公开(公告)号：CN106169913A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610305891.0

申请日：2016-05-10

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 米歇尔·沃茨 ,  杰弗里·K·琼斯 ,  朱宁 ,  尤里·V·沃洛希纳

IPC分类号： H03F1/56 ,  H03F1/32 ,  H03F3/189 ,  H01G4/30

CPC分类号： H03F1/565 ,  H01F27/2804 ,  H01F2027/2809 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/38 ,  H01G4/385 ,  H01G4/40 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/451 ,  H03H7/38 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10022 ,  H05K2201/1003 ,  H05K2201/10166 ,  H01L2224/45099 ,  H03F1/56 ,  H03F1/3241 ,  H03F3/189

摘要： 装置包括多个陶瓷电容器和电流路径结构。第一陶瓷电容器包括在第一和第二电极之间的第一陶瓷材料。第二陶瓷电容器包括在第三和第四电极之间的第二陶瓷材料。所述第二陶瓷材料具有高于所述第一陶瓷材料的Q。所述电流路径结构包括定位在所述第一和第二陶瓷材料之间的横向导体，以及从所述横向导体的第一和第二端延伸到装置表面的第一和第二垂直导体。所述装置可耦合到封装射频放大器装置的基板，所述封装射频放大器装置还包括晶体管。举例来说，所述装置可形成耦合在所述晶体管的电流载送终端与所述射频放大器装置的输出导线之间的输出阻抗匹配电路的部分。