公开(公告)号：US08954371B2

公开(公告)日：2015-02-10

申请号：US13524360

申请日：2012-06-15

申请人： Barry S. Dresdner ,  Son T. Nguyen

发明人： Barry S. Dresdner ,  Son T. Nguyen

IPC分类号： G06F17/00 ,  G06N5/02

CPC分类号： G06N5/02 ,  G06N5/025

摘要： Certain example embodiments described herein relate to techniques for dynamically selecting rule processing modes. The processing mode does not need to be specified during rule design/authoring. Two sets of artifacts may be generated to support a desired processing mode. This may occur in the designer's local workspace, e.g., so that rule invocation can be tested locally. Additionally, or alternatively, both sets of artifacts may be installed on the rule engine running on a remote server when the project is deployed. The designer need not be aware that both sets of artifacts are being generated. In certain example embodiments, the designer may have the ability to sequence rules within metaphors (or decision entities such as decision tables), and/or the ability to sequence metaphors within rule sets. During rule invocation, a parameter may be provided to indicate the processing mode (e.g., sequential or inferential) to be used by the rule engine.

摘要翻译： 这里描述的某些示例实施例涉及用于动态选择规则处理模式的技术。 在规则设计/创作过程中，不需要指定处理模式。 可以生成两组伪影以支持期望的处理模式。 这可能发生在设计人员的本地工作区中，例如，可以在本地测试规则调用。 另外或替代地，当部署项目时，两组工件可以安装在在远程服务器上运行的规则引擎上。 设计者不需要知道正在生成两组工件。 在某些示例性实施例中，设计者可能具有在隐喻（或决策实体，例如决策表）中排序规则的能力，和/或在规则集内对序列隐喻进行排序的能力。 在规则调用期间，可以提供参数以指示要由规则引擎使用的处理模式（例如，顺序或推断）。

公开(公告)号：US20140031562A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13060793

申请日：2009-08-28

申请人： Scott E. Denmark ,  Selena Milicevic ,  Son T. Nguyen

发明人： Scott E. Denmark ,  Selena Milicevic ,  Son T. Nguyen

IPC分类号： C07C29/14 ,  C07D207/48 ,  C07D307/42 ,  C07D333/16 ,  C07C41/28 ,  C07C213/08

CPC分类号： C07C29/14 ,  B01J27/13 ,  B01J31/0237 ,  B01J2231/341 ,  C07C29/38 ,  C07C37/20 ,  C07C41/28 ,  C07C41/30 ,  C07C67/343 ,  C07C213/00 ,  C07C213/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2601/16 ,  C07D207/48 ,  C07D307/42 ,  C07D333/16 ,  C07C69/76 ,  C07C215/30 ,  C07C215/68 ,  C07C33/30 ,  C07C43/23 ,  C07C39/19 ,  C07C33/483 ,  C07C33/28 ,  C07C33/14 ,  C07C33/025 ,  C07C33/24

摘要： A method of performing a chemical reaction includes reacting an allyl donor and a substrate in a reaction mixture, and forming a homoallylic alcohol in the reaction mixture. The substrate may be an aldehyde or a hemiacetal. The reaction mixture includes a ruthenium catalyst, carbon monoxide at a level of at least 1 equivalent relative to the substrate, and water at a level of at least 1 equivalent relative to the substrate, and an amine at a level of from 0 to 0.5 equivalent relative to the substrate. The reaction mixture may also include a halide, and the equivalents of the amine may be similar to those of the halide. The reacting includes maintaining the reaction mixture at a temperature of at least 40° C. The method may be catalytic in metal, environmentally benign, amenable to large-scale applications, and applicable to a wide range of substrates.

摘要翻译： 进行化学反应的方法包括在反应混合物中使烯丙基供体和底物反应，并在反应混合物中形成均一醇。 底物可以是醛或半缩醛。 反应混合物包括钌催化剂，相对于底物至少1当量的一氧化碳和相对于底物至少1当量的水，以及0至0.5当量的胺 相对于基底。 反应混合物还可以包括卤化物，胺的等价物可以与卤化物相似。 反应包括将反应混合物保持在至少40℃的温度。该方法可以是金属催化剂，环境友好的，适于大规模应用，并且可应用于宽范围的基材。

公开(公告)号：USD664172S1

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US29350406

申请日：2009-11-16

申请人： Tetsuya Ishikawa ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

设计人： Tetsuya Ishikawa ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

公开(公告)号：US08183132B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12751692

申请日：2010-03-31

申请人： Sandeep Nijhawan ,  Brian H. Burrows ,  Tetsuya Ishikawa ,  Olga Kryliouk ,  Anand Vasudev ,  Jie Su ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

发明人： Sandeep Nijhawan ,  Brian H. Burrows ,  Tetsuya Ishikawa ,  Olga Kryliouk ,  Anand Vasudev ,  Jie Su ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L33/007

摘要： The present invention generally provides apparatus and methods for forming LED structures. One embodiment of the present invention provides a method for fabricating a compound nitride structure comprising forming a first layer comprising a first group-III element and nitrogen on substrates in a first processing chamber by a hydride vapor phase epitaxial (HVPE) process or a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process, forming a second layer comprising a second group-III element and nitrogen over the first layer in a second processing chamber by a MOCVD process, and forming a third layer comprising a third group-III element and nitrogen over the second layer by a MOCVD process.

摘要翻译： 本发明总体上提供了用于形成LED结构的装置和方法。 本发明的一个实施方案提供了一种用于制造氮化物复合结构的方法，其包括通过氢化物气相外延（HVPE）工艺或金属有机物在第一处理室中在衬底上形成包含第一III族元素的氮和氮 化学气相沉积（MOCVD）工艺，通过MOCVD工艺在第二处理室中在第一层上形成包含第二组III元素的第二层和氮，并且形成包含第三族III族元素和氮的第三层 第二层通过MOCVD过程。

公开(公告)号：US08137468B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12405692

申请日：2009-03-17

申请人： Kenric T. Choi ,  Son T. Nguyen

发明人： Kenric T. Choi ,  Son T. Nguyen

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/45561

摘要： Embodiments of the invention provide an apparatus and a method for generating a gaseous chemical precursor that may be used in a vapor deposition processing system. In one embodiment, the apparatus contains a valve manifold assembly, which includes a valve assembly body having at least one embedded electric heater, an inlet channel passing through the valve assembly body, a first pneumatic valve and a first manual valve coupled to the valve assembly body and positioned to control fluid flow within the inlet channel, an outlet channel passing through the valve assembly body, and a second pneumatic valve and a second manual valve coupled to the valve assembly body and positioned to control fluid flow within the outlet channel. The valve manifold assembly further contains a bypass channel connected to and between the inlet and outlet channels, and containing a bypass valve positioned to control fluid flow within the bypass channel.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供了一种用于产生可用于气相沉积处理系统的气态化学前体的装置和方法。 在一个实施例中，该装置包括阀歧管组件，其包括具有至少一个嵌入式电加热器的阀组件主体，穿过阀组件主体的入口通道，第一气动阀和联接到阀组件的第一手动阀 并且定位成控制入口通道内的流体流动，穿过阀组件本体的出口通道，以及耦合到阀组件主体并定位成控制出口通道内的流体流动的第二气动阀和第二手动阀。 阀歧管组件还包括连接到入口通道和出口通道之间并且在入口通道和出口通道之间的旁通通道，并且包含定位成控制旁通通道内的流体流动的旁通阀。

公开(公告)号：US20100258049A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12637019

申请日：2009-12-14

申请人： Tetsuya Ishikawa ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

发明人： Tetsuya Ishikawa ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B35/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  Y10T137/479 ,  Y10T137/4807 ,  Y10T137/4824 ,  Y10T137/7504 ,  Y10T137/8376

摘要： Embodiments disclosed herein generally relate to an HVPE chamber. The chamber may have two separate precursor sources coupled thereto to permit two separate layers to be deposited. For example, a gallium source and a separate aluminum source may be coupled to the processing chamber to permit gallium nitride and aluminum nitride to be separately deposited onto a substrate in the same processing chamber. The nitrogen may be introduced to the processing chamber at a separate location from the gallium and the aluminum and at a lower temperature. The different temperatures causes the gases to mix together, react and deposit on the substrate with little or no deposition on the chamber walls.

摘要翻译： 本文公开的实施例通常涉及HVPE室。 腔室可以具有耦合到其上的两个分离的前体源，以允许沉积两个分开的层。 例如，镓源和单独的铝源可以耦合到处理室以允许氮化镓和氮化铝分别沉积在相同处理室中的衬底上。 氮可以在与镓和铝分开的位置和在较低温度下被引入处理室。 不同的温度导致气体混合在一起，反应并沉积在基板上，而在室壁上很少或没有沉积。

公开(公告)号：US07775508B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11554954

申请日：2006-10-31

申请人： Kenric T. Choi ,  Pravin K. Narwankar ,  Shreyas S. Kher ,  Son T. Nguyen ,  Paul Deaton ,  Khai Ngo ,  Paul Chhabra ,  Alan H. Ouye ,  Dien-Yeh (Daniel) Wu

发明人： Kenric T. Choi ,  Pravin K. Narwankar ,  Shreyas S. Kher ,  Son T. Nguyen ,  Paul Deaton ,  Khai Ngo ,  Paul Chhabra ,  Alan H. Ouye ,  Dien-Yeh (Daniel) Wu

IPC分类号： B01F3/04

CPC分类号： C23C16/4481

摘要： A method and apparatus for providing a precursor to a process chamber is described. The apparatus comprises an ampoule capable of receiving either a liquid precursor source material or a solid precursor source material. The ampoule is capable of delivering either a liquid precursor material to a vaporizer coupled to the process chamber, or a vaporized or gaseous precursor material to the process chamber. The ampoule also includes a continuous level sensor to accurately monitor the level of precursor source material within the ampoule.

摘要翻译： 描述了一种用于向处理室提供前体的方法和装置。 该装置包括能够接收液体前体源材料或固体前体源材料的安瓿。 安瓿能够将液体前体材料输送到耦合到处理室的蒸发器，或将蒸发的或气态的前体材料输送到处理室。 安瓿还包括连续液位传感器，以准确地监测安瓿内的前体源材料的含量。

公开(公告)号：US20090162570A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US11960111

申请日：2007-12-19

申请人： Johanes F. Swenberg ,  Wei Liu ,  Hanh D. Nguyen ,  Son T. Nguyen ,  Roger Curtis ,  Philip A. Bottini ,  Michael J. Mark ,  Theresa Kramer Guarini ,  Woong Choi

发明人： Johanes F. Swenberg ,  Wei Liu ,  Hanh D. Nguyen ,  Son T. Nguyen ,  Roger Curtis ,  Philip A. Bottini ,  Michael J. Mark ,  Theresa Kramer Guarini ,  Woong Choi

IPC分类号： H05H1/24 ,  C23C16/503

CPC分类号： H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174

摘要： The present invention generally provides apparatus and methods for processing a semiconductor substrate. Particularly, the present invention provides an inductively coupled plasma reactor having improved process uniformity. One embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate comprising a chamber body defining a process volume configured to process the substrate therein, an adjustable coil assembly coupled to the chamber body outside the process volume, a supporting pedestal disposed in the process volume and configured to support the substrate therein, and a gas injection assembly configured to supply a process gas towards a first process zone and a second process zone independently.

摘要翻译： 本发明通常提供了用于处理半导体衬底的装置和方法。 特别地，本发明提供了具有改进的工艺均匀性的电感耦合等离子体反应器。 本发明的一个实施例提供了一种用于处理衬底的装置，其包括限定被配置为在其中处理衬底的处理体积的室主体，耦合到处理体积外部的室主体的可调节线圈组件，设置在处理体积中的支撑座 并且被配置为在其中支撑衬底;以及气体注入组件，其构造成独立地朝向第一处理区域和第二处理区域提供处理气体。

公开(公告)号：US06300255B1

公开(公告)日：2001-10-09

申请号：US09257467

申请日：1999-02-24

申请人： Shankar Venkataranan ,  Scott Hendrickson ,  Inna Shmurun ,  Son T. Nguyen

发明人： Shankar Venkataranan ,  Scott Hendrickson ,  Inna Shmurun ,  Son T. Nguyen

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45512

摘要： There are provided a method and apparatus for forming by chemical vapor deposition on large diameter (e.g., 300 mm) semiconductive wafers thin insulating layers of silicon oxide (SiO2) having high uniformity from rim to rim across any diameter through the centers of the wafers. Such high degree of uniformity of the layers is obtained by directing separately a first reactive gas stream and a second reactive gas stream into close proximity to an exposed surface of a wafer to a be coated by the gasses with an insulating layer, the gas streams when mixed together reacting with each other to deposit an insulating layer on a wafer; forming a whirlpool-like swirling mixture of the first and second gas streams to thoroughly mix together the gasses thereof; forming a highly uniform mixture of the reactive gasses; and promptly flowing the mixture of reactive gasses over and upon the surface of the wafer. The apparatus also provides dual wafer processing chamber cavities.

摘要翻译： 提供了一种用于通过化学气相沉积在大直径（例如，300mm）半导体晶片上形成薄膜绝缘层的氧化硅（SiO 2）的方法和装置，所述氧化硅（SiO 2）的绝缘层从边缘到边缘具有高度均匀性，并通过晶片中心的任何直径。 通过将第一反应性气体流和第二反应气体流分别靠近晶片的暴露表面引导以由具有绝缘层的气体涂覆而获得这些高度的均匀度，气体流 混合在一起反应以在晶片上沉积绝缘层; 形成第一和第二气流的漩涡状旋转混合物以将其气体充分混合在一起; 形成高度均匀的反应性气体混合物; 并迅速将反应性气体的混合物流过晶片表面上和表面。 该设备还提供双晶片处理室腔。

公开(公告)号：US06214095B1

公开(公告)日：2001-04-10

申请号：US09347378

申请日：1999-07-06

申请人： Randy Jon Logan ,  Son T. Nguyen ,  Daniel L. Tuma ,  David J. Tuffley

发明人： Randy Jon Logan ,  Son T. Nguyen ,  Daniel L. Tuma ,  David J. Tuffley

IPC分类号： B01D5304

CPC分类号： B01D53/0407 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/104 ,  B01D2253/106 ,  B01D2257/708 ,  B01D2257/80

摘要： An adsorbent pouch assembly for removing gaseous contaminants and impurities from a gas stream. The assembly is particularly designed for non-adhesively mounting into the internal enclosure of a disk drive.

摘要翻译： 一种用于从气流中除去气态污染物和杂质的吸附剂袋组件。 该组件特别设计用于非粘性地安装到磁盘驱动器的内部外壳中。