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公开(公告)号：CN110945974A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048695.7
申请日：2018-07-25
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高接合性及优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其在陶瓷基板上隔着钎料层设置电路图案，利用由电路图案的外周溢出的钎料层形成有溢出部，钎料层含有Ag、Cu及Ti；和Sn或In，从溢出部外周起沿着陶瓷基板与电路图案的接合界面朝着内侧连续地形成300μm以上的富Ag相，接合空隙率为1.0％以下。
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公开(公告)号：CN115299188A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021171.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K3/06 , H01L21/308
Abstract: 具有本发明的规定的电路图案的、带有抗蚀剂固化膜的陶瓷电路基板的制造方法包括下述工序：准备依次层叠有陶瓷基板、包含氮化钛的层、包含银的钎料层、和具有导电性的金属板的金属‑陶瓷接合体的工序；将利用喷墨印刷法在前述金属板上沿前述电路图案涂布抗蚀剂油墨并进行固化而形成单层抗蚀剂固化膜的操作重复多次，从而形成多层抗蚀剂固化膜的工序；在除存在于前述多层抗蚀剂固化膜的下方的部分外使用蚀刻液对前述包含氮化钛的层、前述包含银的钎料层和前述金属板进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN113490654A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080017805.0
申请日：2020-02-28
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B35/622 , B28B11/00 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B35/634 , H01L23/00 , H01L23/12 , H05K1/03 , H05K3/00
Abstract: 本发明提供具备多个基板形成区域的陶瓷生片。在该陶瓷生片的一部分，描绘有条形码或二维码。该条形码或二维码是将下述信息(a)至(d)中的一者或两者以上进行编码而得到的，(a)与制造陶瓷生片时的原材料相关的信息；(b)与陶瓷生片的成型条件相关的信息；(c)与堆积多张陶瓷生片时使用的脱模剂相关的信息；(d)序列号。
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公开(公告)号：CN113226610A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980086356.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷‑铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层的平板状陶瓷‑铜复合体，其中，将陶瓷‑铜复合体沿着与其主面垂直的面切断时，在铜层的切面中，将具有自(102)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(102)％、具有自(101)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(101)％、具有自(111)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(111)％、具有自(112)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(112)％时，满足特定的式(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116353153A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310371038.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明涉及陶瓷‑铜复合体、陶瓷‑铜复合体的制造方法、陶瓷电路基板及功率模块。平板状陶瓷‑铜复合体，其具备陶瓷层、铜层、和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层。其中，将该陶瓷‑铜复合体沿着垂直于其主面的面切断且将此时的切断面中的长边方向的长度为1700μm的区域设为区域P时，至少一部分存在于区域P1中的铜晶体的平均晶体粒径D1为30μm以上100μm以下，所述区域P1为区域P中的、从陶瓷层与钎料层的界面起在铜层侧的50μm以内的区域。
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公开(公告)号：CN113646149B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202080021035.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 电化株式会社
IPC: B28D5/00 , B23K26/364 , C04B41/91 , H05K1/02 , H05K3/00
Abstract: 首先，利用激光，在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成划线(110)。接着，沿着划线(110)将氮化物陶瓷基材(100)分割。划线(110)包含多个凹部(112)。多个凹部(112)在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成为一列。多个凹部(112)各自的深度(d)为多个凹部(112)各自的开口宽度(w)的0.70倍以上、1.10倍以下。多个凹部(112)各自的开口宽度(w)为多个凹部(112)的中心间距离(p)的1.00倍以上、1.10倍以下。
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公开(公告)号：CN109075136A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026320.6
申请日：2017-04-25
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的课题在于得到一种功率模块用陶瓷电路基板，其在陶瓷电路基板中不使生产率降低，不使因绝缘树脂位置偏离而导致部分放电特性恶化及绝缘特性降低的情况发生，涂布有：防止焊料流动、芯片偏离的绝缘树脂以及防止部分放电、绝缘性降低的绝缘树脂。通过对于陶瓷电路基板，将防止焊料流动、芯片偏离的绝缘树脂以及防止部分放电、绝缘性降低的绝缘树脂分别涂布在金属电路的主面上以及金属电路的外周部或金属电路间，从而得到功率模块用陶瓷电路基板。
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公开(公告)号：CN107848902A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201580082081.7
申请日：2015-07-31
Applicant: 电化株式会社
CPC classification number: C04B35/565 , B22D19/00 , B22D19/02 , B22D19/14 , C04B35/573 , C04B38/00 , C04B38/0032 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B41/88 , C04B2111/00844 , C04B2235/3418 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/602 , C04B2235/616 , C04B2235/786 , C04B2235/9607 , C22C1/10 , C22C1/1068 , C22C32/00 , H01L23/36 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B41/515
Abstract: 本发明提供高导热、低热膨胀以及低比重的铝-碳化硅质复合体及其制造方法。本发明提供铝-碳化硅质复合体，其特征在于：所述铝-碳化硅质复合体是将铝合金浸渍于多孔质碳化硅成型体而成的，该复合体中的碳化硅的比例为60体积％以上，含有60质量％以上且75质量％以下的粒径为80μm以上且800μm以下的碳化硅，含有20质量％以上且30质量％以下的粒径为8μm以上且小于80μm的碳化硅，含有5质量％以上且10质量％以下的粒径小于8μm的碳化硅。
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公开(公告)号：CN106537580A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580039392.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 电化株式会社
CPC classification number: H05K1/0271 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , C04B37/02 , C04B37/026 , C04B2237/125 , C04B2237/366 , C04B2237/407 , C04B2237/74 , C09K5/14 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0204 , H05K1/0306 , H05K1/053 , H05K3/022 , H05K3/061 , H05K3/067 , H05K3/4611 , H05K2201/068 , H05K2203/0285 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于获得对超声波接合具有优异的耐裂纹性的陶瓷电路基板。本发明通过下述陶瓷电路基板解决上述课题，所述陶瓷电路基板的特征在于，在陶瓷基板的一面接合有金属电路板、在另一面接合有金属散热板，金属电路板的结晶粒径为20μm以上且70μm以下。该陶瓷电路基板可以如下制造：分别在陶瓷基板的一面配置金属电路板、在另一面配置金属散热板，以真空度为1×10-3Pa以下、接合温度为780℃以上且850℃以下、保持时间为10分钟以上且60分钟以下进行接合，从而制造。
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