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公开(公告)号：CN112625273B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202011052297.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L33/08 , C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K3/08 , C08K5/544 , C08K3/04 , C08K5/00 , C08K5/3467 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/32 , B32B27/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其为用于在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，利用保护膜的波长1400～1500nm下的吸光度的最小值Xmin与保护膜的60℃下的比热S60，且通过式：Z60＝Xmin/S60计算出的Z60为0.6以下。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。
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公开(公告)号：CN111149191B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201880063272.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J133/04
Abstract: 本发明为一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的、利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R0为28原子％以下，且在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R100为20原子％以上、29原子％以下。该工件加工用片能够利用流水良好地去除附着于加工后的工件的源自粘着剂层的粘着剂，且同时可良好地分离加工后的工件。
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公开(公告)号：CN107236474B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201710196435.1
申请日：2017-03-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/06 , C08F220/18 , C08F220/14 , C08F220/28 , C08F8/30
Abstract: 本发明提供一种切割时不容易发生晶片飞散的玻璃切割用粘着片材、及其制造方法。所述玻璃切割用粘着片材具备基材、及层积于所述基材的至少一侧的面的粘着剂层，所述粘着剂层的厚度超过9μm且为40μm以下。
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公开(公告)号：CN113286860B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202080007514.3
申请日：2020-01-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/38 , C09J133/04 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种工件加工用粘着片，其具备基材和层叠在所述基材的单面上的粘着剂层，所述粘着剂层由活性能量射线固化性的粘着剂构成，该粘着剂由含有在侧链导入有活性能量射线固化性基团的丙烯酸类聚合物的粘着性组合物形成，所述丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度(Tg)为‑80℃以上、‑30℃以下，在所述基材的与所述粘着剂层接触的面上形成有含有吡咯烷酮类化合物的涂层。根据该工件加工用粘着片，可抑制工件上的残胶。
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公开(公告)号：CN113286860A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202080007514.3
申请日：2020-01-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/38 , C09J133/04 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种工件加工用粘着片，其具备基材和层叠在所述基材的单面上的粘着剂层，所述粘着剂层由活性能量射线固化性的粘着剂构成，该粘着剂由含有在侧链导入有活性能量射线固化性基团的丙烯酸类聚合物的粘着性组合物形成，所述丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度(Tg)为‑80℃以上、‑30℃以下，在所述基材的与所述粘着剂层接触的面上形成有含有吡咯烷酮类化合物的涂层。根据该工件加工用粘着片，可抑制工件上的残胶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111164737A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063268.6
申请日：2018-11-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J133/04
Abstract: 本发明为一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述粘着剂层由含有丙烯酸类共聚物的粘着剂组合物所形成的活性能量射线固化性粘着剂构成，所述丙烯酸类共聚物包含(甲基)丙烯酸烷氧基酯，关于所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F1，以及将所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时，进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F2，由粘着力的减小率(％)＝{(F1-F2)/F1}×100计算的粘着力的减小率为20％以上50％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物或所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
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公开(公告)号：CN106062928B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201580011622.7
申请日：2015-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/30 , C09J7/20 , C09J201/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C08F220/06 , C09J4/00 , C09J4/06 , C09J5/00 , C09J5/06 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J133/06 , C09J201/02 , C09J2201/122 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , H01L21/324 , H01L21/78 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明提供一种半导体相关构件加工用片材，本发明的半导体相关构件加工用片材(1)能够更加稳定地实现：提高半导体相关构件加工用片材的剥离性；及使具备利用半导体相关构件加工用片材由半导体相关构件制造的晶片的构件的可靠性不易降低，所述半导体相关构件加工用片材(1)具备基材(2)和设置于基材(2)的一面上方的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)含有具有能量射线聚合性官能基的能量射线聚合性化合物，能量射线聚合性化合物中的至少一种为具有分枝结构的聚合物即聚合性分枝聚合物，将半导体相关构件加工用片材(1)的粘着剂层(3)侧的面贴附于硅晶圆的镜面，并对半导体相关构件加工用片材(1)照射能量射线，以降低粘着剂层(3)对硅晶圆的镜面的粘着性，之后，将从硅晶圆剥离半导体相关构件加工用片材(1)而获得的、硅晶圆中的粘贴过半导体相关构件加工用片材(1)的镜面作为测定对象面，在25℃、相对湿度为50％的环境下，利用水滴测定出的接触角为40°以下。
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公开(公告)号：CN107078037A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056734.4
申请日：2015-10-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J175/04 , C09J201/00 , C09J201/02
Abstract: 本发明提供一种切割片(10)，其具有基材(3)与设置于其一个面上的中间层(2)、以及设置于中间层(2)上的粘着剂层(1)，粘着剂层(1)含有分子内具有能量线固化性双键的化合物，粘着剂层(1)固化前于23℃时的存储弹性模量G’大于中间层(2)于23℃时的存储弹性模量G’，对于粘着剂层(1)固化前的切割片(10)，以JISZ0237:2000为基准相对于硅镜面晶圆进行180°撕除粘着力试验时，所测得的粘着力为2000mN/25mm以上，粘着剂层(1)固化前于23℃时的损失因数tanδ为0.23以上。通过这种切割片(10)，即使将切割片(10)粘贴于半导体晶圆(30)上所得到的层叠体，在规定的时间内静置，也很难发生部分剥离。
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公开(公告)号：CN113201290B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202011624811.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J133/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种即使在加热后，也能够良好地兼顾操作性与扩展性的工件加工用片。作为解决手段，第一，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的杨氏模量为2000MPa以下，120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上。第二，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的断裂伸长率为100％以上，120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上。
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公开(公告)号：CN111164738B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201880063343.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J133/04
Abstract: 本发明为一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述工件加工用片中，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的水接触角为50°以上80°以下，关于所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F1，以及将所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时，进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F2，由粘着力的减小率(％)＝{(F1‑F2)/F1}×100计算的粘着力的减小率为20％以上50％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物或所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
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