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公开(公告)号：CN109309118A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710670126.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L29/36 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/66143 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/0684 , H01L21/0455
Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。
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公开(公告)号：CN109560123B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201710888719.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/32
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一传导类型；第二半导体区域，其具有第二传导类型。该第一半导体区域配置在该第二半导体区域内，在该第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且该第一半导体区域的至少一部分被多个晶体缺陷围绕。因此，可以考虑到侧向和纵向的电荷载体(电子和空穴)的重新组合，并且可以充分地减少半导体器件的切换时间。
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公开(公告)号：CN110071033B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810151850.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/302 , H01L23/12
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109979838A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201810058084.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。
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公开(公告)号：CN109560123A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710888719.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/32
CPC classification number: H01L29/32 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一传导类型；第二半导体区域，其具有第二传导类型。该第一半导体区域配置在该第二半导体区域内，在该第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且该第一半导体区域的至少一部分被多个晶体缺陷围绕。因此，可以考虑到侧向和纵向的电荷载体(电子和空穴)的重新组合，并且可以充分地减少半导体器件的切换时间。
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公开(公告)号：CN109979838B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201810058084.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。
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公开(公告)号：CN109309118B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201710670126.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。
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公开(公告)号：CN110071033A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810151850.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/302 , H01L23/12
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。
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