公开(公告)号：US20060231948A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US10907732

申请日：2005-04-13

申请人： Yaojian Lin ,  Byung Tai Do ,  Wan Lay Looi ,  Haijing Cao

发明人： Yaojian Lin ,  Byung Tai Do ,  Wan Lay Looi ,  Haijing Cao

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/02 ,  C23F1/26 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： An integrated circuit system provides a precursor for an integrated wire bond and flip chip structure. The precursor has a plurality of contact pads thereon. A layer of titanium is deposited on the precursor. A layer of nickel-vanadium is deposited on the layer of titanium. A layer of copper is deposited on the layer of nickel-vanadium. A mask is formed on at least a portion of the layer of copper. Portions of the layers of copper and nickel-vanadium not protected by the mask are removed to expose portions of the layer of titanium. The exposed portions of the layer of titanium are etched with an etching solution consisting of an etchant, a viscosity modifier, and an oxidizer.

摘要翻译： 集成电路系统为集成引线键合和倒装芯片结构提供了前体。 前体在其上具有多个接触焊盘。 一层钛沉积在前体上。 一层镍钒沉积在钛层上。 一层铜沉积在镍 - 钒层上。 在铜层的至少一部分上形成掩模。 去除未被掩模保护的部分铜和镍钒层以露出钛层的部分。 用蚀刻剂，粘度调节剂和氧化剂组成的蚀刻溶液蚀刻钛层的暴露部分。

公开(公告)号：US08124490B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US11958546

申请日：2007-12-18

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang ,  Robert C. Frye

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang ,  Robert C. Frye

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/0794 ,  H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： A flip chip semiconductor device has a substrate with a plurality of active devices formed thereon. A passive device is formed on the substrate by depositing a first conductive layer over the substrate, depositing an insulating layer over the first conductive layer, and depositing a second conductive layer over the insulating layer. The passive device is a metal-insulator-metal capacitor. The deposition of the insulating layer and first and second conductive layers is performed without photolithography. An under bump metallization (UBM) layer is formed on the substrate in electrical contact with the plurality of active devices. A solder bump is formed over the UBM layer. The passive device can also be a resistor by depositing a resistive layer over the first conductive layer and depositing a third conductive layer over the resistive layer. The passive device electrically contacts the solder bump.

摘要翻译： 倒装芯片半导体器件具有在其上形成有多个有源器件的衬底。 通过在衬底上沉积第一导电层，在第一导电层上沉积绝缘层，以及在绝缘层上沉积第二导电层，在衬底上形成无源器件。 无源器件是金属 - 绝缘体 - 金属电容器。 绝缘层和第一和第二导电层的沉积在没有光刻的情况下进行。 在与多个有源器件电接触的衬底上形成凸块下金属化（UBM）层。 在UBM层上形成焊料凸块。 无源器件还可以是通过在第一导电层上沉积电阻层并在电阻层上沉积第三导电层的电阻器。 无源器件与焊料凸块电接触。

公开(公告)号：US07772106B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11936461

申请日：2007-11-07

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： A semiconductor device has a substrate with an inductor formed on its surface. First and second contact pads are formed on the substrate. A passivation layer is formed over the substrate and first and second contact pads. An insulating layer is formed over the passivation layer. The insulating layer is removed over the first contact pad, but not from the second contact pad. A metal layer is formed over the first contact pad. The metal layer is coiled on the surface of the substrate to produce inductive properties. The formation of the metal layer involves use of a wet etchant. The second contact pad is protected from the wet etchant by the insulating layer. The insulating layer is removed from the second contact pad after forming the metal layer over the first contact pad. An external connection is formed on the second contact pad.

摘要翻译： 半导体器件具有在其表面上形成有电感器的基板。 第一和第二接触垫形成在基板上。 在衬底和第一和第二接触焊盘之上形成钝化层。 在钝化层上形成绝缘层。 绝缘层在第一接触焊盘上移除，但不从第二接触焊盘移除。 金属层形成在第一接触垫上。 金属层被卷绕在基板的表面上以产生感应特性。 金属层的形成涉及使用湿蚀刻剂。 第二接触垫被绝缘层从湿蚀刻剂保护。 在第一接触垫上形成金属层之后，从第二接触焊盘去除绝缘层。 在第二接触垫上形成外部连接。

公开(公告)号：US07727876B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11934009

申请日：2007-11-01

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

摘要： A flip chip semiconductor device has a substrate with a plurality of active devices formed thereon. A contact pad is formed on the substrate in electrical contact with the plurality of active devices. A passivation layer is formed over the substrate and intermediate conduction layer. An adhesive layer is formed over the passivation layer. A barrier layer is formed over the adhesive layer. A wetting layer is formed over the barrier layer. The barrier layer and wetting layer in a first region are removed, while the barrier layer, wetting layer, and adhesive layer in a second region are maintained. The adhesive layer over the passivation layer in the first region are maintained until the solder bumps are formed. By keeping the adhesive layer over the passivation layer until after formation of the solder bumps, less cracking occurs in the passivation layer.

摘要翻译： 倒装芯片半导体器件具有在其上形成有多个有源器件的衬底。 接触焊盘形成在与多个有源器件电接触的衬底上。 在衬底和中间导电层上形成钝化层。 在钝化层上形成粘合剂层。 在粘合剂层上形成阻挡层。 在阻挡层上形成润湿层。 去除第一区域中的阻挡层和润湿层，同时维持第二区域中的阻挡层，润湿层和粘合剂层。 保持第一区域中的钝化层上的粘合剂层直到形成焊料凸点。 通过将粘合剂层保持在钝化层上方直到形成焊料凸点，在钝化层中发生较少的破裂。

公开(公告)号：US07682959B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11689282

申请日：2007-03-21

申请人： Yaojian Lin ,  Qing Zhang ,  Haijing Cao

发明人： Yaojian Lin ,  Qing Zhang ,  Haijing Cao

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552

摘要： A solder bump is formed on a high-topography, electroplated copper pad integrating a first and second passivation layer. A sacrifice layer is deposited over the second passivation layer. The sacrifice layer is lithographically patterned. A via is etched in the sacrifice layer. A solder bump is formed in the via. A portion of the sacrifice layer is removed using the solder bump as a mask. A semiconductor device includes a substrate, an input/output (I/O) pad disposed over the substrate, a first passivation layer disposed over a portion of the I/O pad, a first conductive layer disposed over the first passivation layer, a second passivation layer disposed over the first conductive layer, a sacrifice layer disposed over the second passivation layer, the sacrifice layer having a via, and a solder bump formed in the via, the solder bump used as a mask to remove a portion of the sacrifice layer.

摘要翻译： 在集成了第一和第二钝化层的高地形电镀铜焊盘上形成焊料凸块。 牺牲层沉积在第二钝化层上。 牺牲层被光刻图案化。 在牺牲层中蚀刻通孔。 在通孔中形成焊料凸块。 使用焊料凸块作为掩模去除牺牲层的一部分。 半导体器件包括衬底，设置在衬底上的输入/输出（I / O）焊盘，布置在I / O焊盘的一部分上的第一钝化层，设置在第一钝化层上的第一导电层，第二钝化层 设置在所述第一导电层上的钝化层，设置在所述第二钝化层上的牺牲层，所述牺牲层具有通孔和形成在所述通孔中的焊料凸块，所述焊料凸块用作掩模以去除所述牺牲层的一部分 。

公开(公告)号：US20070114634A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11553949

申请日：2006-10-27

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Robert Frye ,  Pandi Marimuthu

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Robert Frye ,  Pandi Marimuthu

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： An integrated passive device system is disclosed including forming a first dielectric layer over a semiconductor substrate, depositing a metal capacitor layer and a silicide layer on the first dielectric layer, forming a second dielectric layer over the metal capacitor layer and the silicide layer, and depositing a metal layer over the second dielectric layer for forming the integrated capacitor, an integrated resistor, an integrated inductor, or a combination thereof.

摘要翻译： 公开了一种集成的无源器件系统，包括在半导体衬底上形成第一电介质层，在第一电介质层上沉积金属电容器层和硅化物层，在金属电容器层和硅化物层上形成第二电介质层， 用于形成集成电容器的第二电介质层上的金属层，集成电阻器，集成电感器或其组合。

公开(公告)号：US20070108615A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11469576

申请日：2006-09-01

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Wan Lay Looi ,  Eng Seng Lim

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Wan Lay Looi ,  Eng Seng Lim

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L28/75

摘要： An integrated circuit system is provided including forming a substrate, forming a first contact having multiple conductive layers over the substrate and a layer of the multiple conductive layers on other layers of the multiple conductive layers, forming a dielectric layer on the first contact, and forming a second contact on the dielectric layer and over the first contact.

摘要翻译： 提供一种集成电路系统，包括形成衬底，在衬底上形成具有多个导电层的第一触点和在多个导电层的其它层上的多个导电层的层，在第一触点上形成电介质层，以及形成 在介电层上和第一接触点上的第二接触。

公开(公告)号：US08669637B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US11553949

申请日：2006-10-27

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Robert Charles Frye ,  Pandi Chelvam Marimuthu

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Robert Charles Frye ,  Pandi Chelvam Marimuthu

IPC分类号： H01L27/01

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： An integrated passive device system is disclosed including forming a first dielectric layer over a semiconductor substrate, depositing a metal capacitor layer on the first dielectric layer, forming a second dielectric layer over the metal capacitor layer, and depositing a metal layer over the second dielectric layer for forming the integrated capacitor, an integrated resistor, an integrated inductor, or a combination thereof.

摘要翻译： 公开了一种集成的无源器件系统，包括在半导体衬底上形成第一介电层，在第一电介质层上沉积金属电容器层，在金属电容器层上形成第二电介质层，以及在第二电介质层上沉积金属层 用于形成集成电容器，集成电阻器，集成电感器或其组合。

公开(公告)号：US08026593B2

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：US11694907

申请日：2007-03-30

申请人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang

发明人： Yaojian Lin ,  Haijing Cao ,  Qing Zhang

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/525 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： An integrated circuit package system is provided including providing an integrated circuit die having a contact pad, forming a protection cover over the contact pad, forming a passivation layer having a first opening over the protection cover with the first opening exposing the protection cover, developing a conductive layer over the passivation layer, and forming a pad opening in the protection cover for exposing the contact pad.

摘要翻译： 提供一种集成电路封装系统，包括提供具有接触焊盘的集成电路管芯，在接触焊盘上形成保护盖，形成钝化层，该钝化层在保护盖上方具有第一开口，第一开口露出保护盖， 导电层，并且在保护盖中形成用于暴露接触垫的焊盘开口。

公开(公告)号：US08008770B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US11556035

申请日：2006-11-02

申请人： Yaojian Lin ,  Romeo Emmanuel P. Alvarez ,  Haijing Cao ,  Wan Lay Looi

发明人： Yaojian Lin ,  Romeo Emmanuel P. Alvarez ,  Haijing Cao ,  Wan Lay Looi

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

摘要： An integrated circuit package system includes an integrated circuit, and forming a patterned redistribution pad over the integrated circuit.

摘要翻译： 集成电路封装系统包括集成电路，并在该集成电路上形成图案化再分配焊盘。