公开(公告)号：CN111357116B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201880074216.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且使用了能够适用于p井层的p型氧化物半导体膜。一种半导体装置，至少包括n型半导体层和p+型半导体层，其中所述n型半导体层包含含有周期表第13族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化镓等)作为主成分，并且，p+型半导体层包含含有周期表第9族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化铱等)作为主成分。

公开(公告)号：CN115943498A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180050839.4

申请日：2021-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳田秀彰 ,  四户孝 ,  安藤裕之 ,  松原佑典 ,  北角英人

IPC: H01L29/872

Abstract: 提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；多个电阻元件，与所述多个PN结二极管分别并联连接，并且相互被串联连接；以及肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接。

公开(公告)号：CN115053355A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013173.5

申请日：2021-02-05

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

Abstract: 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。

公开(公告)号：CN114836833A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210479527.1

申请日：2018-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 大岛佑一 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/04

Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。

公开(公告)号：CN112424950A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046763.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝 ,  雨堤耕史

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H02M3/28

Abstract: 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，在n型半导体层(例如，将氧化物半导体作为主成分包含的n型半导体层等)与电极之间设置有一个或两个以上的p型半导体(例如，经p型掺杂的结晶性氧化物半导体等)，所述半导体装置的特征在于，所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中，并且从所述n型半导体层向所述电极内突出。

公开(公告)号：CN111357117B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN201880074284.5

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  杉本雅裕 ,  四户孝

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且实现优良的半导体特性。提供一种半导体装置，至少包含一闸电极和一通道层，该通道层直接或隔着其他层，在该闸电极的侧壁形成通道，其中，该通道层的一部分或全部包含p型氧化物半导体(例如氧化铱)。

公开(公告)号：CN109427915B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810972334.3

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。

公开(公告)号：CN109628910B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201811147185.3

申请日：2018-09-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳生慎悟 ,  佐佐木貴博 ,  渡边宜郎 ,  四户孝

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 在本发明主题的第一方面中，形成膜的方法包括将至少包括第一化学元素和第二化学元素的原料转化成雾化的液滴；通过使用载气将至少包括第一化学元素和第二化学元素的雾化的液滴携带在物体上；和使雾化的液滴反应而在物体上形成至少包括第一化学元素和第二化学元素的膜。第一化学元素选自周期表的14族元素和15族元素。第二化学元素选自周期表的d区元素、13族元素和14族元素并且与第一化学元素不同。

公开(公告)号：CN115053354A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013128.X

申请日：2021-02-05

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。

公开(公告)号：CN112424946A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046475.5

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶至少含有氧化镓。