前端模块和通信终端
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1503591A

    公开(公告)日:2004-06-09

    申请号:CN200310114829.6

    申请日:2003-11-07

    CPC classification number: H04B1/48 H04B1/0475

    Abstract: 一种小型的前端模块被提供,该前端模块用在诸如移动电话的无线通信设备中,并且它可以将谐波抑制到充分低的电平。该前端模块具有至少一个用于在发射系统和接收系统之间切换一个天线的开关电路、用于将发射信号的功率放大的功率放大器和插入到该开关电路和功率放大器之间的低通滤波器。这些组件被集成。第一种谐波从该开关电路朝该功率放大器产生并被该低通滤波器反射。第二种谐波从该功率放大器朝天线产生。第三种谐波从该开关电路朝该天线产生。第三种谐波被反射的第一种谐波以及第二种谐波抵消。

    电路基板及其制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111385971B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN201911356395.8

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明提供一种实现高密度安装,并提高了通孔导体的连接可靠性的电路基板。内置半导体IC电路基板(100)具备导体层(L2、L3)、位于导体层(L2)和导体层(L3)之间的绝缘层(112、113)、以及形成于贯通绝缘层(112、113)而设置的通孔(253a)的内部并连接导体层(L2)和导体层(L3)的通孔导体(253)。通孔(253a)具有沿深度方向直径缩小的形状。通孔(253a)包括位于导体层(L2)侧的区间(S1)和位于导体层(L3)侧的区间(S2),区间(S1)的每单位深度的直径的缩小量大于区间(S2)的每单位深度的直径的缩小量。由此,缓和位于通孔(253a)的区间(S1)的端部的边缘的角度θ1,因此,可提高通孔导体(253)的连接可靠性。

    电子电路模块以及其制造方法

    公开(公告)号:CN107424981B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN201710236573.8

    申请日:2017-04-12

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种容易而且切实地将被形成于铸模树脂的上表面的金属屏蔽连接于电源图形的电子电路模块,具备:基板(20),具有电源图形(24);电子部件(32),被搭载于基板(20)的表面(21);铸模树脂(40),以埋入电子部件(32)的形式覆盖基板(20)的表面(21);金属屏蔽(50),覆盖铸模树脂(40);贯通导体(60),贯通铸模树脂(40)而设置并连接金属屏蔽(50)和电源图形(24)。根据本发明,因为金属屏蔽(50)和电源图形(24)通过贯通铸模树脂(40)的贯通导体(60)被连接,所以没有必要将连接用金属导体形成于电子电路模块的侧面,并且制造变得容易。而且,因为金属屏蔽(50)切实地被贯通导体(60)连接于电源图形(24),所以对于连接可靠性来说也有大幅度提高。

    传感器用封装基板及具备其的传感器模块以及电子部件内置基板

    公开(公告)号:CN112447653A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN201910815152.X

    申请日:2019-08-30

    Abstract: 本发明涉及传感器用封装基板及具备其的传感器模块以及电子部件内置基板。在传感器用封装基板中,缩短连接传感器芯片和电子部件的配线的配线距离并且缩小基板的面积。传感器用封装基板(100)具备用于搭载传感器芯片的搭载区域(A)和与传感器芯片连接的控制器芯片(150),且具有设置于俯视时与搭载区域重叠的位置且从一表面(101)贯通到另一表面(102)的贯通孔(V1),搭载区域和控制器芯片俯视时具有重叠。根据本发明,通过减薄绝缘层(113、114)的厚度,不仅能够缩短连接传感器芯片和控制器芯片的配线的配线距离,还能缩小基板的面积。另外,对于传感器芯片,能够经由贯通孔检测成为测定对象的物理量。

    电路基板及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111385971A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201911356395.8

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明提供一种实现高密度安装,并提高了通孔导体的连接可靠性的电路基板。内置半导体IC电路基板(100)具备导体层(L2、L3)、位于导体层(L2)和导体层(L3)之间的绝缘层(112、113)、以及形成于贯通绝缘层(112、113)而设置的通孔(253a)的内部并连接导体层(L2)和导体层(L3)的通孔导体(253)。通孔(253a)具有沿深度方向直径缩小的形状。通孔(253a)包括位于导体层(L2)侧的区间(S1)和位于导体层(L3)侧的区间(S2),区间(S1)的每单位深度的直径的缩小量大于区间(S2)的每单位深度的直径的缩小量。由此,缓和位于通孔(253a)的区间(S1)的端部的边缘的角度θ1,因此,可提高通孔导体(253)的连接可靠性。

    半导体IC内藏基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN106024725B

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201610346620.X

    申请日:2013-09-22

    Abstract: 本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中,准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔(112a)的预浸料坯(111a)。接着,将半导体IC(120)容纳于贯通孔(112a),通过在该状态下热压预浸料坯(111a)而使树脂的一部分流入到贯通孔(112a),由此由流入的树脂将容纳在贯通孔(112a)的半导体IC(120)埋入。在本发明中,在半导体IC(120)的上下没有芯材的状态下,由流入的树脂将半导体IC(120)埋入,因而可以得到在半导体IC(120)的上下不存在芯部的超薄型构造。

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