公开(公告)号：CN118102742A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410227384.4

申请日：2024-02-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈子龙 ,  王润锋 ,  陈辛 ,  姬婷婷 ,  崔久朋 ,  梁浩琪 ,  孙华斌 ,  徐勇 ,  于志浩 ,  朱力 ,  杨光安 ,  罗中中 ,  万相

IPC: H10K30/86 ,  H10K30/85 ,  H10K30/60 ,  H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K39/30 ,  H10K39/00

Abstract: 本发明提供一种有机光电探测器及其制备方法与阵列，基于超薄层DPPT‑TT有机材料的高性能光电探测器，并通过台阶式结构设计改进了有机半导体的性能。该器件在仅有50nm吸收层厚度下实现了卓越的外部量子效率，最大光谱响应度达到383A/W，最大比检测率约为2.79×1012jones。此外，进一步的阵列化实验展示了光电探测器的可扩展性和多领域应用潜力，包括成像、通信和生物医学。为开发高性能、低成本的有机光电探测器提供了重要见解，体现出了有机光电探测器在光探测和成像领域的前景。

公开(公告)号：CN118102738A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410325403.7

申请日：2024-03-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈子龙 ,  陈辛 ,  王润锋 ,  姬婷婷 ,  孙华斌 ,  徐勇 ,  于志浩 ,  朱力 ,  罗中中 ,  万相 ,  杨光安

IPC: H10K30/60 ,  H10K30/40 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种PIN有机半导体光电探测器，包括自下而上依次设置的透明衬底、下电极、电子传输层、N型有机半导体层、本征半导体I层、P型有机半导体层、空穴传输层和上电极；其中，N型有机半导体层旋涂于电子传输层的上表面；本征半导体I层通过射频磁控溅射设置于N型有机半导体层的上表面；P型有机半导体层旋涂于本征半导体I层的上表面。具有暗电流低、易于实施、响应速度快等优点。同时，本发明所制备的有机PIN光电探测器在365nm的紫外环境以及850nm的短红外环境均能快速响应。