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公开(公告)号：CN115298150B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202180022041.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B35/583 , C01B21/064 , H01L23/373 , C04B38/00 , C04B41/83 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供氮化硼烧结体，其为具有多孔质结构的氮化硼烧结体，且包含氮化硼的一次粒子聚集而形成的粒径为15μm以上的块状粒子。还提供氮化硼烧结体的制造方法，其具有：氮化工序，将包含碳化硼的原料粉末在含氮的气氛下进行烧成，得到包含块状粒子的烧成物，所述块状粒子具有碳氮化硼的一次粒子聚集的芯部、和包围芯部的壳部；和烧成工序，进行含有烧结助剂和包含块状粒子的烧成物的配合物的成型及加热，得到具有多孔质结构且包含氮化硼的块状粒
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公开(公告)号：CN115066406A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180013551.X
申请日：2021-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B35/583 , C04B38/00 , C04B41/83 , H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供氮化硼烧结体，其是包含氮化硼粒子和气孔的氮化硼烧结体，所述氮化硼烧结体是片状的且厚度小于2mm。本发明提供氮化硼烧结体的制造方法，其具有进行包含碳氮化硼粉末和烧结助剂的配合物的成型及加热来得到包含氮化硼粒子和气孔的、片状的氮化硼烧结体的烧结工序，其中，烧结工序中得到的氮化硼烧结体的厚度小于2mm。
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公开(公告)号：CN112772001A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980062400.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 接合基板(10)，其具备：基板(20)；金属板(30)，其与基板(20)构成层叠状态且具有基板(20)侧的第1面(32)和位于第1面(32)的相反侧的第2面(34)，在从层叠方向观察时，第1面(32)的缘部与第2面(34)的缘部相比更靠外侧；及接合构件(40)，其配置在基板(20)与金属板(30)之间且将金属板(30)与基板(20)接合，在从层叠方向观察时，所述接合构件(40)在金属板(30)的全周范围内从缘部伸出，其中，沿层叠方向切断而得的切断面中的、从相当于第1面(32)的周缘的部分至相当于第2面(34)的周缘的部分的周面长度(A)、接合构件(40)的伸出长度(B)、及金属板(30)的厚度(C)满足下述的第1式及第2式。(第1式)0.032≤B/(A+B)≤0.400(第2式)0.5(mm)≤C≤2.0(mm)。
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公开(公告)号：CN110945974A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048695.7
申请日：2018-07-25
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高接合性及优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其在陶瓷基板上隔着钎料层设置电路图案，利用由电路图案的外周溢出的钎料层形成有溢出部，钎料层含有Ag、Cu及Ti；和Sn或In，从溢出部外周起沿着陶瓷基板与电路图案的接合界面朝着内侧连续地形成300μm以上的富Ag相，接合空隙率为1.0％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110731129A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880037182.6
申请日：2018-06-07
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。
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公开(公告)号：CN110731129B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201880037182.6
申请日：2018-06-07
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。
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公开(公告)号：CN115299188A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021171.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K3/06 , H01L21/308
Abstract: 具有本发明的规定的电路图案的、带有抗蚀剂固化膜的陶瓷电路基板的制造方法包括下述工序：准备依次层叠有陶瓷基板、包含氮化钛的层、包含银的钎料层、和具有导电性的金属板的金属‑陶瓷接合体的工序；将利用喷墨印刷法在前述金属板上沿前述电路图案涂布抗蚀剂油墨并进行固化而形成单层抗蚀剂固化膜的操作重复多次，从而形成多层抗蚀剂固化膜的工序；在除存在于前述多层抗蚀剂固化膜的下方的部分外使用蚀刻液对前述包含氮化钛的层、前述包含银的钎料层和前述金属板进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN113490654A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080017805.0
申请日：2020-02-28
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B35/622 , B28B11/00 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B35/634 , H01L23/00 , H01L23/12 , H05K1/03 , H05K3/00
Abstract: 本发明提供具备多个基板形成区域的陶瓷生片。在该陶瓷生片的一部分，描绘有条形码或二维码。该条形码或二维码是将下述信息(a)至(d)中的一者或两者以上进行编码而得到的，(a)与制造陶瓷生片时的原材料相关的信息；(b)与陶瓷生片的成型条件相关的信息；(c)与堆积多张陶瓷生片时使用的脱模剂相关的信息；(d)序列号。
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公开(公告)号：CN113226610A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980086356.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷‑铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层的平板状陶瓷‑铜复合体，其中，将陶瓷‑铜复合体沿着与其主面垂直的面切断时，在铜层的切面中，将具有自(102)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(102)％、具有自(101)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(101)％、具有自(111)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(111)％、具有自(112)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(112)％时，满足特定的式(1)。
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