公开(公告)号：CN100508122C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200410095406.9

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 大沼英人 ,  坂仓真之 ,  三谷康弘 ,  松尾拓哉 ,  北角英人

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上；进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。

公开(公告)号：CN1670915A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410095406.9

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 大沼英人 ,  坂仓真之 ,  三谷康弘 ,  松尾拓哉 ,  北角英人

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上，进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。

公开(公告)号：CN102646698B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210130042.8

申请日：2008-09-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN102306629B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110254200.6

申请日：2008-06-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  今林良太 ,  饭洼阳一 ,  牧野贤一郎 ,  永松翔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/77 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：对半导体基板的一个表面照射离子，从而在离所述一个表面有一定深度的区域中形成脆化层；在所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；将所述一个表面和所述支撑基板与所述绝缘层接合；加热所述半导体基板，以使所述脆化层中产生裂缝；在所述脆化层中分离所述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成半导体层；对所述半导体层照射电磁波；在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理；使用所述半导体层形成半导体元件；在所述半导体元件上形成发光元件；以及在所述发光元件上形成彩色滤光片。

公开(公告)号：CN101663733B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200880012749.0

申请日：2008-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  小路博信 ,  大沼英人 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明的一个目的是提供即使使用像玻璃衬底或塑料衬底那样的柔性衬底，也可以高产率地制造可以用在实际应用中的含有SOI层的SOI衬底的方法。并且，本发明的另一个目的是提供使用这样的SOI衬底高产率地制造薄半导体器件的方法。当将单晶半导体衬底与含有绝缘表面的柔性衬底结合和分离单晶半导体衬底以制造SOI衬底时，激活结合表面之一或两者，然后将含有绝缘表面的柔性衬底和单晶半导体衬底相互附接在一起。

公开(公告)号：CN101409222B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810169889.0

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明的目的在于提供一种有效地利用资源，并且生产率良好地制造SOI衬底的技术。本发明的技术要点是反复进行如下工序A和工序B的。工序A包括如下：将簇离子照射到半导体片的表面，在半导体片中形成分离层。半导体片和具有绝缘表面的衬底彼此重叠而接合，然后，通过进行热处理，在分离层或该分离层附近分离半导体片。在工序A中同时获得剥离片和在具有绝缘表面的衬底上方具有晶体半导体层的SOI衬底。工序B包括如下：进行为了再利用剥离片的处理，其结果可以在工序A中继续利用该剥离片。

公开(公告)号：CN1877799B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200610091544.9

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  物江滋春 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明的目的是不通过形成侧壁间隔并不增加工艺数量，而以自对准方式提供至少具有一个LDD区域的TFT。在本发明中，将提供有由衍射光栅图案或半透明膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模适用于栅电极形成用光蚀刻工艺中，形成包括厚度厚的区域和在其一边上的比所述区域更薄的区域的左右不对称的抗蚀剂图案；形成具有台阶结构的栅电极；将杂质元素经过栅电极的厚度薄的区域添加到半导体层，而以自对准方式形成LDD区域。

公开(公告)号：CN102306629A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110254200.6

申请日：2008-06-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  今林良太 ,  饭洼阳一 ,  牧野贤一郎 ,  永松翔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/77 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：对半导体基板的一个表面照射离子，从而在离所述一个表面有一定深度的区域中形成脆化层；在所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；将所述一个表面和所述支撑基板与所述绝缘层接合；加热所述半导体基板，以使所述脆化层中产生裂缝；在所述脆化层中分离所述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成半导体层；对所述半导体层照射电磁波；在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理；使用所述半导体层形成半导体元件；在所述半导体元件上形成发光元件；以及在所述发光元件上形成彩色滤光片。

公开(公告)号：CN1608980B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200410058766.1

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人

IPC: C01B31/02 ,  C01B31/04 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/18 ,  D01F9/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明的目的是提供一种极细碳纤维的制作方法，该制作方法能够控制极细碳纤维的直径。本发明的另一目的是提供一种场致发射元件的制造方法，该场致发射元件的电子发射部分由极细碳纤维组成，且该制作方法能够控制电子发射部分的密度和直径。本发明的特征是：在半导体膜的晶粒边界处凝集金属元素或金属硅化物并控制该金属元素或金属硅化物的大小和密度，之后，以该金属元素或金属硅化物为核形成极细碳纤维。

公开(公告)号：CN101752294A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910262141.X

申请日：2009-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  桃纯平 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及SOI衬底的制造方法以及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种减少SOI衬底的单晶半导体层中的氧浓度的方法。通过使单晶半导体层成为熔化状态，来促进氧的外方扩散。具体来说，形成具有支撑衬底、设置在所述支撑衬底上的含有氧的接合层、以及设置在所述含有氧的接合层上的单晶半导体层的SOI结构；在将所述支撑衬底加热到500℃以上且低于所述支撑衬底的熔点的温度的状态下，通过照射激光束使所述单晶半导体层部分熔化，由此制造SOI衬底。