公开(公告)号：CN104541359A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380025249.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  后藤博一 ,  鹿内洋志 ,  土屋庆太郎 ,  篠宫胜 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明是一种氮化物半导体装置的制造方法，其于导入有III族元素原料气体和V族元素原料气体的反应炉内，使III-V族氮化物半导体的多层膜生长，所述氮化物半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤：以V族元素原料气体的第1原料气体流量和第1载气流量，使第1氮化物半导体层生长的步骤；及，以比V族元素原料气体的第1原料气体流量少的第2原料气体流量、和比第1载气流量多的第2载气流量，使第2氮化物半导体层生长的步骤；并且，积层第1氮化物半导体层与第2氮化物半导体层。由此，提供一种氮化物半导体装置的制造方法，其使III-V族氮化物半导体层的积层结构体以适合各层的V/III比来生长。

公开(公告)号：CN104115258B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201380009855.4

申请日：2013-02-14

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/3228 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明具备硅系基板(11)与外延生长层(12)，其中外延生长层(12)具有晶格常数和热膨胀系数彼此相异的第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层交互积层而成的结构，并以在外缘部中的膜厚逐渐变薄的方式被配置在硅系基板(11)上。由此，本发明提供一种抑制外缘部发生裂痕的外延基板、半导体装置及这种半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN104303268A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380024651.8

申请日：2013-04-19

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/167 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是一种外延基板，其特征在于，其具备：硅基板，其以4×1017cm－3以上且6×1017cm－3以下的浓度含有氧原子，且以5×1018cm－3以上且6×1019cm－3以下的浓度含有硼原子；及，半导体层，其配置于硅基板上，并且由具有与硅基板不同的热膨胀系数的材料所构成。由此，可提供一种外延基板，所述外延基板可抑制由于硅基板与半导体层之间的应力所导致的翘曲的产生。

公开(公告)号：CN104115258A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380009855.4

申请日：2013-02-14

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/3228 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明具备硅系基板(11)与外延生长层(12)，其中外延生长层(12)具有晶格常数和热膨胀系数彼此相异的第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层交互积层而成的结构，并以在外缘部中的膜厚逐渐变薄的方式被配置在硅系基板(11)上。由此，本发明提供一种抑制外缘部发生裂痕的外延基板、半导体装置及这种半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN104541359B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201380025249.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  后藤博一 ,  鹿内洋志 ,  土屋庆太郎 ,  篠宫胜 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明是一种氮化物半导体装置的制造方法，其于导入有III族元素原料气体和V族元素原料气体的反应炉内，使III‑V族氮化物半导体的多层膜生长，所述氮化物半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤：以V族元素原料气体的第1原料气体流量和第1载气流量，使第1氮化物半导体层生长的步骤；及，以比V族元素原料气体的第1原料气体流量少的第2原料气体流量、和比第1载气流量多的第2载气流量，使第2氮化物半导体层生长的步骤；并且，积层第1氮化物半导体层与第2氮化物半导体层。由此，提供一种氮化物半导体装置的制造方法，其使III‑V族氮化物半导体层的积层结构体以适合各层的V/III比来生长。

公开(公告)号：CN118786513A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380024040.7

申请日：2023-03-02

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 久保埜一平 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明为一种III族氮化物半导体晶圆，其特征在于：在成膜用基板上具备III族氮化物半导体膜，并且，在前述成膜用基板的倒角部的前述基板表面的径向的截面形状，相对于前述基板表面的倒角角度(θ1)为21度以上且23度以下，且前述基板表面的径向的前述成膜用基板的外周端部与前述倒角部的内周端部之间的间隔也就是倒角宽度(X1)为500μm以上且1000μm以下。由此，提供一种III族氮化物半导体晶圆及其制造方法，其在成膜用基板上具备III族氮化物半导体膜。

公开(公告)号：CN117941030A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280061885.9

申请日：2022-08-22

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 久保埜一平 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 一种氮化物半导体基板，其特征在于，具备生长用基板、与被成膜于该生长用基板上的氮化物半导体薄膜，前述氮化物半导体薄膜包含被形成于前述生长用基板上的AlN层、与被形成于该AlN层上的氮化物半导体层，且前述AlN层中的平均Y(钇)浓度为1E15atoms/cm3以上且5E19atoms/cm3以下。借此，可提供一种氮化物半导体基板及其制造方法，该氮化物半导体基板能够改善AlN层的表面形态并抑制氮化物半导体外延晶圆表面的凹坑的产生。