公开(公告)号：CN112513348A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980048251.8

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社电装 ,  东洋炭素株式会社 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  神田贵裕 ,  冈本武志 ,  鸟见聪 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。

公开(公告)号：CN112513348B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201980048251.8

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  神田贵裕 ,  冈本武志 ,  鸟见聪 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。

公开(公告)号：CN119381255A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411443275.2

申请日：2019-07-25

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 矢吹纪人 ,  中岛祐治 ,  坂口卓也 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22

Abstract: 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。

公开(公告)号：CN107004592A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580062705.9

申请日：2015-11-17

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  学校法人关西学院

Inventor： 鸟见聪 ,  篠原正人 ,  寺元阳次 ,  矢吹纪人 ,  野上晓 ,  金子忠昭 ,  芦田晃嗣 ,  久津间保德

IPC: H01L21/302 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12

Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。

公开(公告)号：CN103857835B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280041389.3

申请日：2012-08-24

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  大谷升 ,  牛尾昌史 ,  安达步 ,  野上晓

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: H01L21/02664 ,  C30B19/04 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/67109 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法，包括：碳层形成工序、贯穿孔形成工序、馈源层形成工序和外延层形成工序。在碳层形成工序中，在由多晶SiC构成的基板（70）的表面形成碳层71）。在贯穿孔形成工序中，在形成在基板（70）的碳层（71）形成贯穿孔（71c）。在馈源层形成工序中，在碳层（71）的表面形成Si层（72）和3C－SiC多晶层（73）。在外延层形成工序中，通过对基板（70）进行加热，在通过贯穿孔（71c）露出的基板（70）的表面形成由4H－SiC单晶构成的晶种，使晶种进行接近液相外延生长，形成4H－SiC单晶层。

公开(公告)号：CN106030774A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009990.8

申请日：2015-03-10

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 鸟见聪 ,  矢吹纪人 ,  野上晓

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种SiC基板的潜伤深度推定方法，包括蚀刻工序、计测工序和推定工序。在蚀刻工序中，对于至少表面由单晶SiC构成，并且进行了机械加工后的SiC基板，通过在Si气氛下进行加热处理而对该SiC基板的表面进行蚀刻。在计测工序中，对进行了蚀刻工序的SiC基板的表面粗糙度或者残留应力进行计测。在推定工序中，基于在计测工序中得到的结果，推定蚀刻工序前的SiC基板的潜伤的深度或者有无潜伤。

公开(公告)号：CN104854678A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201380059730.2

申请日：2013-11-15

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 鸟见聪 ,  矢吹纪人 ,  野上晓

IPC: H01L21/265 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/673 ,  C23C10/02 ,  C23C10/22 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  C30B35/002 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/046 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种Si不会落到单晶SiC基板上，且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。该收容容器收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板。该收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。硅化钽层向内部空间提供Si。此外，硅化钽层不同于固着的Si，不会熔化落下。

公开(公告)号：CN101659409A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910163506.3

申请日：2004-10-09

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 藤田一郎 ,  野上晓

IPC: C01B31/00 ,  C04B35/83 ,  C04B41/65

CPC classification number: C04B35/536 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/522 ,  C04B35/64 ,  C04B35/83 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/727 ,  C30B29/36 ,  C30B35/00 ,  Y10T428/2918 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31504 ,  C04B41/4531

Abstract: 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×10 18 原子/cm 3 或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×10 16 原子/cm 3 或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×10 18 原子/cm 3 或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。

公开(公告)号：CN107002288B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201580063339.9

申请日：2015-11-17

Applicant: 学校法人关西学院 ,  东洋炭素株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  芦田晃嗣 ,  久津间保德 ,  鸟见聪 ,  篠原正人 ,  寺元阳次 ,  矢吹纪人 ,  野上晓

IPC: H01L21/302 ,  C30B33/12 ,  C30B29/36

Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。

公开(公告)号：CN106460168B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201580032799.5

申请日：2015-06-01

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 篠原正人 ,  阿部纯久 ,  野上晓

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/458 ,  C23C16/56 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种在晶片上形成薄膜时，能够抑制杂质等附着于晶片的基座及其制造方法。该基座的特征在于，具备：具有凹部(11)的基材(10)、直接形成在凹部(11)的底面(11a)和侧面(11b)上的碳化钽层(22)、和形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化硅层(20)。