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公开(公告)号：CN118102738A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410325403.7
申请日：2024-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种PIN有机半导体光电探测器，包括自下而上依次设置的透明衬底、下电极、电子传输层、N型有机半导体层、本征半导体I层、P型有机半导体层、空穴传输层和上电极；其中，N型有机半导体层旋涂于电子传输层的上表面；本征半导体I层通过射频磁控溅射设置于N型有机半导体层的上表面；P型有机半导体层旋涂于本征半导体I层的上表面。具有暗电流低、易于实施、响应速度快等优点。同时，本发明所制备的有机PIN光电探测器在365nm的紫外环境以及850nm的短红外环境均能快速响应。
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公开(公告)号：CN115623792B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211633280.0
申请日：2022-12-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种模拟神经突触有机电化学晶体管、其制备方法以及方向选择电路，利用电解质型栅介质通电构成双电层结构的原理，降低工作电压，该有机电化学晶体管的结构由下往上依次为衬底、电解液型栅介质、有机材料通道、金属顶电极；并且提出一种基于STP/STD的新型神经形态电路来实现方向选择性，通过两种布线方案实现生物神经系统中的短时程增强/抑制（STP/STD）。通过采用加载不同的脉冲电压模式，进行突触仿生功能的模拟，实现类神经突触的学习和记忆功能。
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公开(公告)号：CN116390500A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310275429.0
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镍电极的高稳定性聚合物场效应晶体管及其制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述方法包括：首先在衬底上方蒸镀一层镍形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方依次形成有机半导体有源层和栅介质层，然后通过蒸镀的方式在栅介质层上方形成栅电极，本发明使用镍作为源漏电极，相较于传统使用金作为源漏电极的器件，其载流子迁移率有所提升，器件的阈值电压明显降低，尤其是在空气暴露的条件下，依然能够保持稳定的电学特性，主要电学参数衰减相对采用常规金电极的器件大幅降低。本申请所提供的制备方法提升了顶栅底接触聚合物场效应晶体管的电学性能及稳定性，具有工艺简单，操作便捷，成本低，稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN116234328A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310275427.1
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于稀土金属电极的N型有机场效应晶体管及其制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述方法包括：首先在衬底上方通过磁控溅射方式形成稀土金属钪源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层和介电层，然后通过热蒸镀在介电层上方形成栅电极，本发明使用稀土金属钪制备N型有机器件，相较于目前广泛使用的金接触电极，其N型场效应晶体管的开关特性等性能大幅改善，载流子迁移率明显提升，能缓解电荷注入瓶颈，提高器件的性能，且本发明能降低器件制备的成本，具有工艺简单，操作便捷的特点，对推动有机晶体管面向CMOS电路应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114899314A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210098922.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，制备方法包括以下具体步骤：步骤1：溶液的制备，包括半导体溶液的配置和溶液的溶解步骤；步骤2：器件的制备，包括衬底的清洗、半导体薄膜和源漏电极的制备以及栅极的制备步骤，源漏电极的制备采用常规的真空热蒸发法利用不锈钢掩膜版在衬底上蒸镀50nm的金作为源漏电极，本发明与现有制备工艺相比，可以在保证器件工作状态最佳的情况下，确认可以使用的最薄半导体层厚度，大大减小了半导体材料的使用浪费，优化了有机薄膜晶体管的亚阈值摆幅、阈值电压以及接触电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114487519A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210142082.8
申请日：2022-02-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种用于柔性器件的测试设备，该测试设备用于柔性器件的电学性能和力学性能测试，包括框架，测试设备还包括安装在框架上的控制器、探针机构、样件测试台机构、拉力传感器和微区摄像器，中控机通信连接所述控制器，控制器通信连接探针机构，探针机构电性连接控制器，用于柔性器件的性能测试，样件测试台机构用于夹固柔性器件，对其进行弯曲和拉伸。该设备实现了对柔性器件的电学性能和力学性能一体化测试且不损坏柔性器件的表面，为柔性器件的测试提供了新的设备。
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公开(公告)号：CN118265439A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410400870.1
申请日：2024-04-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维材料辅助的多层磁性电极制备方法，多层磁性电极包括金膜层、磁性金属层和二维材料层，其中二维材料层可以是大面积连续的石墨烯薄膜或氮化硼薄膜，制备方法包括如下步骤：利用化学气相沉积方法，生长连续的二维材料薄膜，并将其转移到干净平整的衬底表面；利用掩膜版，依次沉积磁性金属层和金膜层，得到目标尺寸的多层磁性电极；利用探针或者粘性聚合物将含二维材料在内的多层磁性电极转移到目标半导体样品，形成有效的磁性电极/半导体接触，本发明可有效避免直接在半导体样品表面沉积磁性金属带来的界面缺陷与破坏，该转移方法对于实现具有高质量自旋界面的高性能自旋电子器件具有重要价值和意义。
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公开(公告)号：CN116376408A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310088394.X
申请日：2023-02-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C09D165/00 , C09D133/12 , H10K85/10 , H10K71/16 , H10K10/46
Abstract: 本发明公开了一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法，涉及半导体器件物理领域，一致高分子取向薄膜是在衬底上通过以Langmuir‑Blodgett工艺制备而成，其有机聚合物链依靠其范德华力保持一致取向，通过在有机溶剂DPPT‑TT中配备一定浓度的PMMA溶液，可以改变有机聚合物链互相间受力方式，再通过本专利中的制备方式所制备出的有机器件，可以使其在不同环境中有机聚合物链一致取向排列所受影响大大降低。一致高分子取向薄膜有效的提高了有机场效应晶体管的迁移率，使亚阈值摆幅得以降低。同时，一致高分子有机聚合物链的保护方法使有机场效应晶体管的迁移率收敛性得到较大提高，晶体管性能一致性更加明显。
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公开(公告)号：CN116234326A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310326929.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述制备方法包括：首先在衬底上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层和介电层，然后通过蒸镀的方式在介电层上方形成栅极，本发明选用DPPT‑TT作半导体层，选用CYTOP作介电层，通过CYTOP介电层的最佳退火温度能在介电层和半导体层界面产生最多的偶极子数目，获得电学性能最优的有机晶体管器件。本申请所提供的基于氟化聚合物电介质的高性能有机场效应晶体管制备方法，在保证器件工作状态最佳的情况下，通过确认使用最佳介电层退火温度，优化了有机薄膜晶体管的迁移率、阈值电压和开关比。
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公开(公告)号：CN116156903A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310154930.1
申请日：2023-02-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种环保溶液法制备铁电薄膜有机半导体晶体管，属于半导体制造技术领域。该器件包括：衬底；HfO2/ZrO2/Al2O3/HfO2/ZrO2交叠层；有机半导体层；金属顶电极。通过1:1交叠旋涂HfO2和ZrO2前体溶液，可以得到铁电极化均匀的HZO薄膜，通过插入超薄的Al2O3能够有效抑制HZO膜单斜相形成，保证了HZAHZ膜铁电性在总厚度增加后铁电性不会退化。该HZO薄膜的溶液法采用的溶剂环保，制备工艺简单，设备成本低，并且适用有机半导体晶体管。
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