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公开(公告)号：CN1228068A
公开(公告)日：1999-09-08
申请号：CN98800759.2
申请日：1998-06-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C03C10/0054 , C03C14/004 , C03C14/006 , C03C2214/16 , C03C2214/20
Abstract: 本发明提供了由5%～40%重量的硅酸锌弥散于作为基质的35%～75%重量的硼硅酸盐玻璃中而组成的一种非磁性陶瓷，该硼硅酸盐玻璃中SiO2和B2O3含量为：SiO2＝70～90%重量；B2O3＝10～30%重量。利用该非磁性陶瓷可制得多层陶瓷电感。当该陶瓷用作含有电感部分的多层陶瓷部件时，它有低介电常数和良好的高频带特性，能够低温烧成从而使得能使用银电极，能防止烧成后晶片变形和出现裂纹，并且能提供高机械强度。
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公开(公告)号：CN106024725B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610346620.X
申请日：2013-09-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/60 , H05K1/18 , H05K3/00 , H01L21/56 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔(112a)的预浸料坯(111a)。接着，将半导体IC(120)容纳于贯通孔(112a)，通过在该状态下热压预浸料坯(111a)而使树脂的一部分流入到贯通孔(112a)，由此由流入的树脂将容纳在贯通孔(112a)的半导体IC(120)埋入。在本发明中，在半导体IC(120)的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC(120)埋入，因而可以得到在半导体IC(120)的上下不存在芯部的超薄型构造。
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公开(公告)号：CN101355857B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810144212.1
申请日：2008-07-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05K1/185 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/04105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H05K3/0052 , H05K3/4644 , H05K2201/10204 , H05K2201/10636 , H05K2201/10674 , Y02P70/611 , Y10T29/49155 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种不需要繁杂的工序的低成本且能够抑制弯曲的发生、生产率和经济性优异的电子部件内置基板的制造方法。工作片(100)在大致为矩形的基体(11)的一个面上具有绝缘层(21、31)，在绝缘层(21)的内部埋设有电子部件(41)和以与该电子部件(41)的主材料相同的材料为主材料的芯片状仿真部件(51)。式中，芯片状仿真部件(51)例如以包围多个电子部件(41)的方式框状地配置在电子部件(41)的非载置部上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024725A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610346620.X
申请日：2013-09-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/60 , H05K1/18 , H05K3/00 , H01L21/56 , H01L23/495
CPC classification number: H05K1/03 , H01L21/4846 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/49572 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H05K1/188 , H05K3/007 , H05K3/305 , H05K2201/068 , H05K2203/0152 , Y10T29/4913
Abstract: 本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔(112a)的预浸料坯(111a)。接着，将半导体IC(120)容纳于贯通孔(112a)，通过在该状态下热压预浸料坯(111a)而使树脂的一部分流入到贯通孔(112a)，由此由流入的树脂将容纳在贯通孔(112a)的半导体IC(120)埋入。在本发明中，在半导体IC(120)的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC(120)埋入，因而可以得到在半导体IC(120)的上下不存在芯部的超薄型构造。
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公开(公告)号：CN101355857A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810144212.1
申请日：2008-07-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05K1/185 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/04105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H05K3/0052 , H05K3/4644 , H05K2201/10204 , H05K2201/10636 , H05K2201/10674 , Y02P70/611 , Y10T29/49155 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种不需要繁杂的工序的低成本且能够抑制弯曲的发生、生产率和经济性优异的电子部件内置基板的制造方法。工作片(100)在大致为矩形的基体(11)的一个面上具有绝缘层(21、31)，在绝缘层(21)的内部埋设有电子部件(41)和以与该电子部件(41)的主材料相同的材料为主材料的芯片状仿真部件(51)。式中，芯片状仿真部件(51)例如以包围多个电子部件(41)的方式框状地配置在电子部件(41)的非载置部上。
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公开(公告)号：CN103681526B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310432296.X
申请日：2013-09-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05K1/03 , H01L21/4846 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/49572 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H05K1/188 , H05K3/007 , H05K3/305 , H05K2201/068 , H05K2203/0152 , Y10T29/4913
Abstract: 本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔（112a）的预浸料坯（111a）。接着，将半导体IC（120）容纳于贯通孔（112a），通过在该状态下热压预浸料坯（111a）而使树脂的一部分流入到贯通孔（112a），由此由流入的树脂将容纳在贯通孔（112a）的半导体IC（120）埋入。在本发明中，在半导体IC（120）的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC（120）埋入，因而可以得到在半导体IC（120）的上下不存在芯部的超薄型构造。
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公开(公告)号：CN103681526A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310432296.X
申请日：2013-09-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05K1/03 , H01L21/4846 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/49572 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H05K1/188 , H05K3/007 , H05K3/305 , H05K2201/068 , H05K2203/0152 , Y10T29/4913
Abstract: 本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔（112a）的预浸料坯（111a）。接着，将半导体IC（120）容纳于贯通孔（112a），通过在该状态下热压预浸料坯（111a）而使树脂的一部分流入到贯通孔（112a），由此由流入的树脂将容纳在贯通孔（112a）的半导体IC（120）埋入。在本发明中，在半导体IC（120）的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC（120）埋入，因而可以得到在半导体IC（120）的上下不存在芯部的超薄型构造。
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公开(公告)号：CN1241870C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN98800759.2
申请日：1998-06-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C03C10/0054 , C03C14/004 , C03C14/006 , C03C2214/16 , C03C2214/20
Abstract: 本发明提供了由5%～40%重量的硅酸锌弥散于作为基质的35%～75%重量的硼硅酸盐玻璃中而组成的一种非磁性陶瓷，该硼硅酸盐玻璃中SiO2和B2O3含量为：SiO2＝70～90%重量；B2O3＝10～30%重量。利用该非磁性陶瓷可制得多层陶瓷电感。当该陶瓷用作含有电感部分的多层陶瓷部件时，它有低介电常数和良好的高频带特性，能够低温烧成从而使得能使用银电极，能防止烧成后晶片变形和出现裂纹，并且能提供高机械强度。
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