公开(公告)号：CN116490004A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310395009.6

申请日：2023-04-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王德波 ,  陈星宇 ,  童祎 ,  张缪城

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种新型结构的钛酸镧铁电忆阻器及其制备方法，其特征在于，包括多个相互平行且设有间隙的Pt底电极层，所述第二电极层上设有阻变层，所述阻变层为位于第二电极层上的介质层，所述介质层为40nm厚度的钛酸镧薄膜和1.37nm总厚度的银薄膜，所述介质层上设有多个相互平行且设有间隙的Ag顶电极层，所述顶电极层与底电极层之间交叉布设。本发明通过对介质层厚度的增大和Ag原子的掺杂提升了钛酸镧铁电忆阻器的开关比，极大降低了器件的功耗，使器件满足神经形态计算的功耗需求。

公开(公告)号：CN113571636A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110848928.5

申请日：2021-07-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 韩翱泽 ,  张缪城 ,  秦琦 ,  陈子洋 ,  陈星宇 ,  童祎

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种柔性忆阻器件及其制备方法，柔性忆阻器件，包括由上到下依次设置的顶电极、阻变层、底电极和衬底，阻变层为淀粉样多肽纳米纤维负载的金纳米颗粒材料层。制备步骤包括：淀粉样多肽纳米纤维负载的金纳米颗粒复合材料的制备、底电极溅射、阻变层滴铸和顶电极溅射。本发明通过在底电极之上覆盖一层淀粉样多肽纳米纤维—金纳米颗粒复合材料膜构成阻变层，使阻变层及整个忆阻器件的导电性和稳定性，在不同的电流限制情况下，开启后的阻值量级不同，具有用于存算一体架构的潜力。且本发明的制备方法简单、高效，成本低，可广泛用于工业生产。

公开(公告)号：CN113206192A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110430005.8

申请日：2021-04-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈星宇 ,  张缪城 ,  秦琦 ,  倪康 ,  陈子洋 ,  韩翱泽 ,  童祎

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器、阵列及其制备方法，其特征在于，包括多个相互平行且设有间隙的第二电极层，所述第二电极层上设有阻变层，所述阻变层包括设于第二电极层上的介质层和设于介质层上的MXene，所述介质层为钡铁氧体，所述介质层上设有多个相互平行且设有间隙的第一电极层，所述第一电极层与第二电极层之间交叉布设。本发明能够显著提高阻变层的开关特性和稳定性，使得基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器能够更好的应用于多值存储，大大增加了铁电存储器的存储密度和应用范围。

公开(公告)号：CN114400283A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202111638833.7

申请日：2021-12-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈子洋 ,  秦琦 ,  张缪城 ,  陈星宇 ,  韩翱泽 ,  童祎

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用，通过布设底电极、阻变层、顶电极，并对其厚度、材质进行限定，能够提高阻变层及整个忆阻器件的导电性和稳定性。其中，所述阻变层为铁电材料，通过对该忆阻器件进行不同的限流测试，可得到不同阻态，使得忆阻器件阻态更稳定且可用于三值存储和三值逻辑计算。本发明提供的忆阻器件，基于忆阻器内部导通的不可预测性，该忆阻器件的导通电压较为分散，表现出良好的随机性，且导通时阻值急剧减少，便于检测，可用于发生随机数，能够应用于构造随机数发生器，其应用前景广阔。

公开(公告)号：CN113206192B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202110430005.8

申请日：2021-04-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈星宇 ,  张缪城 ,  秦琦 ,  倪康 ,  陈子洋 ,  韩翱泽 ,  童祎

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器、阵列及其制备方法，其特征在于，包括多个相互平行且设有间隙的第二电极层，所述第二电极层上设有阻变层，所述阻变层包括设于第二电极层上的介质层和设于介质层上的MXene，所述介质层为钡铁氧体，所述介质层上设有多个相互平行且设有间隙的第一电极层，所述第一电极层与第二电极层之间交叉布设。本发明能够显著提高阻变层的开关特性和稳定性，使得基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器能够更好的应用于多值存储，大大增加了铁电存储器的存储密度和应用范围。

公开(公告)号：CN114284430A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111369840.1

申请日：2021-11-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈星宇 ,  张缪城 ,  秦琦 ,  戎焕焕 ,  童祎

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提出一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法，铁电忆阻器件设置在衬底上，铁电忆阻器件包括从下至上依次布设的底电极、阻变层和顶电极，所述底电极和顶电极的材质为TiN，所述阻变层的材质为La2Ti2O7；所述阻变层的底面与所述底电极的顶面相接触，所述阻变层的顶面与所述顶电极的底面相接触；所述铁电忆阻器件集成有1个区域的NJUPT字样的单一器件、2个区域的长方形单一器件、3个区域的圆形单一器件、9个3×3忆阻器阵列、3个8×8忆阻器阵列、1个12×12忆阻器阵列。