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公开(公告)号：CN112271253A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011116882.X
申请日：2020-10-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于二维V2C材料的忆阻器及其制备方法，忆阻器由下至上分为若干层，依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极，阻变层位于底电极和顶电极之间，阻变层包括介质层和二维V2C材料膜，二维V2C材料膜旋涂于介质层的上表面，介质层的底部与底电极的顶部相接触；二维V2C材料膜的顶部与顶电极的底部相接触；忆阻器采用二维V2C材料，在不同的限制电流下表现出易失和非易失特性共存的现象，具有良好的稳定性、高重复性及较低的工作电压等优点。
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公开(公告)号：CN111900249A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010679453.7
申请日：2020-07-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种忆阻器及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，所述阻变层包括介质层和旋涂在介质层上方的量子点材料膜，所述量子点材料膜由AgInZnS材料制备而成，所述介质层的底部与所述底电极的顶部接触，所述量子点材料膜的底部与所述介质层的顶部相接触、所述量子点材料膜的顶部与所述顶电极的底部相接触相较于现有技术，本发明引入量子点材料制备形成的忆阻器，具有稳定性好、均一性高和功耗低等优点，更好地满足了类脑系统对忆阻器的性能要求；同时本发明的制备方法简便高效，且材料成本低。
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公开(公告)号：CN110137350A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910352427.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种用于实现阻态连续变化的阵列忆阻器，阵列忆阻器自下而上依次包括：底电极、阻变层和顶电极，底电极、阻变层和顶电极构成层状结构，所述底电极由至少10条相互平行，尺寸、材料相同的底电极条构成，顶电极由至少10条相互平行，尺寸、材料相同的顶电极条构成，顶电极条与底电极条相互垂直，且二者之间间隔一定距离；阻变层位于顶电极条和底电极条交叉位置的空隙中，阻变层的厚度为顶电极条底部和底电极条顶部之间的距离；顶电极和阻变层之间设置有过渡金属碳化物MXene材料。在阻变层和顶电极之间加入过渡金属碳化物有助于忆阻器两端在加正向电压时规范和促进阻变层中导电细丝的生长，赋予器件阻值缓变的类脑特性。
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公开(公告)号：CN113889575B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202111148583.9
申请日：2021-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种基于钒基MXene的丝胶蛋白忆阻器及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的是上电极、阻变层、下电极和衬底，且所述阻变层包括丝胶蛋白介质层和旋涂在该介质层上方的MXene薄膜，所述上电极和下电极分别通过不同掩膜版开孔溅射，所述上电极底部与二维MXene薄膜材料相接触，所述下电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相接触。该忆阻器采用了丝胶蛋白材料作为介质层，并且首次将二维材料MXene引入到丝胶蛋白忆阻器的阻变层，器件阈值电压小，功耗低，器件集成度高，制备方法简单高效，材料成本低，应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN112467031A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011347525.4
申请日：2020-11-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Ag‑In‑Zn‑S量子点的低功耗忆阻器，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、介质层和顶电极；所述介质层为由Ag‑In‑Zn‑S量子点制成的材料膜；所述介质层的底部与所述底电极的顶部接触，所述介质层的顶部与所述顶电极的底部相接触。本发明还公开了该忆阻器的制备方法，包括衬底清洗、干燥；底电极沉积；介质层制备；顶电极沉积。本发明提供的基于Ag‑In‑Zn‑S量子点的忆阻器制备工艺简单，方法高效；本发明的忆阻器具有稳定性高和功耗低等优点，同时在低限制电流的情况下表现出易失性，在高限制电流的情况下表现出非易失性，具有开发交叉开关阵列的选择器以及下一代的节能和高密度存储的巨大潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110176537A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910352508.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于二维材料MXene的忆阻器阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：S1：对硅片先进行清洗再用烘干机进行烘干，在烘干之后的硅片上覆盖第一掩膜版，通过PVD物理气相沉积淀积一层TiN作为底电极；S2：取下第一掩膜版，通过对准标记覆盖第二掩膜版氧化生长一层SiO2阻变层；S3：制备MXene粉末与二甲基亚砜的混合溶液，在SiO2层上覆盖一层MXene二维材料层；S4：取下第二掩膜版，通过对准标记覆盖第三掩膜版淀积一层Cu以及TiN分别作为顶电极及顶电极保护层。忆阻器阵列结构与突触间的互联互通具有极大地相似性，此忆阻器阵列制备方法的提出对实现稳定性好、功耗低、集成度高的类脑系统具有重大的指导意义。
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公开(公告)号：CN116669532A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310786249.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点/无铅卤化物钙钛矿的忆阻器及其制备方法和应用，所述忆阻器包括由上至下依次布设的顶电极、阻变层和底电极，所述阻变层包括第一阻变层和设于第一阻变层上的第二阻变层，所述第一阻变层为无铅卤化物钙钛矿Cs3Cu2Cl5，所述第二阻变层为Ag‑In‑Zn‑S量子点。所述忆阻器相较于二极管或场效应晶体管等传统硅基电子开关器件，具备102的开关比、34ns的高速响应时间、切换的高低阻值稳定可靠等优点。所述忆阻器的制备方法简单、可靠且稳定性强，且相比于铅基钙钛矿材料，本发明使用的无铅钙钛矿材料具有绿色环保等优点，为非易失性存储和无线通信等高频电子开关器件领域提供了一种技术可行性。
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公开(公告)号：CN109560195B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201811365078.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN110631415B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201911020916.2
申请日：2019-10-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电压检测的电磁炮自动打靶控制系统，包括通过OpenCV图像识别定位具有颜色特征的靶标，采用激光雷达传感器测量电磁炮炮筒与目标靶的距离，具有较高的精确度。提出一种基于电压检测的方法，预先拟合储能电容两端电压与电磁炮发射距离的关系曲线，每一个放电电压对应一个固定的发射距离，放电时根据距离远近，确定储能电容两端的放电电压，并产生电磁力将弹丸射出，击中目标靶。实现了电磁炮的高度自动性，为未来电磁炮的深远发展提供了一种可能。
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公开(公告)号：CN110631415A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911020916.2
申请日：2019-10-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电压检测的电磁炮自动打靶控制系统，包括通过OpenCV图像识别定位具有颜色特征的靶标，采用激光雷达传感器测量电磁炮炮筒与目标靶的距离，具有较高的精确度。提出一种基于电压检测的方法，预先拟合储能电容两端电压与电磁炮发射距离的关系曲线，每一个放电电压对应一个固定的发射距离，放电时根据距离远近，确定储能电容两端的放电电压，并产生电磁力将弹丸射出，击中目标靶。实现了电磁炮的高度自动性，为未来电磁炮的深远发展提供了一种可能。
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