一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法

    公开(公告)号:CN114512612A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210137601.1

    申请日:2022-02-15

    Abstract: 本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪(HfCl4)溶于去离子水(DI),并将其旋涂于P+掺杂的硅片上,以低温热退火的工艺形成氧化铪(HfO2)薄膜;之后将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶于乙酸丁酯(NBA),旋涂在HfO2薄膜表面,以低温热退火的方式形成很薄的PMMA薄膜,来对HfO2的表面进行钝化,从而减小有机场效应晶体管(OFETs)的回滞,提高OFETs的场效应迁移率。该HfO2薄膜的溶液相工艺操作简单,可在大气环境下进行处理,制备成本低,可适用于大规模的成产,对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。

    一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN116376408A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310088394.X

    申请日:2023-02-09

    Abstract: 本发明公开了一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法,涉及半导体器件物理领域,一致高分子取向薄膜是在衬底上通过以Langmuir‑Blodgett工艺制备而成,其有机聚合物链依靠其范德华力保持一致取向,通过在有机溶剂DPPT‑TT中配备一定浓度的PMMA溶液,可以改变有机聚合物链互相间受力方式,再通过本专利中的制备方式所制备出的有机器件,可以使其在不同环境中有机聚合物链一致取向排列所受影响大大降低。一致高分子取向薄膜有效的提高了有机场效应晶体管的迁移率,使亚阈值摆幅得以降低。同时,一致高分子有机聚合物链的保护方法使有机场效应晶体管的迁移率收敛性得到较大提高,晶体管性能一致性更加明显。

    一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法

    公开(公告)号:CN114512612B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202210137601.1

    申请日:2022-02-15

    Abstract: 本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪(HfCl4)溶于去离子水(DI),并将其旋涂于P+掺杂的硅片上,以低温热退火的工艺形成氧化铪(HfO2)薄膜;之后将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶于乙酸丁酯(NBA),旋涂在HfO2薄膜表面,以低温热退火的方式形成很薄的PMMA薄膜,来对HfO2的表面进行钝化,从而减小有机场效应晶体管(OFETs)的回滞,提高OFETs的场效应迁移率。该HfO2薄膜的溶液相工艺操作简单,可在大气环境下进行处理,制备成本低,可适用于大规模的成产,对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。

    一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN116376408B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202310088394.X

    申请日:2023-02-09

    Abstract: 本发明公开了一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法,涉及半导体器件物理领域,一致高分子取向薄膜是在衬底上通过以Langmuir‑Blodgett工艺制备而成,其有机聚合物链依靠其范德华力保持一致取向,通过在有机溶剂DPPT‑TT中配备一定浓度的PMMA溶液,可以改变有机聚合物链互相间受力方式,再通过本专利中的制备方式所制备出的有机器件,可以使其在不同环境中有机聚合物链一致取向排列所受影响大大降低。一致高分子取向薄膜有效的提高了有机场效应晶体管的迁移率,使亚阈值摆幅得以降低。同时,一致高分子有机聚合物链的保护方法使有机场效应晶体管的迁移率收敛性得到较大提高,晶体管性能一致性更加明显。

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