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公开(公告)号：CN112467031A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011347525.4
申请日：2020-11-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Ag‑In‑Zn‑S量子点的低功耗忆阻器，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、介质层和顶电极；所述介质层为由Ag‑In‑Zn‑S量子点制成的材料膜；所述介质层的底部与所述底电极的顶部接触，所述介质层的顶部与所述顶电极的底部相接触。本发明还公开了该忆阻器的制备方法，包括衬底清洗、干燥；底电极沉积；介质层制备；顶电极沉积。本发明提供的基于Ag‑In‑Zn‑S量子点的忆阻器制备工艺简单，方法高效；本发明的忆阻器具有稳定性高和功耗低等优点，同时在低限制电流的情况下表现出易失性，在高限制电流的情况下表现出非易失性，具有开发交叉开关阵列的选择器以及下一代的节能和高密度存储的巨大潜力。
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