公开(公告)号：CN110945974B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201880048695.7

申请日：2018-07-25

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  原田祐作 ,  中村贵裕 ,  森田周平 ,  西村浩二

IPC: H05K1/09 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K35/30 ,  C22C5/06 ,  H01L23/13 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38

Abstract: 本发明提供一种具有高接合性及优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其在陶瓷基板上隔着钎料层设置电路图案，利用由电路图案的外周溢出的钎料层形成有溢出部，钎料层含有Ag、Cu及Ti；和Sn或In，从溢出部外周起沿着陶瓷基板与电路图案的接合界面朝着内侧连续地形成300μm以上的富Ag相，接合空隙率为1.0％以下。

公开(公告)号：CN110691762A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201880036114.8

申请日：2018-05-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  原田祐作 ,  中村贵裕 ,  森田周平 ,  西村浩二

IPC: C04B37/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H05K3/20

Abstract: 提供一种耐热循环特性优异的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，在陶瓷基板的至少一个主面介由接合钎料接合有金属板，以金属成分计，相对于Ag93.0～99.4质量份、Cu0.1～5.0质量份、Sn0.5～2.0质量份的合计100质量份，上述接合钎料含有0.5～4.0质量份的选自钛、锆、铪、铌中的至少1种活性金属，陶瓷基板与金属板之间的接合钎料层组织中的富Cu相的平均尺寸为3.5μm以下，个数密度为0.015个/μm2以上。一种陶瓷电路基板的制造方法，其包含：在接合温度855～900℃、保持时间10～60分钟的条件下进行接合。

公开(公告)号：CN110537256A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201880026676.4

申请日：2018-04-24

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 原田祐作 ,  汤浅晃正 ,  中村贵裕 ,  森田周平 ,  西村浩二

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 提供耐热循环特性优异的陶瓷电路基板及功率组件。一种陶瓷电路基板，借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成，其中，接合空隙率为1.0％以下，作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm～20μm。一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，趋向接合温度的升温过程中的400℃～700℃的温度范围内的加热时间为5分钟～30分钟，以720℃～800℃的接合温度保持5分钟～30分钟而进行接合。

公开(公告)号：CN110537256B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201880026676.4

申请日：2018-04-24

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 原田祐作 ,  汤浅晃正 ,  中村贵裕 ,  森田周平 ,  西村浩二

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/15 ,  H01L21/48

Abstract: 提供耐热循环特性优异的陶瓷电路基板及功率组件。一种陶瓷电路基板，借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成，其中，接合空隙率为1.0％以下，作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm～20μm。一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，趋向接合温度的升温过程中的400℃～700℃的温度范围内的加热时间为5分钟～30分钟，以720℃～800℃的接合温度保持5分钟～30分钟而进行接合。

公开(公告)号：CN116457428A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180075061.2

申请日：2021-12-02

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 原田祐作 ,  古贺祐司

IPC: C09D17/00

Abstract: 炭黑，其比表面积为150m2/g以上400m2/g以下、微晶尺寸相对比表面积(SSA(m2/g))之比(Lc/SSA)为0.15以下。

公开(公告)号：CN110691762B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201880036114.8

申请日：2018-05-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  原田祐作 ,  中村贵裕 ,  森田周平 ,  西村浩二

IPC: C04B37/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H05K3/20

Abstract: 提供一种耐热循环特性优异的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，在陶瓷基板的至少一个主面介由接合钎料接合有金属板，以金属成分计，相对于Ag93.0～99.4质量份、Cu0.1～5.0质量份、Sn0.5～2.0质量份的合计100质量份，上述接合钎料含有0.5～4.0质量份的选自钛、锆、铪、铌中的至少1种活性金属，陶瓷基板与金属板之间的接合钎料层组织中的富Cu相的平均尺寸为3.5μm以下，个数密度为0.015个/μm2以上。一种陶瓷电路基板的制造方法，其包含：在接合温度855～900℃、保持时间10～60分钟的条件下进行接合。

公开(公告)号：CN119256411A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380042624.7

申请日：2023-03-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 日高将智 ,  永井达也 ,  原田祐作 ,  伊藤哲哉

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139

Abstract: 正极组合物，其含有炭黑、碳纳米管、粘结材料、和活性物质，所述炭黑的DBP吸收量(DBP)相对于压缩DBP吸收量(CDBP)之比(DBP/CDBP)为2.0以下，所述碳纳米管具有5～15nm的平均直径。

公开(公告)号：CN117957285A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280061480.5

申请日：2022-09-27

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 中嶋道也 ,  永井达也 ,  原田祐作 ,  山田将人 ,  田中康介

IPC: C09C1/48 ,  C09D17/00 ,  H01M4/02 ,  H01M4/13 ,  H01M4/62

Abstract: 炭黑，其在490Pa的压强下压缩3分钟后的堆积密度为0.08g/cm3以下。炭黑，其使用自转公转式搅拌机以重力加速度400G的条件搅拌30分钟后的堆积密度为0.1g/cm3以下。

公开(公告)号：CN116457427A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180075059.5

申请日：2021-12-02

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 原田祐作 ,  古贺祐司

IPC: C09D17/00

Abstract: 炭黑，其比表面积为150m2/g以上400m2/g以下、且DBP吸收量(DBP)相对压缩DBP吸收量(CDBP)之比(DBP/CDBP)为2.0以下。

公开(公告)号：CN116457427B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202180075059.5

申请日：2021-12-02

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 原田祐作 ,  古贺祐司

IPC: H01M4/02 ,  C09D17/00

Abstract: 炭黑，其比表面积为150m2/g以上400m2/g以下、且DBP吸收量(DBP)相对压缩DBP吸收量(CDBP)之比(DBP/CDBP)为2.0以下。