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公开(公告)号：CN116234326A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310326929.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述制备方法包括：首先在衬底上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层和介电层，然后通过蒸镀的方式在介电层上方形成栅极，本发明选用DPPT‑TT作半导体层，选用CYTOP作介电层，通过CYTOP介电层的最佳退火温度能在介电层和半导体层界面产生最多的偶极子数目，获得电学性能最优的有机晶体管器件。本申请所提供的基于氟化聚合物电介质的高性能有机场效应晶体管制备方法，在保证器件工作状态最佳的情况下，通过确认使用最佳介电层退火温度，优化了有机薄膜晶体管的迁移率、阈值电压和开关比。
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公开(公告)号：CN116096102A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310261183.1
申请日：2023-03-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于电子材料及器件技术领域，涉及一种基于氟化电介质的双介电层有机场效应晶体管的制备方法，晶体管包括：衬底、源漏电极、有机半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与有机半导体层接触的无氟聚合物介电层和位于其上的氟化聚合物介电层；首先以蒸镀的方式在衬底上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成有机半导体层和介电层，然后通过蒸镀的方式在介电层上方形成栅极；本发明在无氟聚合物介电层上再旋涂一层氟化聚合物介电层，可以将有机场效应晶体管从双极性电荷传输调节为单极性电荷传输，揭示了用于未来有机电子的电介质的新功能，适宜发展相关的互补对称CMOS电路及应用。
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公开(公告)号：CN118102742A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410227384.4
申请日：2024-02-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10K30/86 , H10K30/85 , H10K30/60 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K39/30 , H10K39/00
Abstract: 本发明提供一种有机光电探测器及其制备方法与阵列，基于超薄层DPPT‑TT有机材料的高性能光电探测器，并通过台阶式结构设计改进了有机半导体的性能。该器件在仅有50nm吸收层厚度下实现了卓越的外部量子效率，最大光谱响应度达到383A/W，最大比检测率约为2.79×1012jones。此外，进一步的阵列化实验展示了光电探测器的可扩展性和多领域应用潜力，包括成像、通信和生物医学。为开发高性能、低成本的有机光电探测器提供了重要见解，体现出了有机光电探测器在光探测和成像领域的前景。
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公开(公告)号：CN116113291A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310275738.8
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及微电子材料与器件技术领域，涉及一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法；N型聚合物场效应晶体管为顶栅底接触结构；首先在衬底上通过掩膜版使用真空蒸镀的方式制备铋金属膜作为源、漏电极，随后在其表面旋涂有机半导体作为有源层，待其退火结束后在其表面旋涂绝缘体作为介电层，最后通过掩模膜版在介电层上方蒸镀铝金属膜作为栅电极；该方法制备的接触电极相较于传统的金接触电极，其N型电接触性能获得了明显改善，器件性能明显提升，同时制备成本得到显著下降。
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公开(公告)号：CN116096101A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310244089.5
申请日：2023-03-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10K10/46 , H10K71/00 , H10K77/10 , H03K19/0944 , H03K19/20
Abstract: 本发明属于有机半导体电子器件技术领域，公开了一种柔性阈值可调的负电容晶体管及制备方法、小型逻辑电路，柔性阈值可调的负电容晶体管包括柔性衬底、有机半导体层、有机介质层，源漏电极以及两个栅极，制备方法为：在柔性衬底表面制备底栅电极且旋涂有机铁电性薄膜，在有机介质层表面旋涂有机聚合物薄膜作为半导体沟道层，制备源/漏金属电极，最后旋涂有机铁电薄膜并制备顶栅电极。本发明利用有机铁电晶体管的负电容原理降低了工作电压及功耗，制作双栅极结构使晶体管的阈值电压可调，在以单极性器件为基础元件的柔性逻辑电路中具有重大的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105843555B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610159340.8
申请日：2016-03-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了分布式存储中基于随机梯度下降的谱哈希方法，该方法在语义一致的谱哈希算法的基础上，利用随机梯度下降减少算法训练时间，且进一步提出基于柯西分布的一致性哈希算法并利用该算法将每一个数据项压缩成一个一维的实数值。这样便能利用一致性哈希的思想，在动态的网络拓扑中实现分布式存储，且使相似的数据项存储在相同的或者相近的存储服务器节点。本发明的方法使得每个存储服务器节点仅需要维护少量近邻节点的信息，当服务器节点加入或者退出系统时，仅有少量相关节点参与到拓扑的维护之中，提高了收敛速度和存储准确性。
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公开(公告)号：CN118102738A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410325403.7
申请日：2024-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种PIN有机半导体光电探测器，包括自下而上依次设置的透明衬底、下电极、电子传输层、N型有机半导体层、本征半导体I层、P型有机半导体层、空穴传输层和上电极；其中，N型有机半导体层旋涂于电子传输层的上表面；本征半导体I层通过射频磁控溅射设置于N型有机半导体层的上表面；P型有机半导体层旋涂于本征半导体I层的上表面。具有暗电流低、易于实施、响应速度快等优点。同时，本发明所制备的有机PIN光电探测器在365nm的紫外环境以及850nm的短红外环境均能快速响应。
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公开(公告)号：CN116390500A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310275429.0
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镍电极的高稳定性聚合物场效应晶体管及其制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述方法包括：首先在衬底上方蒸镀一层镍形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方依次形成有机半导体有源层和栅介质层，然后通过蒸镀的方式在栅介质层上方形成栅电极，本发明使用镍作为源漏电极，相较于传统使用金作为源漏电极的器件，其载流子迁移率有所提升，器件的阈值电压明显降低，尤其是在空气暴露的条件下，依然能够保持稳定的电学特性，主要电学参数衰减相对采用常规金电极的器件大幅降低。本申请所提供的制备方法提升了顶栅底接触聚合物场效应晶体管的电学性能及稳定性，具有工艺简单，操作便捷，成本低，稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN116234328A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310275427.1
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于稀土金属电极的N型有机场效应晶体管及其制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述方法包括：首先在衬底上方通过磁控溅射方式形成稀土金属钪源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层和介电层，然后通过热蒸镀在介电层上方形成栅电极，本发明使用稀土金属钪制备N型有机器件，相较于目前广泛使用的金接触电极，其N型场效应晶体管的开关特性等性能大幅改善，载流子迁移率明显提升，能缓解电荷注入瓶颈，提高器件的性能，且本发明能降低器件制备的成本，具有工艺简单，操作便捷的特点，对推动有机晶体管面向CMOS电路应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116504815B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310762255.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种高功率a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，包括基底、支撑层、栅电极层、栅介质层、a‑IGZO有源层、变掺杂区、源电极层和漏电极层，支撑层设于基底上表面；栅电极层设于支撑层上表面中部；栅介质层覆盖于所述栅电极层和所述支撑层上；a‑IGZO有源层设于栅介质层上表面，变掺杂区为a‑IGZO有源层右端经处理后形成的变掺杂区；源电极层设于a‑IGZO有源层上表面的左侧，漏电极层设于变掺杂区上表面的右侧。本发明提供的漂移区变掺杂结构通过调制漂移区中的电场分布，能够有效提升器件击穿电压，降低漂移区电阻，优化器件导通电阻，显著提升薄膜晶体管的Baliga优值，可以用以提升晶体管的耐压性能和输出电流能力。
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