公开(公告)号：CN108886000A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680081872.2

申请日：2016-02-26

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 该半导体基体的特征在于具有：硅系基板；硅系基板上的缓冲层，所述缓冲层包括反复配置的一层，其中第一层由包含第一材料的氮化物系化合物半导体形成，第二层由包含第二材料的氮化物半导体形成，所述第二材料的晶格常数比第一材料大；以及通道层，其由包含第二材料的氮化物系化合物半导体形成，所述通道层形成在缓冲层上。半导体基体的特征还在于：缓冲层具有作为第一层上的至少一层，所述一层位于第一层和第二层之间，第一组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第一组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第二材料组成比例，以及在向上方向上逐渐减小的第一材料组成比例，并且，作为在所述第二层上的至少一层，所述一层在第二层和第一层之间，第二组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第二组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第一材料组成比例，和向上方向上逐渐减少的第二材料组成比例；第一组成倾斜层比第二组成倾斜层厚。因此，提供了即使在多层缓冲层的层之间提供组成倾斜层的情况下也能够抑制结晶度劣化和裂缝长度增加的半导体基体，所述组成倾斜层的晶格常数变化量大于0.7％/nm。

公开(公告)号：CN106068547B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201580011736.1

申请日：2015-02-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  小林昇一 ,  栗本宏高

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。

公开(公告)号：CN109716492A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780054582.3

申请日：2017-02-24

Applicant: 三垦电气股份有限公司 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  筱宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。

公开(公告)号：CN109716492B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201780054582.3

申请日：2017-02-24

Applicant: 三垦电气股份有限公司 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  筱宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。

公开(公告)号：CN106068547A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580011736.1

申请日：2015-02-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  小林昇一 ,  栗本宏高

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。

公开(公告)号：CN106068546B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201580011705.6

申请日：2015-02-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  小林昇一 ,  栗本宏高

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：制作步骤，其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆；观察步骤，其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部；以及，去除步骤，其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此，提供一种半导体外延晶圆的制造方法，该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。

公开(公告)号：CN106068546A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580011705.6

申请日：2015-02-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  小林昇一 ,  栗本宏高

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B33/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/7806 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：制作步骤，其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆；观察步骤，其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部；以及，去除步骤，其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此，提供一种半导体外延晶圆的制造方法，该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。

公开(公告)号：CN111785694B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910271303.X

申请日：2019-04-04

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  熊仓弘道 ,  马场良平 ,  山田辽太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN110071033B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810151850.X

申请日：2018-02-14

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  保立伦则 ,  田中雄季 ,  工藤真二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L23/12

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。

公开(公告)号：CN108987456B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201710437128.8

申请日：2017-06-12

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  大野阳平 ,  保立伦则 ,  熊仓弘道

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。