知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

236 条记录 (耗时 0.018 秒)

    BIT-PATTERNED MEDIA WITH ANTIFERROMAGNETIC SHELL
    1.
    发明申请
    BIT-PATTERNED MEDIA WITH ANTIFERROMAGNETIC SHELL 有权
    具有抗病毒壳体的双向图形介质

    公开(公告)号：US20100227202A1

    公开(公告)日：2010-09-09

    申请号：US12397457

    申请日：2009-03-04

    申请人： Kaizhong Gao ,  Haiwen Xi ,  Song Xue

    发明人： Kaizhong Gao ,  Haiwen Xi ,  Song Xue

    IPC分类号： G11B5/706 ,  G11B5/33 ,  B05D5/12 ,  B44C1/22

    CPC分类号： G11B5/855 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B5/746 ,  G11B5/82 ,  H01F10/002 ,  H01L21/02112 ,  H01L29/82 ,  Y10T428/115

    摘要： A method of producing bit-patterned media is provided whereby a shell structure is added on a bit-patterned media dot. The shell may be an antiferromagnetic material that will help stabilize the magnetization configuration at the remanent state due to exchange coupling between the dot and its shell. Therefore, this approach also improves the thermal stability of the media dot and helps each individual media dot maintain a single domain state.

    摘要翻译： 提供了一种生产钻头图案化介质的方法，其中壳结构被添加在钻头图案化介质点上。 壳体可以是反铁磁材料，其将由于点和其壳体之间的交换耦合而有助于在剩余状态下稳定磁化结构。 因此，这种方法还可以提高介质点的热稳定性，并帮助各个介质点维持单一的畴状态。

    Multi-Terminal Resistance Device
    4.
    发明申请
    Multi-Terminal Resistance Device 有权
    多端电阻器件

    公开(公告)号：US20100034011A1

    公开(公告)日：2010-02-11

    申请号：US12412644

    申请日：2009-03-27

    申请人： Haiwen Xi ,  Kaizhong Gao ,  Song Xue

    发明人： Haiwen Xi ,  Kaizhong Gao ,  Song Xue

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L43/02

    CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/76 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： Embodiments of the invention provide a multi-terminal resistance device with first and second electrodes, a shared third electrode, and a resistance layer providing first and second current paths between the shared third electrode and the first and second electrodes, respectively. A current state of the device may be programmed by applying one or more electrical signals along the first and/or second current paths to change a resistance of the device. In some embodiments, applying an electrical signal may switch a junction resistance of the first and/or second electrodes and the resistance layer between two or more resistance values. The device may include a shared fourth electrode to provide extra programming capability. In some embodiments, the device may be used to store a data state, to determine a count of multiple electrical signals, or to perform a logic operation between two electrical signals.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了具有第一和第二电极，共享第三电极和在共享的第三电极和第一和第二电极之间分别提供第一和第二电流路径的电阻层的多端电阻装置。 可以通过沿着第一和/或第二电流路径施加一个或多个电信号来改变器件的电阻来编程器件的当前状态。 在一些实施例中，施加电信号可以将第一和/或第二电极和电阻层的结电阻切换到两个或更多个电阻值之间。 该设备可以包括共享的第四电极以提供额外的编程能力。 在一些实施例中，该设备可以用于存储数据状态，以确定多个电信号的计数，或者在两个电信号之间执行逻辑运算。

    Non-Volatile Memory Cell with Ferroelectric Layer Configurations
    6.
    发明申请
    Non-Volatile Memory Cell with Ferroelectric Layer Configurations 审中-公开
    具有铁电层配置的非易失性存储单元

    公开(公告)号：US20100135061A1

    公开(公告)日：2010-06-03

    申请号：US12326714

    申请日：2008-12-02

    申请人： Shaoping Li ,  Kaizhong Gao ,  Insik Jin ,  Song Xue ,  Haiwen Xi ,  Zheng Gao ,  Eileen Yan

    发明人： Shaoping Li ,  Kaizhong Gao ,  Insik Jin ,  Song Xue ,  Haiwen Xi ,  Zheng Gao ,  Eileen Yan

    IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L29/68

    CPC分类号： G11C11/22 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147

    摘要： In some embodiments of the invention a non-volatile memory cell is provided with a first electrode, a second electrode, and one or more side layers of a ferroelectric metal oxide and a ferroelectric material layer between the first and second electrodes. The ferroelectric material layer may be provided between, e.g., adjacent, two side layers of a ferroelectric metal oxide or between a single layer of a ferroelectric metal oxide and an electrode. The ferroelectric metal oxide may in some cases include a uniform layered structure such as a bismuth layer-structured ferroelectric material like Bi4Ti3O12. In some embodiments, the ferroelectric material layer is formed at least partially from PbZrxTi1-xO3. A non-volatile memory array including such memory cells is also provided.

    摘要翻译： 在本发明的一些实施例中，非易失性存储单元在第一和第二电极之间设置有第一电极，第二电极以及铁电金属氧化物和铁电材料层的一个或多个侧层。 铁电材料层可以设置在例如铁电金属氧化物的相邻的两个侧层之间或者设置在单层铁电金属氧化物和电极之间。 在一些情况下，铁电金属氧化物可以包括均匀的层状结构，例如诸如Bi 4 Ti 3 O 12的铋层结构的铁电材料。 在一些实施例中，铁电材料层至少部分地由PbZrxTi1-xO3形成。 还提供了包括这种存储单元的非易失性存储器阵列。

    Bit-patterned stack with antiferromagnetic shell
    7.
    发明授权
    Bit-patterned stack with antiferromagnetic shell 有权
    带有反铁磁壳的位图案堆叠

    公开(公告)号：US08455117B2

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：US12397457

    申请日：2009-03-04

    申请人： Kaizhong Gao ,  Haiwen Xi ,  Song Xue

    发明人： Kaizhong Gao ,  Haiwen Xi ,  Song Xue

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01F10/32 ,  G11B5/74 ,  H01F10/00 ,  H01L21/02

    CPC分类号： G11B5/855 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B5/746 ,  G11B5/82 ,  H01F10/002 ,  H01L21/02112 ,  H01L29/82 ,  Y10T428/115

    摘要： A method of producing bit-patterned media is provided whereby a shell structure is added on a bit-patterned media dot. The shell may be an antiferromagnetic material that will help stabilize the magnetization configuration at the remanent state due to exchange coupling between the dot and its shell. Therefore, this approach also improves the thermal stability of the media dot and helps each individual media dot maintain a single domain state.

    摘要翻译： 提供了一种生产钻头图案化介质的方法，其中壳结构被添加在钻头图案化介质点上。 壳体可以是反铁磁材料，其将由于点和其壳体之间的交换耦合而有助于在剩余状态下稳定磁化结构。 因此，这种方法还可以提高介质点的热稳定性，并帮助各个介质点维持单一的畴状态。

    Multi-terminal resistance device
    8.
    发明授权
    Multi-terminal resistance device 有权
    多端电阻设备

    公开(公告)号：US08004874B2

    公开(公告)日：2011-08-23

    申请号：US12412644

    申请日：2009-03-27

    申请人： Haiwen Xi ,  Kaizhong Gao ,  Song Xue

    发明人： Haiwen Xi ,  Kaizhong Gao ,  Song Xue

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C43/02

    CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/76 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： Embodiments of the invention provide a multi-terminal resistance device with first and second electrodes, a shared third electrode, and a resistance layer providing first and second current paths between the shared third electrode and the first and second electrodes, respectively. A current state of the device may be programmed by applying one or more electrical signals along the first and/or second current paths to change a resistance of the device. In some embodiments, applying an electrical signal may switch a junction resistance of the first and/or second electrodes and the resistance layer between two or more resistance values. The device may include a shared fourth electrode to provide extra programming capability. In some embodiments, the device may be used to store a data state, to determine a count of multiple electrical signals, or to perform a logic operation between two electrical signals.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了具有第一和第二电极，共享第三电极和在共享的第三电极和第一和第二电极之间分别提供第一和第二电流路径的电阻层的多端电阻装置。 可以通过沿着第一和/或第二电流路径施加一个或多个电信号来改变器件的电阻来编程器件的当前状态。 在一些实施例中，施加电信号可以将第一和/或第二电极和电阻层的结电阻切换到两个或更多个电阻值之间。 该设备可以包括共享的第四电极以提供额外的编程能力。 在一些实施例中，该设备可以用于存储数据状态，以确定多个电信号的计数，或者在两个电信号之间执行逻辑运算。

    Magnetic memory cell construction
    10.
    发明授权
    Magnetic memory cell construction 有权
    磁记忆体构造

    公开(公告)号：US08287944B2

    公开(公告)日：2012-10-16

    申请号：US13073195

    申请日：2011-03-28

    申请人： Kaizhong Gao ,  Haiwen Xi

    发明人： Kaizhong Gao ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1143

    摘要： A magnetic tunnel junction cell having a free layer, a ferromagnetic pinned layer, and a barrier layer therebetween. The free layer has a central ferromagnetic portion and a stabilizing portion radially proximate the central ferromagnetic portion. The construction can be used for both in-plane magnetic memory cells where the magnetization orientation of the magnetic layer is in the stack film plane and out-of-plane magnetic memory cells where the magnetization orientation of the magnetic layer is out of the stack film plane, e.g., perpendicular to the stack plane.

    摘要翻译： 具有自由层，铁磁性钉扎层和它们之间的阻挡层的磁性隧道结电池。 自由层具有中心铁磁部分和径向靠近中心铁磁部分的稳定部分。 该结构可以用于其中磁性层的磁化取向在堆叠膜平面中的面内磁性存储单元和磁性层的磁化取向超出叠层膜的面外磁性存储单元 平面，例如垂直于堆叠平面。