公开(公告)号：CN100508122C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200410095406.9

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 大沼英人 ,  坂仓真之 ,  三谷康弘 ,  松尾拓哉 ,  北角英人

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上；进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。

公开(公告)号：CN1670915A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410095406.9

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 大沼英人 ,  坂仓真之 ,  三谷康弘 ,  松尾拓哉 ,  北角英人

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上，进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。

公开(公告)号：CN1165996C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN00118042.8

申请日：2000-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  北角英人 ,  福永健司

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种具有高操作性能和高可靠性的电光器件和包括这种电光器件的电子设备。通过在形成驱动电路的n沟道TFT中设置叠加栅极的LDD区可实现抗热载流子注入能力很强的TFT结构。此外，通过在形成象素部分的象素TFT中设置不叠加栅极的LDD区可实现具有低截止电流值的TFT结构。而且，该电光器件具有在同一绝缘体上的存储部分，该存储部分具有存储晶体管并存储数据。

公开(公告)号：CN1555096A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN200410069968.6

申请日：2000-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  北角英人 ,  福永健司

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L29/788 ,  H01L29/786 ,  H01L31/00 ,  G09G3/00

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78675

Abstract: 根据本发明的一种半导体器件，包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。

公开(公告)号：CN1881610A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610101410.0

申请日：2000-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  北角英人 ,  福永健司

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78675

Abstract: 根据本发明的一种半导体器件，包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。

公开(公告)号：CN1272695A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN00118042.8

申请日：2000-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  北角英人 ,  福永健司

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种具有高操作性能和高可靠性的电光器件和包括这种电光器件的电子设备。通过在形成驱动电路的n沟道TFT中设置叠加栅极的LDD区可实现抗热载流子注入能力很强的TFT结构。此外,通过在形成象素部分的象素TFT中设置不叠加栅极的LDD区可实现具有低截止电流值的TFT结构。而且,该电光器件具有在同一绝缘体上的存储部分,该存储部分具有存储晶体管并存储数据。

公开(公告)号：CN100502031C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610101410.0

申请日：2000-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  北角英人 ,  福永健司

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78675

Abstract: 根据本发明的一种半导体器件，包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。

公开(公告)号：CN100350318C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200410069968.6

申请日：2000-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  北角英人 ,  福永健司

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78675

Abstract: 根据本发明的一种半导体器件，包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。

公开(公告)号：CN105027296A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480012341.9

申请日：2014-02-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北角英人

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/78633 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体装置(1001)包括由基板(1)支承的氧化物半导体层(7)和导电体层(13a、13b、13c、13s)，该半导体装置中，氧化物半导体层(7)包含第一金属元素，导电体层(13a、13b、13c、13s)具有层叠构造，该层叠构造包括：包含第一金属元素的第一金属氧化物层(m1)；配置在第一金属氧化物层上且包含第二金属元素的氧化物的第二金属氧化物层(m2)；和配置在第二金属氧化物层上且包含第二金属元素的金属层(M)，第一金属氧化物层(m1)和氧化物半导体层(7)由同一氧化物膜形成，在从基板的法线方向看时，第一金属氧化物层(m1)与所述氧化物半导体层(7)不重叠。

公开(公告)号：CN101490850B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200780027041.8

申请日：2007-06-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北角英人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L29/78627 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法和电子装置。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置包括电阻元件，在使用薄膜晶体管作为电阻元件的情况下，不增大元件面积也能抑制电阻值的偏差，并且制造工序简化。本发明的半导体装置在基板上包括作为电阻元件使用的第一薄膜晶体管和具备半导体层的第二薄膜晶体管，所述半导体层具有杂质浓度不同的低浓度漏极区域和高浓度漏极区域，其中，所述第一薄膜晶体管的半导体层的沟道区域的杂质浓度与第二薄膜晶体管的半导体层的低浓度漏极区域的杂质浓度相同。