公开(公告)号：CN110137350A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910352427.0

申请日：2019-04-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 何南 ,  刘鑫伟 ,  张繆城 ,  童祎 ,  贺林 ,  连晓娟 ,  万相

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明揭示了一种用于实现阻态连续变化的阵列忆阻器，阵列忆阻器自下而上依次包括：底电极、阻变层和顶电极，底电极、阻变层和顶电极构成层状结构，所述底电极由至少10条相互平行，尺寸、材料相同的底电极条构成，顶电极由至少10条相互平行，尺寸、材料相同的顶电极条构成，顶电极条与底电极条相互垂直，且二者之间间隔一定距离；阻变层位于顶电极条和底电极条交叉位置的空隙中，阻变层的厚度为顶电极条底部和底电极条顶部之间的距离；顶电极和阻变层之间设置有过渡金属碳化物MXene材料。在阻变层和顶电极之间加入过渡金属碳化物有助于忆阻器两端在加正向电压时规范和促进阻变层中导电细丝的生长，赋予器件阻值缓变的类脑特性。