公开(公告)号：CN116156903A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310154930.1

申请日：2023-02-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  陈赓 ,  丁凯瑞 ,  吴洁 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  徐勇

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及一种环保溶液法制备铁电薄膜有机半导体晶体管，属于半导体制造技术领域。该器件包括：衬底；HfO2/ZrO2/Al2O3/HfO2/ZrO2交叠层；有机半导体层；金属顶电极。通过1:1交叠旋涂HfO2和ZrO2前体溶液，可以得到铁电极化均匀的HZO薄膜，通过插入超薄的Al2O3能够有效抑制HZO膜单斜相形成，保证了HZAHZ膜铁电性在总厚度增加后铁电性不会退化。该HZO薄膜的溶液法采用的溶剂环保，制备工艺简单，设备成本低，并且适用有机半导体晶体管。

公开(公告)号：CN114512612A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210137601.1

申请日：2022-02-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  魏中晴 ,  陈赓 ,  丁佳瀚 ,  徐勇 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  吴洁

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/10

Abstract: 本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪（HfCl4）溶于去离子水（DI），并将其旋涂于P+掺杂的硅片上，以低温热退火的工艺形成氧化铪（HfO2）薄膜；之后将聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶于乙酸丁酯（NBA），旋涂在HfO2薄膜表面，以低温热退火的方式形成很薄的PMMA薄膜，来对HfO2的表面进行钝化，从而减小有机场效应晶体管（OFETs）的回滞，提高OFETs的场效应迁移率。该HfO2薄膜的溶液相工艺操作简单，可在大气环境下进行处理，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。

公开(公告)号：CN114512612B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202210137601.1

申请日：2022-02-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  魏中晴 ,  陈赓 ,  丁佳瀚 ,  徐勇 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  吴洁

IPC: H10K71/00 ,  H10K10/88

Abstract: 本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪（HfCl4）溶于去离子水（DI），并将其旋涂于P+掺杂的硅片上，以低温热退火的工艺形成氧化铪（HfO2）薄膜；之后将聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶于乙酸丁酯（NBA），旋涂在HfO2薄膜表面，以低温热退火的方式形成很薄的PMMA薄膜，来对HfO2的表面进行钝化，从而减小有机场效应晶体管（OFETs）的回滞，提高OFETs的场效应迁移率。该HfO2薄膜的溶液相工艺操作简单，可在大气环境下进行处理，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。