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公开(公告)号：CN113206192B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110430005.8
申请日：2021-04-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器、阵列及其制备方法，其特征在于，包括多个相互平行且设有间隙的第二电极层，所述第二电极层上设有阻变层，所述阻变层包括设于第二电极层上的介质层和设于介质层上的MXene，所述介质层为钡铁氧体，所述介质层上设有多个相互平行且设有间隙的第一电极层，所述第一电极层与第二电极层之间交叉布设。本发明能够显著提高阻变层的开关特性和稳定性，使得基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器能够更好的应用于多值存储，大大增加了铁电存储器的存储密度和应用范围。
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公开(公告)号：CN114400283A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111638833.7
申请日：2021-12-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用，通过布设底电极、阻变层、顶电极，并对其厚度、材质进行限定，能够提高阻变层及整个忆阻器件的导电性和稳定性。其中，所述阻变层为铁电材料，通过对该忆阻器件进行不同的限流测试，可得到不同阻态，使得忆阻器件阻态更稳定且可用于三值存储和三值逻辑计算。本发明提供的忆阻器件，基于忆阻器内部导通的不可预测性，该忆阻器件的导通电压较为分散，表现出良好的随机性，且导通时阻值急剧减少，便于检测，可用于发生随机数，能够应用于构造随机数发生器，其应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN117457052A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311540894.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种用于提高RRAM存储器件及RRAM存储阵列写数据可靠性的步进式脉冲编程算法及其电路实现方法，包括FPGA、数模转换器(DAC)、模数转换器(ADC)及外围电路；所述算法的基本原理是使RRAM器件两端产生电压降，从而使RRAM的阻态发生变化；算法所施加在RRAM两端的电压值由低到高依次递增，直到数据写入正确；每个写脉冲之间有一个读脉冲，用于验证写数据的结果，从而提高写数据的可靠性；所述算法的电路实现方法基于FPGA、数模转换器、模数转换器及外围电路。本发明提出的算法可以提高RRAM写数据的可靠性，由于FPGA的硬件可编程特点，可以针对不同的RRAM器件产生合适的读写脉冲，较为灵活，便于科研测试以及产业化应用。
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公开(公告)号：CN109560195B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201811365078.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN114284430A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111369840.1
申请日：2021-11-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法，铁电忆阻器件设置在衬底上，铁电忆阻器件包括从下至上依次布设的底电极、阻变层和顶电极，所述底电极和顶电极的材质为TiN，所述阻变层的材质为La2Ti2O7；所述阻变层的底面与所述底电极的顶面相接触，所述阻变层的顶面与所述顶电极的底面相接触；所述铁电忆阻器件集成有1个区域的NJUPT字样的单一器件、2个区域的长方形单一器件、3个区域的圆形单一器件、9个3×3忆阻器阵列、3个8×8忆阻器阵列、1个12×12忆阻器阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112436088A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202110107576.8
申请日：2021-01-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于忆阻器的微型可持续芯片散热结构及制备方法，所述散热结构包括从上至下依次贴合设置的底电极、翻转基板、势垒层和衬底层，所述衬底层设有导线散热通道，还包括与导线散热通道垂直设置的冷却液管道；本发明还提供了相应的散热结构制备方法；本发明提供的散热结构的导热性和稳定性较好，附着于其上的忆阻器阻态更稳定，可用于忆阻器网络的散热，具有广阔的应用前景；此外，本发明的提供的忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。
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公开(公告)号：CN112018236A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010742267.3
申请日：2020-07-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于PZT的忆阻器件，设置在衬底上，忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且阻变层、底电极与衬底的形状、尺寸一一匹配；阻变层为铁电材料PZT层，顶电极为活性金属层，底电极为惰性金属层；顶电极通过掩膜板的开孔溅射在阻变层的顶部，底电极的顶部、底部分别与介质层、衬底相触接，本发明导电性和稳定性佳，阻态更稳定，具有明显的人脑突触特性，可用于多值存储、类脑系统构建，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111129299A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010019961.2
申请日：2020-01-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于二维材料的铁电忆阻器件及其制备方法，该铁电忆阻器件设置在衬底上，该铁电忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，所述阻变层包括介质层和敷设在该铁电材料介质层上方的MXene材料膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述MXene材料膜的顶部，所述底电极包括顶部和底部，顶电极的顶部与所述介质层相触接，顶电极的底部与所述衬底相触接。该铁电忆阻器件的导电性和稳定性佳，阻态更稳定，可用于多值存储，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低，适合在产业上推广使用。
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公开(公告)号：CN116741232A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310422788.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器的循环电路及方法，其中电路包括参考电压生成模块，参考电压选择模块，稳压器模块，输出选择模块。首先经由参考电压生成模块产生两个参考电压VREF1和VREF2，经过参考电压选择模块的开关SW1、SW2有选择性的输入到稳压器模块，稳压器根据输入的参考电压生成忆阻器开启电压或忆阻器复位电压，再经过输出选择模块施加于忆阻器。本发明能通过简单的高低电平控制信号，实现忆阻器的开启或复位。
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公开(公告)号：CN116490004A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310395009.6
申请日：2023-04-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种新型结构的钛酸镧铁电忆阻器及其制备方法，其特征在于，包括多个相互平行且设有间隙的Pt底电极层，所述第二电极层上设有阻变层，所述阻变层为位于第二电极层上的介质层，所述介质层为40nm厚度的钛酸镧薄膜和1.37nm总厚度的银薄膜，所述介质层上设有多个相互平行且设有间隙的Ag顶电极层，所述顶电极层与底电极层之间交叉布设。本发明通过对介质层厚度的增大和Ag原子的掺杂提升了钛酸镧铁电忆阻器的开关比，极大降低了器件的功耗，使器件满足神经形态计算的功耗需求。
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