公开(公告)号：CN112271253A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011116882.X

申请日：2020-10-19

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张强强 ,  何南 ,  童祎

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种基于二维V2C材料的忆阻器及其制备方法，忆阻器由下至上分为若干层，依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极，阻变层位于底电极和顶电极之间，阻变层包括介质层和二维V2C材料膜，二维V2C材料膜旋涂于介质层的上表面，介质层的底部与底电极的顶部相接触；二维V2C材料膜的顶部与顶电极的底部相接触；忆阻器采用二维V2C材料，在不同的限制电流下表现出易失和非易失特性共存的现象，具有良好的稳定性、高重复性及较低的工作电压等优点。

公开(公告)号：CN113889575A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111148583.9

申请日：2021-09-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 戎焕焕 ,  张强强 ,  何南 ,  童祎

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种基于钒基MXene的丝胶蛋白忆阻器及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的是上电极、阻变层、下电极和衬底，且所述阻变层包括丝胶蛋白介质层和旋涂在该介质层上方的MXene薄膜，所述上电极和下电极分别通过不同掩膜版开孔溅射，所述上电极底部与二维MXene薄膜材料相接触，所述下电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相接触。该忆阻器采用了丝胶蛋白材料作为介质层，并且首次将二维材料MXene引入到丝胶蛋白忆阻器的阻变层，器件阈值电压小，功耗低，器件集成度高，制备方法简单高效，材料成本低，应用前景广泛。

公开(公告)号：CN113889575B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202111148583.9

申请日：2021-09-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 戎焕焕 ,  张强强 ,  何南 ,  童祎

IPC: H10K10/50 ,  H10K10/80 ,  H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明提供了一种基于钒基MXene的丝胶蛋白忆阻器及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的是上电极、阻变层、下电极和衬底，且所述阻变层包括丝胶蛋白介质层和旋涂在该介质层上方的MXene薄膜，所述上电极和下电极分别通过不同掩膜版开孔溅射，所述上电极底部与二维MXene薄膜材料相接触，所述下电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相接触。该忆阻器采用了丝胶蛋白材料作为介质层，并且首次将二维材料MXene引入到丝胶蛋白忆阻器的阻变层，器件阈值电压小，功耗低，器件集成度高，制备方法简单高效，材料成本低，应用前景广泛。