公开(公告)号：CN102637734B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210028773.1

申请日：2012-02-09

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 伊籐裕规 ,  岩渕昭夫 ,  施欣宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种使用沟道进行元件分离且抑制了因相邻元件的动作带来的影响的化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法。该化合物半导体装置具备：半导体衬底；具有载流子渡越层和载流子供给层且配置于半导体衬底上的氮化物半导体层；内部具有上端部位于载流子渡越层与载流子供给层的边界面的上方的空穴、并包围氮化物半导体层的周围而配置的元件分离绝缘膜。

公开(公告)号：CN102891171B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210253230.X

申请日：2012-07-20

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 马场良平 ,  金子信男 ,  金子修一 ,  施欣宏 ,  吴俊森 ,  罗亿丞

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，本发明的氮化物半导体装置具有氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在氮化物半导体层上相互分开设置的第一主电极及第二主电极、设置在第一主电极及第二主电极间的第二绝缘膜上且经由设于第一绝缘膜及第二绝缘膜的开口部与氮化物半导体层连接的场极板，其中，在开口部，氮化物半导体层的表面与第一绝缘膜的侧面构成的第一倾斜角比氮化物半导体层的表面与将第二绝缘膜的侧面延长的延长线构成的第二倾斜角小。

公开(公告)号：CN102891171A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210253230.X

申请日：2012-07-20

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 马场良平 ,  金子信男 ,  金子修一 ,  施欣宏 ,  吴俊森 ,  罗亿丞

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，本发明的氮化物半导体装置具有氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在氮化物半导体层上相互分开设置的第一主电极及第二主电极、设置在第一主电极及第二主电极间的第二绝缘膜上且经由设于第一绝缘膜及第二绝缘膜的开口部与氮化物半导体层连接的场极板，其中，在开口部，氮化物半导体层的表面与第一绝缘膜的侧面构成的第一倾斜角比氮化物半导体层的表面与将第二绝缘膜的侧面延长的延长线构成的第二倾斜角小。

公开(公告)号：CN102637734A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210028773.1

申请日：2012-02-09

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 伊籐裕规 ,  岩渕昭夫 ,  施欣宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种使用沟道进行元件分离且抑制了因相邻元件的动作带来的影响的化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法。该化合物半导体装置具备：半导体衬底；具有载流子渡越层和载流子供给层且配置于半导体衬底上的氮化物半导体层；内部具有上端部位于载流子渡越层与载流子供给层的边界面的上方的空穴、并包围氮化物半导体层的周围而配置的元件分离绝缘膜。