公开(公告)号：CN111785694B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910271303.X

申请日：2019-04-04

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  熊仓弘道 ,  马场良平 ,  山田辽太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN111785693B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN201910270551.2

申请日：2019-04-04

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  熊仓弘道 ,  马场良平 ,  山田辽太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括从所述基板表面起依次层叠设置的氧化膜、磷硅酸盐玻璃(PSG)以及第一非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN102891171A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210253230.X

申请日：2012-07-20

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 马场良平 ,  金子信男 ,  金子修一 ,  施欣宏 ,  吴俊森 ,  罗亿丞

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，本发明的氮化物半导体装置具有氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在氮化物半导体层上相互分开设置的第一主电极及第二主电极、设置在第一主电极及第二主电极间的第二绝缘膜上且经由设于第一绝缘膜及第二绝缘膜的开口部与氮化物半导体层连接的场极板，其中，在开口部，氮化物半导体层的表面与第一绝缘膜的侧面构成的第一倾斜角比氮化物半导体层的表面与将第二绝缘膜的侧面延长的延长线构成的第二倾斜角小。

公开(公告)号：CN111785694A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201910271303.X

申请日：2019-04-04

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  熊仓弘道 ,  马场良平 ,  山田辽太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN111785693A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201910270551.2

申请日：2019-04-04

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  熊仓弘道 ,  马场良平 ,  山田辽太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括从所述基板表面起依次层叠设置的氧化膜、磷硅酸盐玻璃(PSG)以及第一非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN102891171B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210253230.X

申请日：2012-07-20

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 马场良平 ,  金子信男 ,  金子修一 ,  施欣宏 ,  吴俊森 ,  罗亿丞

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，本发明的氮化物半导体装置具有氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在氮化物半导体层上相互分开设置的第一主电极及第二主电极、设置在第一主电极及第二主电极间的第二绝缘膜上且经由设于第一绝缘膜及第二绝缘膜的开口部与氮化物半导体层连接的场极板，其中，在开口部，氮化物半导体层的表面与第一绝缘膜的侧面构成的第一倾斜角比氮化物半导体层的表面与将第二绝缘膜的侧面延长的延长线构成的第二倾斜角小。