公开(公告)号：CN100403514C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200510077047.9

申请日：2005-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林耕竹 ,  郑双铭 ,  叶明灵 ,  包天一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76831

Abstract: 本发明是关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体制造方法包括使用多孔性及/或含碳的低介电常数介电层。此方法包括形成通式为CxHy的碳氢化合物层于低介电常数介电层的表面上。形成此碳氢化合物层时包括沉积前驱物质，较佳为乙烯(C2H4)或α-松油烯(CH3)2CHC6H6CH3。根据本发明的实施例，碳扩散进入低介电常数介电层中，因此可降低电浆处理或蚀刻所造成的碳耗损伤害。藉由以CxHy层来封住表面介电质孔洞，亦可修补电浆处理所造成的表面介电质孔洞的伤害。实施例包括利用所提供的方法制造而成的半导体元件，例如具有镶嵌内连线结构的元件。

公开(公告)号：CN101005023A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710003848.X

申请日：2007-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕伊 ,  包天一 ,  郑双铭 ,  余振华

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种低介电常数介电层的形成方法，包括：于一衬底上形成一材料层，材料层包括一生孔剂散布于一未固化的基材中；以具有一第一波长的放射线照射材料层使未固化的基材内形成细孔；以及以一具有第二波长的放射线照射材料层。

公开(公告)号：CN1801464A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510092988.X

申请日：2005-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴振诚 ,  张正宏 ,  黄玉莲 ,  郑双铭

IPC: H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76888 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供一种半导体装置与半导体装置的制造方法，揭露许多不同半导体装置与半导体装置的相关制造技术。在一实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括：提供一半导体基板与形成一金属硅化物于该半导体基板上。此外，该方法包括利用一包含氢/氮的复合物处理该金属硅化物的曝露表面以形成一处理层于该曝露表面上，其中该处理层的成分为阻碍该曝露表面的氧化作用。该方法还包括在该处理层和该金属复合物的曝露表面上沉积一介电质层。本发明能有效降低或消除半导体晶圆在排队等待下一处理步骤期间，发生于曝露金属硅化物元件上的氧化作用，从而改善硅化物焊垫与金属互连线间的电性连接。

公开(公告)号：CN1438702A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02105015.5

申请日：2002-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李资良 ,  郑双铭 ,  陈世昌 ,  余振华

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体基底上的金属垫(pad)的结构，适用于一半导体基底上，包括：一第一图案介电层以及一第一金属垫单元。其中，第一图案介电层形成于半导体基底上，且第一金属垫单元设置于第一图案介电层内，用以电性连接半导体基底上的组件。再者，第一金属垫单元的周边形状是多边形且每一内角大于90°，用以在进行化学机械研磨过程(chemical mechanical polishing，CMP)期间，防止应力集中于第一金属垫单元的周边顶角处而造成介电层龟裂的情形，进而提高产品的质量。

公开(公告)号：CN106926118A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610994208.9

申请日：2016-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡腾群 ,  李胜男 ,  卢永诚 ,  骆家駉 ,  郑双铭 ,  杨育佳

IPC: B24B37/32

CPC classification number: B24B37/20 ,  B24B21/004 ,  B24B21/008 ,  B24B21/06 ,  B24B27/0076 ,  B24B37/105 ,  B24B37/32

Abstract: 一种抛光机，包含晶圆载体、抛光头、移动机构、及旋转机构。晶圆载体具有支撑面。支撑面经配置以在其上载运晶圆。在晶圆载体上设置抛光头。抛光头具有抛光面。抛光头的抛光面小于晶圆载体的支撑面。移动机构经配置以相对于晶圆载体移动抛光头。旋转机构经配置以相对于晶圆载体旋转抛光头。

公开(公告)号：CN105679651A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610031430.9

申请日：2011-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王冠程 ,  施伯铮 ,  柯忠祁 ,  林耕竹 ,  郑双铭

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种内连线结构的形成方法，在内连线结构的形成中，于介电层内形成金属图形，使用前驱物以及包含碳的碳源气体作为前驱物，在金属图形及介电层之上形成蚀刻停止层，碳源气体中不含有二氧化碳，前驱物则选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组。采用本发明提供的内连线结构的形成方法，实验显示蚀刻停止层具有非常低的介电常数值，其可介于约3.0至约4.0之间。

公开(公告)号：CN102437102A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110268878.X

申请日：2011-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯忠祁 ,  周家政 ,  林耕竹 ,  刘中伟 ,  郑双铭 ,  陈美玲

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明提供一种用于在衬底上形成互连件的方法和装置，包括在超低k电介质中蚀刻图样并使用活化能辅助烘烤从超低k电介质中去除湿气。在活化能辅助烘烤期间，以大约300至400摄氏度的温度，加热超低k电介质并将其暴露给仅具有大于400nm波长的光大约1至20分钟。在湿式清洁之后或者在化学机械抛光之后或者在二者之后执行活化能辅助烘烤。

公开(公告)号：CN102194739A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110037587.X

申请日：2011-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王冠程 ,  施伯铮 ,  柯忠祁 ,  林耕竹 ,  郑双铭

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种内连线结构的形成方法，在内连线结构的形成中，于介电层内形成金属图形，使用前驱物以及包含碳的碳源气体作为前驱物，在金属图形及介电层之上形成蚀刻停止层，碳源气体中不含有二氧化碳，前驱物则选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组。采用本发明提供的内连线结构的形成方法，实验显示蚀刻停止层具有非常低的介电常数值，其可介于约3.0至约4.0之间。

公开(公告)号：CN100550316C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610150312.6

申请日：2006-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡方文 ,  陈奕伊 ,  吴振诚 ,  林志隆 ,  包天一 ,  郑双铭 ,  余振华

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，包括：提供一半导体基底；形成一介电层于该半导体基底上；通过化学气相沉积法形成一附着层于该介电层上，其中该附着层包括一过渡层形成在该介电层上，且该过渡层至少具有一自该过渡层的底部至顶部逐渐改变的特性；形成一低介电常数介电层于该附着层上，且该低介电常数介电层与该附着层在相同腔室中形成；以及形成一镶嵌开口在该低介电常数介电层中。本发明所述的半导体结构的形成方法及半导体结构，可使低介电常数介电层及其下层之间的附着力获得改善，并因此减少破裂及/或剥离的问题发生。

公开(公告)号：CN101241857A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810005454.2

申请日：2008-02-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕伊 ,  蔡方文 ,  吴振诚 ,  包天一 ,  郑双铭 ,  余振华

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低介电系数介电层上；以及同时熟化低介电系数介电层及低介电系数帽盖层，以移除第一及第二成孔剂，使产生第一孔隙度于低介电系数介电层中，及第二孔隙度于低介电系数帽盖层中。第二孔隙度优选地小于第一孔隙度。优选地，低介电系数介电层及低介电系数帽盖层包含一组共同的前趋物及成孔剂，且原位进行。