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公开(公告)号：CN117495705A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311511986.4
申请日：2023-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像降噪方法，具体为：步骤1：基于忆阻器设计降噪支路；步骤2：如果图像为一维图像，则基于降噪支路构建一维图像的降噪电路，若图像为二维图像，则基于降噪支路搭建二维图像的降噪电路；步骤3：将图像的灰度值映射为输入电流，并导入相应的降噪电路中；步骤4：将降噪电路输出的电流映射还原为图像灰度值；步骤5：将步骤4中的灰度值做二值化后还原为图像，从而得到去噪后的图像。本发明所采用的降噪方法为忆阻器实现图像降噪方面的应用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN117495705B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311511986.4
申请日：2023-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像降噪方法，具体为：步骤1：基于忆阻器设计降噪支路；步骤2：如果图像为一维图像，则基于降噪支路构建一维图像的降噪电路，若图像为二维图像，则基于降噪支路搭建二维图像的降噪电路；步骤3：将图像的灰度值映射为输入电流，并导入相应的降噪电路中；步骤4：将降噪电路输出的电流映射还原为图像灰度值；步骤5：将步骤4中的灰度值做二值化后还原为图像，从而得到去噪后的图像。本发明所采用的降噪方法为忆阻器实现图像降噪方面的应用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN117495684A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311511983.0
申请日：2023-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器电路侧向抑制特性的图像边缘增强方法，具体为：步骤1：设计抑制电路：若原始图像为一维图像采用忆阻器设计一维方向侧抑制电路；若原始图像为二维图像，则基于一维方向侧抑制电路设计二维方向侧抑制电路；抑制电路的输出端口和输入端口的个数等于原始图像的大小；步骤2：对原始图像的全局灰度值进行归一化，得到每个像素点归一化后的灰度值；步骤3：将图像上每个像素点归一化后的灰度值作为输入电压，输入至相应的抑制电路；步骤4：将抑制电路输出的电流转化为0~255的灰度值，从而恢复图像。
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公开(公告)号：CN116381439A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310214741.9
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种利用态密度曲线评估有机场效应晶体管退化性能的方法，涉及有机半导体器件技术领域。态密度曲线是在器件的传输特性曲线的基础上通过使用有效迁移率以及接触电阻亚阈值斜率等传统参数进行处理后绘制得到的，使用态密度曲线评估器件能够更直观的观察到薄膜层陷阱在能量上的分布，载流子从深陷阱中释放大致需要的能量，器件性能的退化可以通过态密度曲线有效表现出来，因而利用态密度曲线评估器件退化性能是具有较强的可行性与通用性的。
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公开(公告)号：CN109560195B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201811365078.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444660A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910746756.3
申请日：2019-08-13
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种具有类脑特性的忆阻器件及其制备方法，该忆阻器件设置于衬底上，该忆阻器件包括保护层、上导电电极、中间功能层、下导电电极，保护层与所述上导电电极的形状、尺寸一一匹配，所述中间功能层、下导电电极与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述中间功能层为二元氧化物，所述保护层为惰性材料，所述上导电电极通过掩膜板的开孔溅射在所述中间功能层的顶部，所述下导电电极的顶部、底部分别与所述中间功能层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，具有类似人脑选择性记忆的特性，具有广阔的应用前景。本发明忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，适合在产业上推广使用。
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公开(公告)号：CN110176537A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910352508.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于二维材料MXene的忆阻器阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：S1：对硅片先进行清洗再用烘干机进行烘干，在烘干之后的硅片上覆盖第一掩膜版，通过PVD物理气相沉积淀积一层TiN作为底电极；S2：取下第一掩膜版，通过对准标记覆盖第二掩膜版氧化生长一层SiO2阻变层；S3：制备MXene粉末与二甲基亚砜的混合溶液，在SiO2层上覆盖一层MXene二维材料层；S4：取下第二掩膜版，通过对准标记覆盖第三掩膜版淀积一层Cu以及TiN分别作为顶电极及顶电极保护层。忆阻器阵列结构与突触间的互联互通具有极大地相似性，此忆阻器阵列制备方法的提出对实现稳定性好、功耗低、集成度高的类脑系统具有重大的指导意义。
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公开(公告)号：CN110137350A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910352427.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种用于实现阻态连续变化的阵列忆阻器，阵列忆阻器自下而上依次包括：底电极、阻变层和顶电极，底电极、阻变层和顶电极构成层状结构，所述底电极由至少10条相互平行，尺寸、材料相同的底电极条构成，顶电极由至少10条相互平行，尺寸、材料相同的顶电极条构成，顶电极条与底电极条相互垂直，且二者之间间隔一定距离；阻变层位于顶电极条和底电极条交叉位置的空隙中，阻变层的厚度为顶电极条底部和底电极条顶部之间的距离；顶电极和阻变层之间设置有过渡金属碳化物MXene材料。在阻变层和顶电极之间加入过渡金属碳化物有助于忆阻器两端在加正向电压时规范和促进阻变层中导电细丝的生长，赋予器件阻值缓变的类脑特性。
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公开(公告)号：CN118102742A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410227384.4
申请日：2024-02-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10K30/86 , H10K30/85 , H10K30/60 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K39/30 , H10K39/00
Abstract: 本发明提供一种有机光电探测器及其制备方法与阵列，基于超薄层DPPT‑TT有机材料的高性能光电探测器，并通过台阶式结构设计改进了有机半导体的性能。该器件在仅有50nm吸收层厚度下实现了卓越的外部量子效率，最大光谱响应度达到383A/W，最大比检测率约为2.79×1012jones。此外，进一步的阵列化实验展示了光电探测器的可扩展性和多领域应用潜力，包括成像、通信和生物医学。为开发高性能、低成本的有机光电探测器提供了重要见解，体现出了有机光电探测器在光探测和成像领域的前景。
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