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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113206192B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110430005.8
申请日：2021-04-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器、阵列及其制备方法，其特征在于，包括多个相互平行且设有间隙的第二电极层，所述第二电极层上设有阻变层，所述阻变层包括设于第二电极层上的介质层和设于介质层上的MXene，所述介质层为钡铁氧体，所述介质层上设有多个相互平行且设有间隙的第一电极层，所述第一电极层与第二电极层之间交叉布设。本发明能够显著提高阻变层的开关特性和稳定性，使得基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器能够更好的应用于多值存储，大大增加了铁电存储器的存储密度和应用范围。
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公开(公告)号：CN116741232A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310422788.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器的循环电路及方法，其中电路包括参考电压生成模块，参考电压选择模块，稳压器模块，输出选择模块。首先经由参考电压生成模块产生两个参考电压VREF1和VREF2，经过参考电压选择模块的开关SW1、SW2有选择性的输入到稳压器模块，稳压器根据输入的参考电压生成忆阻器开启电压或忆阻器复位电压，再经过输出选择模块施加于忆阻器。本发明能通过简单的高低电平控制信号，实现忆阻器的开启或复位。
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公开(公告)号：CN113571636A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110848928.5
申请日：2021-07-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种柔性忆阻器件及其制备方法，柔性忆阻器件，包括由上到下依次设置的顶电极、阻变层、底电极和衬底，阻变层为淀粉样多肽纳米纤维负载的金纳米颗粒材料层。制备步骤包括：淀粉样多肽纳米纤维负载的金纳米颗粒复合材料的制备、底电极溅射、阻变层滴铸和顶电极溅射。本发明通过在底电极之上覆盖一层淀粉样多肽纳米纤维—金纳米颗粒复合材料膜构成阻变层，使阻变层及整个忆阻器件的导电性和稳定性，在不同的电流限制情况下，开启后的阻值量级不同，具有用于存算一体架构的潜力。且本发明的制备方法简单、高效，成本低，可广泛用于工业生产。
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公开(公告)号：CN113206192A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110430005.8
申请日：2021-04-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器、阵列及其制备方法，其特征在于，包括多个相互平行且设有间隙的第二电极层，所述第二电极层上设有阻变层，所述阻变层包括设于第二电极层上的介质层和设于介质层上的MXene，所述介质层为钡铁氧体，所述介质层上设有多个相互平行且设有间隙的第一电极层，所述第一电极层与第二电极层之间交叉布设。本发明能够显著提高阻变层的开关特性和稳定性，使得基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器能够更好的应用于多值存储，大大增加了铁电存储器的存储密度和应用范围。
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公开(公告)号：CN114400283A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111638833.7
申请日：2021-12-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用，通过布设底电极、阻变层、顶电极，并对其厚度、材质进行限定，能够提高阻变层及整个忆阻器件的导电性和稳定性。其中，所述阻变层为铁电材料，通过对该忆阻器件进行不同的限流测试，可得到不同阻态，使得忆阻器件阻态更稳定且可用于三值存储和三值逻辑计算。本发明提供的忆阻器件，基于忆阻器内部导通的不可预测性，该忆阻器件的导通电压较为分散，表现出良好的随机性，且导通时阻值急剧减少，便于检测，可用于发生随机数，能够应用于构造随机数发生器，其应用前景广阔。
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