将x射线(4)引导至晶片(6)的斜面(12)上，并且x射线源(2)加上x射线光学元件(3)具有至少是5×107计数／秒平方毫米的亮度，优选地具有至少是1×108计数／秒平方毫米的亮度。本发明允许改进对晶片的污染物控制，特别是硅晶片。