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公开(公告)号：CN111785693B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201910270551.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括从所述基板表面起依次层叠设置的氧化膜、磷硅酸盐玻璃(PSG)以及第一非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN110707076A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810816627.2
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括：外延层；过渡层，该过渡层连接到该外延层；以及旁路部件，该旁路部件连接到该过渡层；其中，该单极性部件和该旁路部件并联，并且该过渡层配置在该单极性部件与该旁路部件之间。
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公开(公告)号：CN111785694B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910271303.X
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN110071033B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810151850.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/302 , H01L23/12
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。
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公开(公告)号：CN109979838A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201810058084.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。
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公开(公告)号：CN110707076B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201810816627.2
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括：外延层；过渡层，该过渡层连接到该外延层；以及旁路部件，该旁路部件连接到该过渡层；其中，该单极性部件和该旁路部件并联，并且该过渡层配置在该单极性部件与该旁路部件之间。
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公开(公告)号：CN111785694A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910271303.X
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN111785693A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910270551.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括从所述基板表面起依次层叠设置的氧化膜、磷硅酸盐玻璃(PSG)以及第一非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN109309118A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710670126.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L29/36 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/66143 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/0684 , H01L21/0455
Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。
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公开(公告)号：CN109979838B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201810058084.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。
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