公开(公告)号：CN110731129B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201880037182.6

申请日：2018-06-07

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 青野良太 ,  中原史博 ,  西村浩二 ,  津川优太

IPC: H05K3/18 ,  B23K1/00 ,  C23C18/42 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

Abstract: 课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。

公开(公告)号：CN110709369A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880036002.2

申请日：2018-05-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  原田祐作 ,  青野良太 ,  岩切翔二

IPC: C04B37/02 ,  B23K35/30 ,  C22C5/06 ,  H01L23/14 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38

Abstract: 提供一种具有高接合性和优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，陶瓷基板和铜板介由钎料而接合，所述钎料含有Ag、Cu以及选自Ti和Zr中的至少1种活性金属成分和选自In、Zn、Cd和Sn中的至少1种元素，接合后的钎料层的连续率为80％以上且钎料层的维氏硬度为60～85Hv。

公开(公告)号：CN118844120A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380026489.7

申请日：2023-02-24

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  矢野清治 ,  田中淳一

IPC: H05K1/09 ,  H05K1/03

Abstract: 陶瓷复合基板具备：陶瓷板；第1电路部，其设置于陶瓷板的主面；和第2电路部，其以沿着规定方向在与第1电路部之间隔开间隔的状态下设置于主面。第1电路部具有设置于主面的接合体、借助接合体接合到主面的金属体、和以覆盖金属体的表面及接合体中的从金属体伸出的部分的方式形成的金属被膜。接合体包含与金属体接合且银的含量为50质量％以上的第1接合层、和与主面接合且银的含量比第1接合层少的第2接合层。第2接合层与第2电路部之间的规定方向上的距离D2小于第1接合层与第2电路部之间的规定方向上的距离D1。

公开(公告)号：CN114667806B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202080078881.2

申请日：2020-11-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  小桥圣治 ,  江嶋善幸 ,  汤浅晃正

IPC: H05K1/02 ,  C04B35/581 ,  C04B35/587 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由前述一对对角线划分出的4个区域中，隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置，前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。

公开(公告)号：CN114667806A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202080078881.2

申请日：2020-11-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  小桥圣治 ,  江嶋善幸 ,  汤浅晃正

IPC: H05K1/02 ,  C04B35/581 ,  C04B35/587 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由前述一对对角线划分出的4个区域中，隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置，前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。

公开(公告)号：CN113632217A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080025283.9

申请日：2020-03-27

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  小桥圣治 ,  西村浩二

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/36 ,  C04B37/02 ,  C04B35/587 ,  G01N23/223

Abstract: 本发明提供氮化硅基板，其为含有氮化硅和镁的氮化硅基板，在特定的条件I下，利用X射线荧光分析装置对氮化硅基板的表面进行分析时，XB/XA为0.8以上、1.0以下。

公开(公告)号：CN118891961A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380026490.X

申请日：2023-02-24

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  矢野清治 ,  田中淳一

IPC: H05K1/09 ,  H05K1/03

Abstract: 陶瓷复合基板具备：陶瓷板；第1电路部，其设置于陶瓷板的主面；和第2电路部，其以沿着规定方向在与第1电路部之间隔开间隔的状态下设置于主面。第1电路部具有设置于主面的接合体、借助接合体接合到主面的金属体、和以覆盖金属体的表面及接合体中的从金属体伸出的部分的方式形成的金属被膜。接合体包含与金属体接合且银的含量为50质量％以上的银接合层。金属被膜包含以覆盖银接合层中的与第2电路部相对的侧面的方式形成的侧方部分。上述侧方部分的靠近第2电路部的端部与银接合层的靠近第2电路部的端部之间的规定方向上的距离L大于金属被膜的厚度H。

公开(公告)号：CN114830837B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202080078894.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  小桥圣治 ,  江嶋善幸 ,  汤浅晃正

IPC: H05K1/02 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  C04B35/587

Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在与由其一对对角线形成的交叉点错开的位置形成有至少一个凸状部分，所述至少一个凸状部分朝向其板厚方向的一侧或另一侧成为凸状，前述至少一个凸状部分的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为2μm/mm以下。

公开(公告)号：CN114830837A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080078894.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  小桥圣治 ,  江嶋善幸 ,  汤浅晃正

IPC: H05K1/02 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  C04B35/587

Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在与由其一对对角线形成的交叉点错开的位置形成有至少一个凸状部分，所述至少一个凸状部分朝向其板厚方向的一侧或另一侧成为凸状，前述至少一个凸状部分的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为2μm/mm以下。

公开(公告)号：CN116848633A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280014614.8

申请日：2022-02-08

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  藤吉大树 ,  山县利贵

IPC: H01L23/12

Abstract: 本公开文本的一个方面涉及的陶瓷板具有第1主面及第2主面、和由形成于第1主面的多个孔构成的划片槽。将第1弯曲强度设为在第1主面被2个支点支承且划片槽沿着施加于第2主面的载荷点的状态下利用3点弯曲试验测得的值，将第2弯曲强度设为在2个支点间不存在划片槽的状态下利用3点弯曲试验测得的值，此时，第1弯曲强度为380MPa以上，并且为第2弯曲强度的0.56倍以下。