公开(公告)号：CN118265439A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410400870.1

申请日：2024-04-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 罗中中 ,  于志浩 ,  徐勇 ,  赵强

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/20 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明公开一种二维材料辅助的多层磁性电极制备方法，多层磁性电极包括金膜层、磁性金属层和二维材料层，其中二维材料层可以是大面积连续的石墨烯薄膜或氮化硼薄膜，制备方法包括如下步骤：利用化学气相沉积方法，生长连续的二维材料薄膜，并将其转移到干净平整的衬底表面；利用掩膜版，依次沉积磁性金属层和金膜层，得到目标尺寸的多层磁性电极；利用探针或者粘性聚合物将含二维材料在内的多层磁性电极转移到目标半导体样品，形成有效的磁性电极/半导体接触，本发明可有效避免直接在半导体样品表面沉积磁性金属带来的界面缺陷与破坏，该转移方法对于实现具有高质量自旋界面的高性能自旋电子器件具有重要价值和意义。

公开(公告)号：CN118102742A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410227384.4

申请日：2024-02-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈子龙 ,  王润锋 ,  陈辛 ,  姬婷婷 ,  崔久朋 ,  梁浩琪 ,  孙华斌 ,  徐勇 ,  于志浩 ,  朱力 ,  杨光安 ,  罗中中 ,  万相

IPC: H10K30/86 ,  H10K30/85 ,  H10K30/60 ,  H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K39/30 ,  H10K39/00

Abstract: 本发明提供一种有机光电探测器及其制备方法与阵列，基于超薄层DPPT‑TT有机材料的高性能光电探测器，并通过台阶式结构设计改进了有机半导体的性能。该器件在仅有50nm吸收层厚度下实现了卓越的外部量子效率，最大光谱响应度达到383A/W，最大比检测率约为2.79×1012jones。此外，进一步的阵列化实验展示了光电探测器的可扩展性和多领域应用潜力，包括成像、通信和生物医学。为开发高性能、低成本的有机光电探测器提供了重要见解，体现出了有机光电探测器在光探测和成像领域的前景。

公开(公告)号：CN116096101A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310244089.5

申请日：2023-03-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 于志浩 ,  李莫杨 ,  罗中中 ,  徐勇 ,  孙华斌 ,  吴洁 ,  朱力

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/00 ,  H10K77/10 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明属于有机半导体电子器件技术领域，公开了一种柔性阈值可调的负电容晶体管及制备方法、小型逻辑电路，柔性阈值可调的负电容晶体管包括柔性衬底、有机半导体层、有机介质层，源漏电极以及两个栅极，制备方法为：在柔性衬底表面制备底栅电极且旋涂有机铁电性薄膜，在有机介质层表面旋涂有机聚合物薄膜作为半导体沟道层，制备源/漏金属电极，最后旋涂有机铁电薄膜并制备顶栅电极。本发明利用有机铁电晶体管的负电容原理降低了工作电压及功耗，制作双栅极结构使晶体管的阈值电压可调，在以单极性器件为基础元件的柔性逻辑电路中具有重大的作用。

公开(公告)号：CN118102738A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410325403.7

申请日：2024-03-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈子龙 ,  陈辛 ,  王润锋 ,  姬婷婷 ,  孙华斌 ,  徐勇 ,  于志浩 ,  朱力 ,  罗中中 ,  万相 ,  杨光安

IPC: H10K30/60 ,  H10K30/40 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种PIN有机半导体光电探测器，包括自下而上依次设置的透明衬底、下电极、电子传输层、N型有机半导体层、本征半导体I层、P型有机半导体层、空穴传输层和上电极；其中，N型有机半导体层旋涂于电子传输层的上表面；本征半导体I层通过射频磁控溅射设置于N型有机半导体层的上表面；P型有机半导体层旋涂于本征半导体I层的上表面。具有暗电流低、易于实施、响应速度快等优点。同时，本发明所制备的有机PIN光电探测器在365nm的紫外环境以及850nm的短红外环境均能快速响应。