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公开(公告)号：CN111785694B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910271303.X
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN110071033B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810151850.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/302 , H01L23/12
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。
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公开(公告)号：CN108987456B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201710437128.8
申请日：2017-06-12
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。
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公开(公告)号：CN108140582B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201680058423.6
申请日：2016-08-29
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底，其特征在于，具备：基板；缓冲层，其设置于前述基板上并且由氮化物半导体构成；以及，沟道层，其设置于前述缓冲层上并且由氮化物半导体构成；其中，前述缓冲层包含：第一区域，其设置于前述基板侧，所述第一区域的硼浓度比受体元素浓度更高；以及，第二区域，其设置于前述第一区域上，所述第二区域的硼浓度比前述第一区域的硼浓度更低，并且所述第二区域的受体元素浓度比前述第一区域的受体元素浓度更高。由此，提供一种半导体衬底，其能够维持高的纵向耐压并且得到高的凹坑抑制效果。
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公开(公告)号：CN109979838A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201810058084.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109560123A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710888719.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/32
CPC classification number: H01L29/32 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一传导类型；第二半导体区域，其具有第二传导类型。该第一半导体区域配置在该第二半导体区域内，在该第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且该第一半导体区域的至少一部分被多个晶体缺陷围绕。因此，可以考虑到侧向和纵向的电荷载体(电子和空穴)的重新组合，并且可以充分地减少半导体器件的切换时间。
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公开(公告)号：CN104541359B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201380025249.1
申请日：2013-04-19
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0262 , C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L33/32
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体装置的制造方法，其于导入有III族元素原料气体和V族元素原料气体的反应炉内，使III‑V族氮化物半导体的多层膜生长，所述氮化物半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤：以V族元素原料气体的第1原料气体流量和第1载气流量，使第1氮化物半导体层生长的步骤；及，以比V族元素原料气体的第1原料气体流量少的第2原料气体流量、和比第1载气流量多的第2载气流量，使第2氮化物半导体层生长的步骤；并且，积层第1氮化物半导体层与第2氮化物半导体层。由此，提供一种氮化物半导体装置的制造方法，其使III‑V族氮化物半导体层的积层结构体以适合各层的V/III比来生长。
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公开(公告)号：CN111785693B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201910270551.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括从所述基板表面起依次层叠设置的氧化膜、磷硅酸盐玻璃(PSG)以及第一非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN109560123B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201710888719.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/32
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一传导类型；第二半导体区域，其具有第二传导类型。该第一半导体区域配置在该第二半导体区域内，在该第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且该第一半导体区域的至少一部分被多个晶体缺陷围绕。因此，可以考虑到侧向和纵向的电荷载体(电子和空穴)的重新组合，并且可以充分地减少半导体器件的切换时间。
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公开(公告)号：CN108886000A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201680081872.2
申请日：2016-02-26
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/20 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 该半导体基体的特征在于具有：硅系基板；硅系基板上的缓冲层，所述缓冲层包括反复配置的一层，其中第一层由包含第一材料的氮化物系化合物半导体形成，第二层由包含第二材料的氮化物半导体形成，所述第二材料的晶格常数比第一材料大；以及通道层，其由包含第二材料的氮化物系化合物半导体形成，所述通道层形成在缓冲层上。半导体基体的特征还在于：缓冲层具有作为第一层上的至少一层，所述一层位于第一层和第二层之间，第一组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第一组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第二材料组成比例，以及在向上方向上逐渐减小的第一材料组成比例，并且，作为在所述第二层上的至少一层，所述一层在第二层和第一层之间，第二组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第二组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第一材料组成比例，和向上方向上逐渐减少的第二材料组成比例；第一组成倾斜层比第二组成倾斜层厚。因此，提供了即使在多层缓冲层的层之间提供组成倾斜层的情况下也能够抑制结晶度劣化和裂缝长度增加的半导体基体，所述组成倾斜层的晶格常数变化量大于0.7％/nm。
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