公开(公告)号：CN113646149B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202080021035.7

申请日：2020-03-12

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  江嶋善幸 ,  藤吉大树 ,  小桥圣治 ,  西村浩二

IPC: B28D5/00 ,  B23K26/364 ,  C04B41/91 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00

Abstract: 首先，利用激光，在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成划线(110)。接着，沿着划线(110)将氮化物陶瓷基材(100)分割。划线(110)包含多个凹部(112)。多个凹部(112)在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成为一列。多个凹部(112)各自的深度(d)为多个凹部(112)各自的开口宽度(w)的0.70倍以上、1.10倍以下。多个凹部(112)各自的开口宽度(w)为多个凹部(112)的中心间距离(p)的1.00倍以上、1.10倍以下。

公开(公告)号：CN114667806B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202080078881.2

申请日：2020-11-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  小桥圣治 ,  江嶋善幸 ,  汤浅晃正

IPC: H05K1/02 ,  C04B35/581 ,  C04B35/587 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由前述一对对角线划分出的4个区域中，隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置，前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。

公开(公告)号：CN114982388A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009751.8

申请日：2021-01-22

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  中村贵裕 ,  江嶋善幸 ,  小桥圣治 ,  西村浩二

IPC: H05K1/09 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明的陶瓷‑铜复合体(100)为具备陶瓷层(1)、铜层(2)、和钎料层(3)的平板状的陶瓷‑铜复合体(100)，所述钎料层(3)存在于陶瓷层(1)与铜层(2)之间且包含Sn或In、和Ag，在钎料层(3)的铜层(2)侧形成有凹凸部，在至少一个凸部(6)内，多个富Cu相(4)以彼此隔开间隔的状态存在。

公开(公告)号：CN114929650A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008663.6

申请日：2021-03-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  中村贵裕 ,  江嶋善幸 ,  小桥圣治 ,  西村浩二

IPC: C04B37/02 ,  H05K3/38

Abstract: 本发明提供电路基板，其为陶瓷基板与金属电路板隔着包含银的钎料层接合的电路基板，其中，通过EBSP法求出的上述钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。本发明提供接合体，其为陶瓷基板与金属板隔着包含银的钎料层接合的接合体，其中，通过EBSP法求出的钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。

公开(公告)号：CN114667806A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202080078881.2

申请日：2020-11-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  小桥圣治 ,  江嶋善幸 ,  汤浅晃正

IPC: H05K1/02 ,  C04B35/581 ,  C04B35/587 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由前述一对对角线划分出的4个区域中，隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置，前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。

公开(公告)号：CN114830837B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202080078894.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  小桥圣治 ,  江嶋善幸 ,  汤浅晃正

IPC: H05K1/02 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  C04B35/587

Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在与由其一对对角线形成的交叉点错开的位置形成有至少一个凸状部分，所述至少一个凸状部分朝向其板厚方向的一侧或另一侧成为凸状，前述至少一个凸状部分的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为2μm/mm以下。

公开(公告)号：CN114830837A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080078894.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  小桥圣治 ,  江嶋善幸 ,  汤浅晃正

IPC: H05K1/02 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  C04B35/587

Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在与由其一对对角线形成的交叉点错开的位置形成有至少一个凸状部分，所述至少一个凸状部分朝向其板厚方向的一侧或另一侧成为凸状，前述至少一个凸状部分的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为2μm/mm以下。

公开(公告)号：CN113646149A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080021035.7

申请日：2020-03-12

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  江嶋善幸 ,  藤吉大树 ,  小桥圣治 ,  西村浩二

IPC: B28D5/00 ,  B23K26/364 ,  C04B41/91 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00

Abstract: 首先，利用激光，在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成划线(110)。接着，沿着划线(110)将氮化物陶瓷基材(100)分割。划线(110)包含多个凹部(112)。多个凹部(112)在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成为一列。多个凹部(112)各自的深度(d)为多个凹部(112)各自的开口宽度(w)的0.70倍以上、1.10倍以下。多个凹部(112)各自的开口宽度(w)为多个凹部(112)的中心间距离(p)的1.00倍以上、1.10倍以下。

公开(公告)号：CN113508016A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202080011345.0

申请日：2020-01-30

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  江嶋善幸 ,  渡边龙平 ,  小桥圣治 ,  西村浩二

IPC: B28B11/14

Abstract: 本发明的单张生片的制造方法包括下述工序：搬运工序，将包含陶瓷而构成的带状生片沿其长度方向进行搬运；及照射工序，通过对被搬运的上述带状生片照射激光来切割上述带状生片而得到单张生片。