公开(公告)号：CN102593081B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210008411.6

申请日：2012-01-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴耶雷尔

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L23/051 ,  H01L23/057 ,  H01L23/24 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05693 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32113 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48893 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48793 ,  H01L2224/48693 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/83205

摘要： 本发明涉及包括散热器的半导体器件。半导体器件包括：包括背面金属的半导体芯片；衬底；以及直接接触背面金属的导电散热器。所述半导体芯片包括直接接触散热器且将散热器与衬底电耦合的烧结接头。

公开(公告)号：CN106169913A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610305891.0

申请日：2016-05-10

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 米歇尔·沃茨 ,  杰弗里·K·琼斯 ,  朱宁 ,  尤里·V·沃洛希纳

IPC分类号： H03F1/56 ,  H03F1/32 ,  H03F3/189 ,  H01G4/30

CPC分类号： H03F1/565 ,  H01F27/2804 ,  H01F2027/2809 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/38 ,  H01G4/385 ,  H01G4/40 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/451 ,  H03H7/38 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10022 ,  H05K2201/1003 ,  H05K2201/10166 ,  H01L2224/45099 ,  H03F1/56 ,  H03F1/3241 ,  H03F3/189

摘要： 装置包括多个陶瓷电容器和电流路径结构。第一陶瓷电容器包括在第一和第二电极之间的第一陶瓷材料。第二陶瓷电容器包括在第三和第四电极之间的第二陶瓷材料。所述第二陶瓷材料具有高于所述第一陶瓷材料的Q。所述电流路径结构包括定位在所述第一和第二陶瓷材料之间的横向导体，以及从所述横向导体的第一和第二端延伸到装置表面的第一和第二垂直导体。所述装置可耦合到封装射频放大器装置的基板，所述封装射频放大器装置还包括晶体管。举例来说，所述装置可形成耦合在所述晶体管的电流载送终端与所述射频放大器装置的输出导线之间的输出阻抗匹配电路的部分。

公开(公告)号：CN107086212A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710073528.5

申请日：2017-02-10

申请人： 商升特公司

发明人： S.金努萨米 ,  W.H.陈 ,  J.N.S.雷耶斯

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/522 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L23/647 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/49575 ,  H01L21/50 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/5227

摘要： 本发明涉及具有集成无源部件的引线框架上的半导体器件。一种半导体器件包括衬底和在衬底的第一表面上方形成的第一导电层。第一导电层被图案化成第一无源电路元件的第一部分。第一导电层被图案化为包括第一线圈部分。在衬底的第二表面上方形成第二导电层。第二导电层被图案化成第一无源电路元件的第二部分。第二导电层被图案化为包括呈现与第一线圈部分的互感的第二线圈部分。穿过衬底形成的导电通孔耦合在第一导电层和第二导电层之间。半导体部件设置在衬底上方，并且电耦合到第一无源电源元件。在半导体部件和衬底上方沉积密封剂。将衬底安装到印刷电路板。

公开(公告)号：CN106158837A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510195900.0

申请日：2015-04-23

申请人： 朋程科技股份有限公司

发明人： 余振邦 ,  游家崧

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/525 ,  H01G4/40

CPC分类号： H01L2224/4811 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/19105

摘要： 本发明提供一种电压调节装置，包括芯片封装结构。芯片封装结构包括导线架、电压调节芯片、封装打线、多层陶瓷电容。导线架具有接地端引脚、电源接收引脚。多层陶瓷电容的第一端通过封装打线耦接至电源接收引脚，且其第二端耦接至接地端引脚；或是，多层陶瓷电容的第一端耦接至电源接收引脚，且第二端通过封装打线耦接至接地端引脚。因此，本发明的电压调节装置通过将多层陶瓷电容与电压调节芯片一同封装至电压调节装置中，并且通过封装打线来形成熔丝元件，可以避免电容因为短路时造成的危险。

公开(公告)号：CN102487025B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201010590311.X

申请日：2010-12-08

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 杨洁 ,  贺青春 ,  张汉民

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/85138 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2224/85399

摘要： 本发明涉及用于长结合导线的支撑体。一种电连接结构包括第一导线和第二导线，所述第一导线结合到管芯的边沿附近的相邻的结合焊盘，而所述第二导线的一端结合到远离管芯的边沿的管芯结合焊盘，而第二端结合到引线框的引线指或基板的连接焊盘。第二导线与第一导线交叉，并被第一导线支撑。第一导线用作支撑体，其防止第二导线与管芯的边沿接触。第一导线还防止第二导线在封装期间过度地横向移动。

公开(公告)号：CN102593081A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210008411.6

申请日：2012-01-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴耶雷尔

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L23/051 ,  H01L23/057 ,  H01L23/24 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05693 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32113 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48893 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48793 ,  H01L2224/48693 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/83205

摘要： 本发明涉及包括散热器的半导体器件。半导体器件包括：包括背面金属的半导体芯片；衬底；以及直接接触背面金属的导电散热器。所述半导体芯片包括直接接触散热器且将散热器与衬底电耦合的烧结接头。

公开(公告)号：CN102487025A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201010590311.X

申请日：2010-12-08

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 杨洁 ,  贺青春 ,  张汉民

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/85138 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2224/85399

摘要： 本发明涉及用于长结合导线的支撑体。一种电连接结构包括第一导线和第二导线，所述第一导线结合到管芯的边沿附近的相邻的结合焊盘，而所述第二导线的一端结合到远离管芯的边沿的管芯结合焊盘，而第二端结合到引线框的引线指或基板的连接焊盘。第二导线与第一导线交叉，并被第一导线支撑。第一导线用作支撑体，其防止第二导线与管芯的边沿接触。第一导线还防止第二导线在封装期间过度地横向移动。

公开(公告)号：CN203760457U

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201420112557.X

申请日：2014-03-12

申请人： 张德军

发明人： 张德军

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L2224/05553 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/49113

摘要： 本实用新型涉及一种语音芯片用打线图装置，它包括打线图本体，所述打线图本体包括一中字型线板，该中字型线板由一口字形板和对应设置在口字形线板顶端和底端的上条形线板和下条形线板组成；所述上条形线板左右两侧对应设置为倒L型线板A和倒L型线板B，该倒L型线板A和倒L型线板B上分别设置有第一管脚和第八管脚；所述口字形板左右两侧分别对应设置有左上线板和右上线板以及右下线板和右下线板；所述左上线板和右上线板分别设置有第二管脚和第七管脚；所述右下线板和右下线板上分别设置有第三管脚和第六管脚；它适用于型号为H5AS21PW晶片/晶圆，具有结构简单，方便安装，节约生产时间，从而提高了生产效率和减少生产周期，降低生产成本等优点。

公开(公告)号：CN205645802U

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201620359711.2

申请日：2016-04-26

申请人： 永林电子有限公司

发明人： 林启程

IPC分类号： H01L25/075 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L2224/4811 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171

摘要： 本实用新型涉及一种控制语音闪灯IC片，包括支架体，所述支架体内部中心处固定安装内置IC片并且该内置IC片通过金线与设置于支架体里侧的LED灯固定连接，该内置IC片外围通过金线分别连接电源接口以及若干脉冲宽度调制连接端；同时，所述支架体内圈与内置IC片之间通过封装硅脂层固定密封，所述LED灯位置与内置IC片相邻。本实用新型有益效果为：具有集成程度较高、无需PCB线材、有利于节约成本、成品工艺简单、同时增加光控功能等优点；通过采用内置IC与LED灯相接合的结构，IC工作使外接喇叭发出声音，同时，闪灯，IC工作使外接喇叭发出声音。