公开(公告)号：CN113889575A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111148583.9

申请日：2021-09-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 戎焕焕 ,  张强强 ,  何南 ,  童祎

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种基于钒基MXene的丝胶蛋白忆阻器及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的是上电极、阻变层、下电极和衬底，且所述阻变层包括丝胶蛋白介质层和旋涂在该介质层上方的MXene薄膜，所述上电极和下电极分别通过不同掩膜版开孔溅射，所述上电极底部与二维MXene薄膜材料相接触，所述下电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相接触。该忆阻器采用了丝胶蛋白材料作为介质层，并且首次将二维材料MXene引入到丝胶蛋白忆阻器的阻变层，器件阈值电压小，功耗低，器件集成度高，制备方法简单高效，材料成本低，应用前景广泛。

公开(公告)号：CN113889575B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202111148583.9

申请日：2021-09-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 戎焕焕 ,  张强强 ,  何南 ,  童祎

IPC: H10K10/50 ,  H10K10/80 ,  H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明提供了一种基于钒基MXene的丝胶蛋白忆阻器及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的是上电极、阻变层、下电极和衬底，且所述阻变层包括丝胶蛋白介质层和旋涂在该介质层上方的MXene薄膜，所述上电极和下电极分别通过不同掩膜版开孔溅射，所述上电极底部与二维MXene薄膜材料相接触，所述下电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相接触。该忆阻器采用了丝胶蛋白材料作为介质层，并且首次将二维材料MXene引入到丝胶蛋白忆阻器的阻变层，器件阈值电压小，功耗低，器件集成度高，制备方法简单高效，材料成本低，应用前景广泛。

公开(公告)号：CN115964971A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211739344.5

申请日：2022-12-31

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 但荣辉 ,  魏仡昕 ,  刘城 ,  戎焕焕 ,  丁子轩 ,  贺林 ,  童祎

IPC: G06F30/3308

Abstract: 本发明公开了一种基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法，目的在于将高性能的铁电忆阻器应用到逻辑运算中。该方法将铁电忆阻器的伏安特性进行数据拟合，以建立具有铁电忆阻器特性的器件模型，然后通过Cadence Virtuoso工具设计出基于铁电忆阻器的与门、或门、减法器、加法器和比较器一系列基本逻辑电路，并对各个电路进行仿真验证本发明的可靠性。本发明意在将低功耗、快读写速度、耐久性好的铁电忆阻器器件运用到逻辑运算中，具有广阔的前景。

公开(公告)号：CN114284430A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111369840.1

申请日：2021-11-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈星宇 ,  张缪城 ,  秦琦 ,  戎焕焕 ,  童祎

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提出一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法，铁电忆阻器件设置在衬底上，铁电忆阻器件包括从下至上依次布设的底电极、阻变层和顶电极，所述底电极和顶电极的材质为TiN，所述阻变层的材质为La2Ti2O7；所述阻变层的底面与所述底电极的顶面相接触，所述阻变层的顶面与所述顶电极的底面相接触；所述铁电忆阻器件集成有1个区域的NJUPT字样的单一器件、2个区域的长方形单一器件、3个区域的圆形单一器件、9个3×3忆阻器阵列、3个8×8忆阻器阵列、1个12×12忆阻器阵列。