公开(公告)号：CN113795928A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080032665.4

申请日：2020-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村川努 ,  安藤善范 ,  掛端哲弥 ,  佐藤优一 ,  方堂凉太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物的侧面接触的第一层及第二层；第一绝缘体、第一层、第二层、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；配置在第一导电体与第二导电体之间且第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第四绝缘体；以及第四绝缘体上的第三导电体，其中，第一层及第二层各自包含第一导电体及第二导电体所含有的金属，并且，与第二绝缘体接触的区域中的第一绝缘体具有金属的浓度比第一层或第二层低的区域。

公开(公告)号：CN114223060A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202080057006.6

申请日：2020-08-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  安藤善范 ,  方堂凉太 ,  广濑贵史

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。在该半导体装置中，晶体管包括：氧化物半导体；氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第二导电体上的第二绝缘体；配置在第一绝缘体及第二绝缘体上且其中以重叠于第一导电体与第二导电体间的区域的方式形成第一开口的第三绝缘体；氧化物半导体上且配置在第一导电体与第二导电体间的第四绝缘体；以及第四绝缘体上的第三导电体，电容器包括：第二导电体；形成有到达第二导电体的第二开口的第三绝缘体；配置在第二开口内部的第五绝缘体；以及第五绝缘体上的第四导电体，插头穿过第一绝缘体、第三绝缘体、第一导电体及氧化物半导体，插头与第一导电体电连接，第一绝缘体及第二绝缘体是具有非晶结构的金属氧化物。

公开(公告)号：CN105659369B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201480057867.9

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：CN115997276A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202180052289.X

申请日：2021-08-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  山根靖正 ,  安藤善范 ,  小森茂树 ,  方堂凉太 ,  大贯达也 ,  笹川慎也

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种晶体管特性不均匀少的半导体装置。该半导体装置包括第一器件层至第n(n为2以上的自然数)器件层，该器件层分别包括第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、第三阻挡绝缘膜、氧化物半导体器件、第一导电体及第二导电体，第一器件层至第n器件层中，在第一阻挡绝缘膜上配置氧化物半导体器件，以覆盖氧化物半导体器件的方式配置第二阻挡绝缘膜，通过在第二阻挡绝缘膜形成的开口以与氧化物半导体器件电连接的方式配置第一导电体，在第一导电体上配置第二导电体，在第二导电体及第二阻挡绝缘膜上配置第三阻挡绝缘膜，第一阻挡绝缘膜至第三阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。

公开(公告)号：CN114424339A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065554.3

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 太田将志 ,  安藤善范 ,  长塚修平 ,  越田树 ,  大下智 ,  方堂凉太 ,  津田一树 ,  铃木阳夫

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种适于高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的设置有包括氧化物半导体的第一晶体管的第一层；第一层上的第二层；第二层上的设置有包括氧化物半导体的第二晶体管的第三层；第一层与第二层间的第四层；以及第二层与第三层间的第五层，其中，第一层的总内部应力和第三层的总内部应力作用于第一方向上，第二层的总内部应力作用于与第一方向相反的方向上，并且，第四层及第五层包括具有阻挡性的层。

公开(公告)号：CN110571278A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910878492.7

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/822 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：CN105659369A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480057867.9

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。