公开(公告)号：CN100479105C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200580014869.0

申请日：2005-05-12

Applicant: 夏普株式会社 ,  琳得科株式会社

Inventor： 福井靖树 ,  山崎修 ,  佐伯尚哉

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: C08G59/08 ,  C08G59/3209 ,  C08G59/44 ,  C08G59/686 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  Y02P20/582 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的在于减低所谓的层叠型半导体装置在层叠时产生的对接合线的损伤，同时消除因粘接各半导体芯片的粘接剂层的厚度精度不佳而导致的半导体装置的高度的不均、从基板到最上层的半导体芯片的表面的高度的不均、以及最上层的半导体芯片的倾斜等。为了实现上述目的，本发明的切割·芯片接合兼用粘接片的特征在于，由基材和可剥离地层叠于该基材上的粘接剂层构成，该粘接剂层具备常温压敏粘接性和热固性，热固化前的粘接剂层的弹性模量为1.0×103～1.0×104Pa，热固化前的粘接剂层的120℃下的熔融粘度为100～200Pa·秒，使热固化前的粘接剂层保持在120℃的温度下时，其熔融粘度达到最小值的时间在60秒以下。

公开(公告)号：CN101095215A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200580014869.0

申请日：2005-05-12

Applicant: 夏普株式会社 ,  琳得科株式会社

Inventor： 福井靖树 ,  山崎修 ,  佐伯尚哉

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: C08G59/08 ,  C08G59/3209 ,  C08G59/44 ,  C08G59/686 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  Y02P20/582 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的在于减低所谓的层叠型半导体装置在层叠时产生的对接合线的损伤，同时消除因粘接各半导体芯片的粘接剂层的厚度精度不佳而导致的半导体装置的高度的不均、从基板到最上层的半导体芯片的表面的高度的不均、以及最上层的半导体芯片的倾斜等。为了实现上述目的，本发明的切割·芯片接合兼用粘接片的特征在于，由基材和可剥离地层叠于该基材上的粘接剂层构成，该粘接剂层具备常温压敏粘接性和热固性，热固化前的粘接剂层的弹性模量为1.0×103～1.0×104Pa，热固化前的粘接剂层的120℃下的熔融粘度为100～200Pa·秒，使热固化前的粘接剂层保持在120℃的温度下时，其熔融粘度达到最小值的时间在60秒以下。

公开(公告)号：CN111466014B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201880079841.2

申请日：2018-03-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  古野健太

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有具备基材且在所述基材上具备粘着剂层的支撑片，并在所述支撑片中的粘着剂层上具有保护膜形成用膜，所述基材的所述粘着剂层侧的面为凹凸面，从所述保护膜形成用复合片的5处裁切试验片，并分别对这5片试验片的所述保护膜形成用膜与所述支撑片的非贴合区域的层间距离进行测定时，所述层间距离为0.5μm以下。

公开(公告)号：CN112625609B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202011201640.0

申请日：2016-03-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小桥力也 ,  佐伯尚哉 ,  米山裕之

IPC: C09J7/20 ,  C09J7/30 ,  B32B27/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/06 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B33/00 ,  B32B27/26 ,  C09J11/04 ,  C09J133/12 ,  C09J163/02 ,  C09J163/00 ,  C09J11/06 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供再剥离性优异的树脂膜形成用片、以及具有该树脂膜形成用片和支撑体直接叠层而成的结构的树脂膜形成用复合片，所述树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，待与硅晶片粘贴一侧的该片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为40nm以上。

公开(公告)号：CN113286860B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202080007514.3

申请日：2020-01-24

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小田直士 ,  坂本美纱季 ,  山口征太郎 ,  佐伯尚哉

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  C09J133/04 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供一种工件加工用粘着片，其具备基材和层叠在所述基材的单面上的粘着剂层，所述粘着剂层由活性能量射线固化性的粘着剂构成，该粘着剂由含有在侧链导入有活性能量射线固化性基团的丙烯酸类聚合物的粘着性组合物形成，所述丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度(Tg)为‑80℃以上、‑30℃以下，在所述基材的与所述粘着剂层接触的面上形成有含有吡咯烷酮类化合物的涂层。根据该工件加工用粘着片，可抑制工件上的残胶。

公开(公告)号：CN113286860A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202080007514.3

申请日：2020-01-24

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小田直士 ,  坂本美纱季 ,  山口征太郎 ,  佐伯尚哉

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  C09J133/04 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供一种工件加工用粘着片，其具备基材和层叠在所述基材的单面上的粘着剂层，所述粘着剂层由活性能量射线固化性的粘着剂构成，该粘着剂由含有在侧链导入有活性能量射线固化性基团的丙烯酸类聚合物的粘着性组合物形成，所述丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度(Tg)为‑80℃以上、‑30℃以下，在所述基材的与所述粘着剂层接触的面上形成有含有吡咯烷酮类化合物的涂层。根据该工件加工用粘着片，可抑制工件上的残胶。

公开(公告)号：CN113169059A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080164.0

申请日：2019-11-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉

IPC: H01L21/301

Abstract: 本发明中，将保护膜形成用复合片(101)中的背面抗静电层(17)的表面电阻率设为1.0×1011Ω/□以下，将从于70℃加热1分钟后的保护膜形成用复合片(101)中切取的试验片与多孔工作台之间的摩擦力设为20N以下，所述保护膜形成用复合片(101)具备支撑片(10)与形成在支撑片(10)的第一面(10a)上的保护膜形成用膜(13)。

公开(公告)号：CN107615454B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201680032214.4

申请日：2016-06-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  佐伯尚哉 ,  小桥力也

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具有：基材、具有活性能量线固化性的粘合剂层、及具有热固性的保护膜形成用膜，其中，该保护膜形成用复合片用于通过下述方式制造带保护膜的半导体芯片：将该保护膜形成用复合片通过该保护膜形成用膜而粘贴于半导体晶片的背面之后，使该保护膜形成用膜固化成为保护膜，接着，在对该半导体晶片进行切割而得到半导体芯片之后，使该粘合剂层固化，然后将该半导体芯片连同该保护膜一起进行拾取，由此制造带保护膜的半导体芯片，该粘合剂层至少在与所述保护膜形成用膜接触的层中含有(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物，该共聚物具有由构成烷基酯的烷基的碳原子数为8以上的(甲基)丙烯酸烷基酯衍生的结构单元。

公开(公告)号：CN111630631A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880086844.9

申请日：2018-03-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  古野健太

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种支撑片，其具备基材，且在基材上具备粘着剂层，基材的粘着剂层侧的面为凹凸面，从支撑片的5处切取大小为3mm×3mm的试验片，并求出这5片试验片中的粘着剂层的所述基材侧的相邻的凸部的顶点间的间距的平均值时，所述间距的平均值为3μm以上且小于15μm。保护膜形成用复合片在该支撑片中的粘着剂层上具备保护膜形成用膜。

公开(公告)号：CN107004590B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201580067876.0

申请日：2015-08-04

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 吾妻祐一郎 ,  佐伯尚哉

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/30 ,  C09J7/20 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合片，其具有基材、和形成在基材上的含有染料的粘接剂层，所述粘接剂层的所述染料的含量为8.3质量％以下，所述基材与所述粘接剂层之间的L*a*b*表色系统的色差为30～53。