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公开(公告)号：CN101276793A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086690.1
申请日：2008-03-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/492 , H01L23/13 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L23/562 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括具有半导体芯片的叠层结构，上述叠层结构的一部分被树脂密封；上述叠层结构的最上部具有应力减轻部，该应力减轻部形成为具有平坦顶面的凸部，用于减轻在进行树脂密封时的应力；在上述最上部的外缘区域中，上述应力减轻部形成为环状并与密封树脂接触；由此，能够提高其最上部构件露出的半导体装置的成品率。
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公开(公告)号：CN101095215A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580014869.0
申请日：2005-05-12
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J163/00 , H01L21/52
CPC classification number: C08G59/08 , C08G59/3209 , C08G59/44 , C08G59/686 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/92247 , H01L2225/06575 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , Y02P20/582 , Y10T428/14 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的目的在于减低所谓的层叠型半导体装置在层叠时产生的对接合线的损伤，同时消除因粘接各半导体芯片的粘接剂层的厚度精度不佳而导致的半导体装置的高度的不均、从基板到最上层的半导体芯片的表面的高度的不均、以及最上层的半导体芯片的倾斜等。为了实现上述目的，本发明的切割·芯片接合兼用粘接片的特征在于，由基材和可剥离地层叠于该基材上的粘接剂层构成，该粘接剂层具备常温压敏粘接性和热固性，热固化前的粘接剂层的弹性模量为1.0×103～1.0×104Pa，热固化前的粘接剂层的120℃下的熔融粘度为100～200Pa·秒，使热固化前的粘接剂层保持在120℃的温度下时，其熔融粘度达到最小值的时间在60秒以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104541366A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380041465.5
申请日：2013-08-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L24/17 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4952 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/1134 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/1184 , H01L2224/11849 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13664 , H01L2224/16058 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/16245 , H01L2224/16258 , H01L2224/32225 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73265 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/812 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81395 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/81898 , H01L2224/94 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45664
Abstract: 本发明提供通过使在第一电子部件(基板(2)或半导体元件(A1))形成的第一突起电极(凸点(A5))与在第二电子部件(半导体元件(B11))形成的第二突起电极(凸点(B6))连接而构成的半导体装置的安装结构，第一突起电极和第二突起电极由不同的金属材料形成，第一突起电极比第二突起电极硬，第一突起电极具有尖头形状，被埋入第二突起电极中。
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公开(公告)号：CN100479105C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580014869.0
申请日：2005-05-12
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J163/00 , H01L21/52
CPC classification number: C08G59/08 , C08G59/3209 , C08G59/44 , C08G59/686 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/92247 , H01L2225/06575 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , Y02P20/582 , Y10T428/14 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的目的在于减低所谓的层叠型半导体装置在层叠时产生的对接合线的损伤，同时消除因粘接各半导体芯片的粘接剂层的厚度精度不佳而导致的半导体装置的高度的不均、从基板到最上层的半导体芯片的表面的高度的不均、以及最上层的半导体芯片的倾斜等。为了实现上述目的，本发明的切割·芯片接合兼用粘接片的特征在于，由基材和可剥离地层叠于该基材上的粘接剂层构成，该粘接剂层具备常温压敏粘接性和热固性，热固化前的粘接剂层的弹性模量为1.0×103～1.0×104Pa，热固化前的粘接剂层的120℃下的熔融粘度为100～200Pa·秒，使热固化前的粘接剂层保持在120℃的温度下时，其熔融粘度达到最小值的时间在60秒以下。
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公开(公告)号：CN101060115A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710097085.X
申请日：2007-04-17
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 福井靖树
IPC: H01L25/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/16145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2224/731 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供一种半导体装置(1)。该半导体装置(1)具有：第1半导体芯片(2)；第2半导体芯片(3)；以及被第1半导体芯片(2)和第2半导体芯片(3)夹持并且粘合第1半导体芯片(2)的粘合层(5)，其中，第2半导体芯片(3)层叠在第1半导体芯片(2)上使得第2半导体芯片(3)的一部分突出于第1半导体芯片(2)的外缘之外，在这种结构中，上述粘合层5粘合第1半导体芯片(2)，而不接触第1半导体芯片(2)的上述外缘部分。因此，能够提供一种高可靠性(耐久性)的层叠结构的半导体装置。
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公开(公告)号：CN100373616C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200310114834.7
申请日：2003-11-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/32 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在搭载于基板上的第1半导体芯片上重叠，搭载在电路形成面的背面一侧形成了搭载用粘接层的第2半导体芯片的情况下，搭载用粘接层起到粘接剂的作用的同时，还起到支撑从第1半导体芯片的外缘突出的第2半导体芯片的突出部分的支撑部件的作用，在这样的半导体装置中，能够稳定地把第2半导体芯片与基板进行引线连接。
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公开(公告)号：CN1505150A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310114834.7
申请日：2003-11-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/32 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在搭载于基板上的第1半导体芯片上重叠，搭载在电路形成面的背面一侧形成了搭载用粘接层的第2半导体芯片的情况下，搭载用粘接层起到粘接剂的作用的同时，还起到支撑从第1半导体芯片的外缘突出的第2半导体芯片的突出部分的支撑部件的作用，在这样的半导体装置中，能够稳定地把第2半导体芯片与基板进行引线连接。
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